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[实用新型]氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构-CN200920272392.1无效
发明人：储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本专利公开了一种AIN晶体上的欧姆接触电极结构，AIN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AIN层。通过先在本征型AIN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AIN材料上的欧姆接触。AIN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。真空紫外器件的研制，将能为我国的太空探测提供技术支撑。
氮化晶体欧姆接触电极结构

[发明专利]一种SiC器件欧姆接触的形成方法-CN201711262250.2在审
发明人：朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 -专利权人：北京燕东微电子有限公司
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开一种SiC器件欧姆接触的形成方法，其特征在于，包括：通过刻蚀对衬底的N型区域和P型区域表面同时进行活化处理；形成反应金属层并对反应金属层图案化，以确定需要进行欧姆合金的区域；以及通过快速热退火形成欧姆合金
反应金属层欧姆接触合金快速热退火活化处理图案化衬底刻蚀

[发明专利]一种碳化硅的欧姆电极结构及其制备方法-CN201110366469.3无效
发明人：陈小龙;郭丽伟;刘春俊 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法。该碳化硅的欧姆电极结构包括碳化硅基底和金属层，以及位于所述碳化硅基底和金属层之间的石墨烯层。本发明的碳化硅欧姆电极结构的接触电阻低且稳定性好。
一种碳化硅欧姆电极结构及其制备方法

[发明专利]包含高反射n-GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法-CN202110275172.X有效
发明人：周玉刚;郭焱;许朝军;潘赛;张荣 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含高反射n‑GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法。所述倒装LED芯片包括外延结构层和p电极、n电极，所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层，所述p电极设置在p型层上，所述n电极设置在所述n型层上；所述n电极包括高反射n‑GaN欧姆接触结构，所述高反射n‑GaN欧姆接触结构包括叠层设置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层设置在所述n型层上并与所述n型层形成欧姆接触，其中，所述第一金属层包含金属Mg。所述倒装LED芯片通过采用倒装结构，可有效降低本发明具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片的热阻及其工作时的结温，以及，提高器件的光效。
包含反射 gan 欧姆接触倒装 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种氧化镓SBD器件及其制备方法-CN202011586805.0在审
发明人：贾涵博;赵浩男;武锦 -专利权人：中国科学院微电子所苏州产业技术研究院
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化镓SBD器件及其制备方法，氧化镓SBD器件包括：欧姆接触金属层，所述欧姆接触金属为金属钛；衬底层，所述衬底层设置在所述欧姆接触金属的面上；外延层，所述外延层设在所述衬底层的远离所述欧姆接触金属层的面上；斜面层，所述斜面层设置在所述外延层的远离所述衬底层的面上；介质层，所述介质层设置在所述斜面层的远离所述外延层的面上；肖特基接触金属层，所述肖特基接触金属层设置在所述介质层的远离斜面层的面上。
一种氧化 sbd 器件及其制备方法

[发明专利]耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法-CN201410259946.X有效
发明人：陶永洪;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-06-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明是一种耐高温处理的碳化硅背面金属加厚方法，该方法包括以下步骤：1）在SiC晶片背面蒸发或者溅射一层金属，退火后形成欧姆接触；2）在背面欧姆接触上蒸发或者溅射一层阻挡金属；3）在SiC晶片正面涂一层树脂，烘箱高温烘烤固化树脂；4）SiC晶片正面涂胶保护，湿法HF腐蚀，清洗甩干；5）在SiC晶片背面沉淀加厚金属；6）去胶划片，芯片烧结到载体上后做剪切力评估。优点：解决了碳化硅功率器件经过高温处理以后，背面金属不牢的问题，通过在背面欧姆上溅射一层阻挡金属，高温处理后与扩散到欧姆接触表面的C结合，避免了形成游离的C层，保证了背面加厚金属的牢固性和可靠性。
耐高温处理碳化硅背面金属加厚方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201510768850.0在审
发明人：杨美佳;毕京锋;李森林;刘冠洲;李明阳;熊伟平;陈文浚;吴超瑜;王笃祥 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2015-11-12 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，其中所述太阳能电池，包括：基板、设置在该基板上的键合金属层、欧姆接触金属层、应力阻隔层、设置在该应力阻隔层上的太阳能电池半导体层和设置在所述太阳能电池半导体层上表面的欧姆电极所述应力阻隔层设置于太阳能电池半导体层和欧姆接触金属层之间，可有效阻隔欧姆接触金属层及键合金属层对太阳能电池半导体层的热应力，避免热应力使太阳能电池半导体层晶体质量变差、甚至带隙发生偏移。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]形成金属-二维过渡族金属化合物材料良好欧姆接触的方法-CN201810010472.3有效
发明人：包文中;宋雄飞;昝武;许浒;周鹏;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-01-05 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种形成金属‑二维半导体材料良好欧姆接触的方法。本发明方法包括淀积金属前驱体、淀积金属粘附层、金属电极以及形成过渡族金属化合物薄膜；所涉及的金属‑二维材料良好欧姆接触包括衬底、位于衬底之上的二维材料、位于二维材料之上的金属电极材料，其中，所述金属电极材料包括粘附层以及电极材料二维材料已有大量研究，但目前关于金属‑二维半导体材料的欧姆接触问题还没有很好的解决方法，本发明解决了金属‑二维半导体材料欧姆接触的问题，并且可以实现大面积可控层数二维半导体薄膜的制备，因此可在大规模集成电路中获得应用
形成金属二维过渡化合物材料良好欧姆接触方法

[发明专利]石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法-CN201310058949.2无效
发明人：于淑珍;董建荣;李奎龙;孙玉润;赵勇明;赵春雨;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-02-25 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种石墨烯/金属复合电极半导体多结太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括多结电池和石墨烯/金属复合电极，该复合电极包括：离散分布在多结电池采光面上、并与多结电池形成欧姆接触的多个块状金属电极；以及覆设在该等金属电极上，并与该等金属电极形成欧姆接触的石墨烯膜；其制备方法包括：在多结电池采光面上设置多个与多结电池形成欧姆接触的块状金属电极.然后将石墨烯膜覆设在该等块状金属电极上并形成欧姆接触。本发明采用石墨烯/金属复合电极替代传统条形金属栅电极，可以显著降低金属电极的遮光面积，增加有效的光吸收面积，提高太阳电池的转换效率，同时降低多结太阳电池的成本，加快太阳能发电的应用与发展。
石墨金属复合电极半导体太阳电池及其制备方法

[发明专利]低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法-CN202110593081.0有效
发明人：葛永晖;刘旺平;梅劲;刘春杨;陈张笑雄;王慧 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种低欧姆接触紫外发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。材料为本征AlGaN材料的AlGaN欧姆接触层本身的质量好，且对紫外光线的透过率高，减小对紫外光线的吸收以提高出光率。而使氯气电离的Cl‑作用于AlGaN欧姆接触层的表面，Cl‑与AlGaN欧姆接触层中的Ga存在共价键作用，在欧姆接触层的表面形成氯单分子层，达到使欧姆接触层的表面功函数得到明显降低的效果，从而有利于欧姆接触层与后续的电极金属导电层形成良好的欧姆接触，电极金属与AlGaN欧姆接触层之间的欧姆接触较低，紫外发光二极管所需的工作电压会较低，也可以提高紫外发光二极管的使用寿命
欧姆接触紫外发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种高电光转换率倒装结构深紫外micro-LED及其制备方法-CN202011380972.X有效
发明人：王新强;李铎;孙明;刘权锋;刘上锋;康俊杰;袁冶;张国义 -专利权人：北京大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明刻蚀P型欧姆接触金属，保留下来的P型欧姆接触金属为多个周期性排列的小图形单元构成的二维阵列，形成微栅P型欧姆接触电极，并在微栅P型欧姆接触电极上沉积Al金属，形成反射层覆盖微台面，并且Al金属完全嵌入微栅P型欧姆接触电极的缝隙中，微台面侧壁的倾斜角度在30～90度之间调整；本发明采用微栅P型欧姆接触电极，降低了紫外光在LED结构中的吸收损耗，Al金属增强了紫外光线的在电极处的反射，以使大部分的出射光从倒装结构的背面出射
一种电光转换率倒装结构深紫 micro led 及其制备方法

[发明专利]一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件-CN201610240036.6有效
发明人：周建军;孔月婵;孔岑;郁鑫鑫;张凯;郁元卫 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-04-18 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及的是一种基于微电子工艺，一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法，具体实施步骤包括(1)生长高阻缓冲层/超晶格结构；(2)生长SiO₂；(3)定义欧姆接触区域；(4)制备Ni刻蚀阻挡层；(5)刻蚀SiO、超晶格层；(6)去除Ni刻蚀阻挡层；(7)生长AlGaN/GaN异质结；(8)去除SiO₂；(9)定义欧姆接触区域；(10)蒸发/剥离/低温退火形成欧姆接触。本发明针对现有GaN HEMT欧姆接触金属形貌差、接触电阻率高等缺点，提出在欧姆接触区域引入超晶格结构解决上述问题，具有(1)接触电阻率低；(2)欧姆接触金属表面形貌质量高的优点。
一种基于再生技术降低 gan hemt 器件欧姆接触电阻方法

[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管-CN201911344477.0有效
发明人：吴世熙;金贤儿;金钟奎;蔡钟炫 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： F21S41/141 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管，包括：基板；多个发光单元；欧姆层，欧姆接触第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖发光单元及欧姆层，具有使第一导电型半导体层及欧姆层暴露的开口部；连接部，布置于下部绝缘层，电连接发光单元而形成串联矩阵；第一垫金属层，与布置于串联矩阵的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，与布置于串联矩阵的第一发光单元的欧姆层电连接；上部绝缘层，覆盖连接部、第一垫金属层及第二垫金属层，具有使第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；浮置反射层，布置于下部绝缘层，被上部绝缘层覆盖；第一凸起垫和第二凸起垫，连接于第一垫金属层及第二垫金属层的上表面。
具有发光单元发光二极管

[发明专利]P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管-CN202210393627.2有效
发明人：刘丹 -专利权人：晶通半导体（深圳）有限公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种P型混合欧姆接触的氮化镓晶体管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层，以及设置在缓冲层上含有一个或者多个二维电子气沟道的异质结结构层，异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、N型欧姆接触层；源电极、栅电极分别制备在源极金属结构层、栅极金属结构层，N型欧姆接触层与异质结结构层之间设置有若干相互独立分离的P型半导体层，漏电极制备在P型半导体层与N型欧姆接触层的接触面。本申请通过漏电极的图案化P型半导体区域与N型欧姆接触层之间形成P型混合欧姆接触，在漏点极加入P型半导体区域注入空穴，降低氮化镓晶体管的动态导通电阻。
混合欧姆接触氮化晶体管

[发明专利]具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法-CN202111538504.5有效
发明人：刘胜厚;林科闯;孙希国;请求不公布姓名 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：在离子注入区表面以及各凹槽内沉积形成有欧姆金属，欧姆金属与各凹槽的底部和侧壁相接触。本方案中，通过形成于离子注入区的凹槽，可以使得欧姆金属不仅可以与离子注入区的表面接触，还可以与凹槽的侧壁接触，从而增加了欧姆金属与半导体的接触面积，进而降低欧姆接触电阻率，并且结合离子注入区可以进一步地达到降低欧姆接触电阻率的效果
具有接触电阻率晶体管及其制作方法