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[发明专利]一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法-CN201711067628.3有效
发明人：李国华;吴世照;马超胜;周浩;刘书杰 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：一种制备介孔三氧化钨薄膜的电化学方法，所述方法为：以经过预处理的金属钨为阳极，钛片或铂片为阴极，在电解液中，于温度为5～40℃、电压为3～15V的条件下进行恒电位阳极氧化1～7h，之后取出金属钨，清洗、干燥后即在金属钨表面制得一层介孔三氧化钨薄膜；本发明可通过控制电解液组分，阳极氧化电压和氧化时间在金属钨表面得到孔径不同的三氧化钨薄膜；所制得的三氧化钨薄膜具有显著的介孔结构，比表面积大，与金属钨基底结合牢固
金属钨三氧化钨薄膜电化学制备介孔电解液预处理发明制备工艺介孔三氧化钨阳极氧化电压阴极工业化应用阳极基底结合介孔结构阳极氧化恒电位铂片钛片薄膜清洗取出应用

[发明专利]一种氧压分解黑钨矿并制备氧化钨和钨粉的方法-CN201810361940.1有效
发明人：陈星宇;刘旭恒;赵中伟 -专利权人：中南大学
申请日： 2018-04-20 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： C22B34/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧压分解黑钨矿并制备氧化钨和钨粉的方法，该方法以黑钨矿为原料，包括如下步骤：(1)氧压浸出反应；(2)过滤洗涤；(3)过氧化氢萃取‑分解提取钨；(4)过氧化氢多次萃取‑分解提纯钨酸；(5)纯钨酸煅烧制备三氧化钨；(6)过氧钨酸溶液喷雾热解制备氧化钨和钨粉。本发明所述方法采用的酸分解试剂便宜易得，极大降低钨矿分解成本；采用酸在氧压条件下分解，不产生危废碱煮渣，极大降低企业生产与运营成本；采用过氧化氢作为钨酸的萃取剂，不产生氨氮废水，革除了钨冶炼沿用多年产生氨氮废水的工艺，极大降低环保成本；直接生产各种钨的终端产品(氧化钨)和钨粉，提高了钨冶炼企业的产品附加值。
一种分解黑钨矿制备氧化钨方法

[发明专利]一种多孔硅基多维氧化钨复合结构的制备方法-CN201510044172.3无效
发明人：胡明;魏玉龙;张玮祎;马文锋;王傲尘 -专利权人：天津大学
申请日： 2015-01-28 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔硅基多维氧化钨复合结构的制备方法，采用水热法在有序多孔硅上原位生长氧化钨的多维纳米结构，提供一种结构新颖、制作工艺简单、形貌可控的多孔硅基多维氧化钨复合结构，水热法操作较为简单，所需控制的工艺条件少并且，所制备的多孔硅基多维氧化钨复合结构具有较高的比表面积，同时有序的氧化钨纳米棒阵列更有利于气体的吸附和自由扩散，这一材料在降低气敏传感器的工作温度、提高传感器的灵敏度和选择性方面有重要的实践和研究价值
一种多孔基多氧化钨复合结构制备方法

[发明专利]一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的光学测量方法-CN201510981044.1在审
发明人：孙晔;杜宝盛;于淼;唐巍;于登峰;杨彬;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2016-03-09 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的光学测量方法，它涉及一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料的测量方法。本发明是要解决现有基于氧化钨的电学式乙醇气敏传感测量方法存在工作温度高，器件加工复杂，且容易受到外界电磁场干扰的技术问题。本发明：一、水热法制备氧化钨纳米棒；二、制备氧化钨气敏传感元件；三、标准荧光强度值地确定；四、检测未知浓度的乙醇气体。本发明的有益效果：本发明方法不需要电学式设备加工中的电极加工过程，不需要氧化钨内部的导通性，简化工艺过程，可在常温下工作，不需要电学式器件加工中的加热部件测温部件的加工过程，降低了加工成本，不受电磁干扰
一种基于氧化钨作为乙醇气体传感材料光学测量方法

[发明专利]一种多元掺杂的氧化钨红外阻隔纳米粉体及其制备方法-CN201711063769.8在审
发明人：李曼;郑文;李方圆;宋亚 -专利权人：畅的新材料科技（上海）有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多元掺杂的氧化钨红外阻隔纳米粉体及其制备方法，属于掺杂的氧化钨红外阻隔纳米粉体技术领域。制得的Sn、Bi和Cs共掺杂的氧化钨纳米粉体，稳定性好，红外线阻隔达96～99%，可见光透过率75～90%，可应用于建筑、汽车、火车等户外隔热材料；相比于单一掺杂的氧化钨在500℃红外照射下红外阻隔衰减大于10%，Sn、Bi和Cs共掺杂氧化钨在同样条件下红外阻隔衰减小于1%；该Sn、Bi和Cs共掺杂的氧化钨纳米材料制作简单，工艺操作容易，环保性好，成本低，具有工业化应用前景。
一种多元掺杂氧化钨红外阻隔纳米及其制备方法

[发明专利]氢气同向扩散还原氧化钨制备单晶钨粉的方法-CN202311067763.3在审
发明人：车玉思;王瑞芳;陈永强;张超;何季麟 -专利权人：郑州大学;中原关键金属实验室
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B22F1/05 文献下载
摘要：本发明实施例公开的氢气同向扩散还原氧化钨制备单晶钨粉的方法，包括：在坩埚内的多孔板上铺设氧化钨原料层；所述坩埚被多孔板分为上部的物料仓和下部的气室，多孔板上均匀分布有孔径20～80μm的通孔；氢气供入坩埚下部的气室，经多孔板弥散后扩散进入物料仓内的氧化钨原料层；其中，氢气进入氧化钨原料层之前经过水浴处理，变为湿氢；氢气从氧化钨物料层的底部进入，与氧化钨物料层反应生成单晶钨粉，产生的水蒸气与氢气同向扩散，有利于控制单晶钨粉粒径的均一性
氢气同向扩散还原氧化钨制备单晶钨粉方法

[发明专利]一种可逆光致变色氧化钨纳米材料及其制备方法-CN201610856850.0有效
发明人：李曼;管小敏 -专利权人：沪本新材料科技（上海）有限公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可逆光致变色氧化钨纳米材料及其制备方法，属于可逆光致变色材料领域。它是在氧化钨中掺杂镓和锌元素合成的掺杂氧化钨纳米材料，所述掺杂氧化钨纳米材料的分子式为Zn_xGa_yWO₃，其中0＜x≤0.1，0＜y≤0.1通过掺杂镓和锌元素合成掺杂氧化钨纳米材料，它能够高效地抑制光激发后电子的复合过程，从而大大提高参与变色过程的光生载流子的数量，进一步提高氧化钨光致变色效率；根据本发明制备方法制得的Zn_x
一种逆光变色氧化钨纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料的制备方法和应用-CN202210120358.2有效
发明人：居瀚寻 -专利权人：东北农业大学
申请日： 2022-02-08 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：一种硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料的制备方法和应用，它涉及一种光催化复合材料的制备方法和应用。方法：一、制备三氧化钨/石墨烯复合物；二、复合，得到硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料。一种硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料用于降解罗丹明B。本发明制备的硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料可在35min内完全降解罗丹明B，第5次使用后对罗丹明B的降解率仍然可以达到81％。本发明可获得一种硒化镍/三氧化钨/石墨烯光催化复合材料。
一种硒化镍氧化钨石墨光催化复合材料制备方法应用

[实用新型]一种三氧化钨加工用真空干燥炉-CN202222618852.X有效
发明人：孙旭冬 -专利权人：广州宏武材料科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： F26B5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及三氧化钨技术领域，尤其是一种三氧化钨加工用真空干燥炉，包括真空干燥炉主体、转动装置和支撑环，所述真空干燥炉主体的内部转动连接有连接片，所述真空干燥炉主体的外壁设置有进料口与出料口，所述真空干燥炉主体与所述出料口相靠近的一侧安装有控制面板，所述转动装置包括驱动电机，所述驱动电机固定连接在所述真空干燥炉主体的上端，所述驱动电机的一端固定连接有立柱，三氧化钨位于真空干燥炉主体内部转动时增加横向剪切力，进而增加三氧化钨彼此间的交互，增加流通性，形成真空干燥炉主体内部温度对三氧化钨表面充分气化干燥，达到三氧化钨干燥的高效性，提升干燥质量，增加干燥的均匀性。
一种氧化钨工用真空干燥

[发明专利]Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法-CN200710072441.2无效
发明人：徐衍岭;王锐;杨春晖;王斌举;杨同勇 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在V_Pb、V_O及晶体诱导色心Pb³⁺、O^－和F缺陷，光学性能差的问题。Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化镱和氧化锌制成；氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1，氧化镱的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～300ppm，氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～1050ppm本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素镱和锌，在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，大幅度改善其光学性能。本发明Yb和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
yb zn 掺杂钨酸铅晶体及其制备方法

[发明专利]Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法-CN200710072440.8无效
发明人：徐衍岭;杨春晖;王锐;杨同勇;王斌举 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2007-07-02 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体及其制备方法，它涉及一种钨酸铅晶体及其制备方法。它解决了现有钨酸铅晶体存在V_Pb、V_o及晶体诱导色心Pb³⁺、O^－和F缺陷，光学性能差的问题。Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体由氧化钨、氧化铅、氧化钇和氧化锌制成；氧化钨与氧化铅的摩尔比为1∶1，氧化钇的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～200ppm，氧化锌的掺杂量为氧化钨和氧化铅总质量的50～1050ppm本发明在钨酸铅晶体中掺杂元素钇和锌，在保留钨酸铅晶体原有优良性能的基础上，大幅度改善其光学性能。本发明Y和Zn双掺杂钨酸铅晶体的制备过程中不需要抽真空或充入惰性保护气体。
zn 掺杂钨酸铅晶体及其制备方法

[发明专利]一种光还原二氧化碳的氧化钨/硫化锑异质结电极的制备方法-CN201910347759.X在审
发明人：李国华;陈志成;李婉青;项曙光;胡鑫 -专利权人：安徽大学
申请日： 2019-04-28 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： B01J27/047 文献下载
摘要：本发明公开了一种光还原二氧化碳的氧化钨/硫化锑异质结电极的制备方法，其特征在于：是利用氯化锑与硫代硫酸钠混合沉积法使氧化钨纳米片上生长硫化锑，然后经一次性退火即得到氧化钨/硫化锑异质结电极。本发明的方法具有简便、温和、高效的特点，所制备的氧化钨/硫化锑异质结电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性。
硫化锑电极氧化钨异质结制备光还原二氧化碳退火可见光吸收硫代硫酸钠氧化钨纳米沉积法氯化锑一次性生长

[发明专利]一种铁离子电解质的氧化钨基多彩电致变色器件及其制备方法与应用-CN202210384729.8在审
发明人：方华靖;伍玲琦 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G02F1/1524 文献下载
摘要：一种铁离子电解质的氧化钨基多彩电致变色器件及其制备方法与应用，包括由上至下依次设置的透明导电基底、氧化钨电致变色层、含铁离子有色电解质层、氧化镍对电极层和透明导电基底，其中，含铁离子有色电解质层和氧化钨电致变色层颜色叠加可形成多彩电致变色器件本发明通过引入有色电解质，扩展氧化钨基电致变色材料的变色范围，该电致变色器件结构简单、制备容易且成本低。
一种离子电解质氧化钨基多彩电变色器件及其制备方法应用

[发明专利]氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池及其制备方法-CN201810895723.0在审
发明人：黄仕华;张美影;池丹;陆肖励 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2018-08-08 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池及其制备方法，对单晶硅片进行表面化学处理，清除表面污染杂质；利用硝酸氧化法在硅片前后表面各生长一层超薄SiO₂层；在硅片正面的SiO₂薄膜上面，利用反应磁控溅射的方法制备氮掺杂的氧化钨薄膜，然后再溅射ITO导电薄膜；在硅片背面的SiO₂薄膜上面，利用热蒸镀的方法生长LiF；生长前后Ag电极。本发明利用反应磁控溅射方法生长氮掺杂的氧化钨薄膜，作为晶体硅异质结太阳能电池的空穴传输层，可以同时获得高电导率的氧化钨以及较大的氧化钨/单晶硅能带弯曲度。
氮掺杂氧化钨异质结太阳能电池制备生长反应磁控溅射氧化钨薄膜硅片表面化学处理单晶硅超薄SiO2层空穴传输层硝酸氧化法表面污染单晶硅片高电导率硅片正面晶体硅热蒸镀弯曲度电极溅射

[发明专利]一种氧化钨纳米片自组装微球及其制备方法和应用-CN201110110143.4无效
发明人：白守礼;张克伟;罗瑞贤;李殿卿;陈霭璠 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2011-04-29 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： C01G41/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氧化钨纳米片自组装微球气敏材料及其制备方法和将其用作气敏材料。本发明采用超声法在较温和的条件下成功制备了氧化钨纳米片自组装微球，该氧化钨微球直径为1～3μm，其由厚度为10～20nm的片层结构单元自组装而成。本发明所采用的方法与现有的氧化钨纳米材料制备方法相比，具有设备简单、操作方便、实验条件温和、成本低廉等优点。制备的氧化钨纳米片自组装微球在较低操作温度下对低浓度NO2具有高灵敏度和选择性，适于检测环境中微量二氧化氮。
一种氧化钨纳米组装及其制备方法应用