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- [发明专利]具有多个发光单元的发光二极管-CN201911343945.2有效
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吴世熙;金贤儿;金钟奎;蔡钟炫
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首尔伟傲世有限公司
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2017-11-02
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2023-07-25
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H01L27/15
- 本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管，包括：基板；多个发光单元；欧姆反射层，欧姆接触第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖发光单元及欧姆反射层；连接部，布置于下部绝缘层，电连接发光单元而形成串联矩阵；第一垫金属层，与布置于串联矩阵的末端的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，与布置于串联矩阵的首端的第一发光单元的欧姆反射层电连接；上部绝缘层，覆盖连接部、第一垫金属层及第二垫金属层，具有使第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；浮置反射层，布置于下部绝缘层，被上部绝缘层覆盖，沿基板的边缘部位布置；第一凸起垫和第二凸起垫，连接于第一垫金属层及第二垫金属层的上表面。
- 具有发光单元发光二极管
- [发明专利]发光二极管-CN201780024878.0有效
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吴世熙;金贤儿;金钟奎;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2017-04-26
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2023-07-21
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H01L27/15
- 根据一实施例的发光二极管包括：第一发光单元及第二发光单元，分别包含n型半导体层、p型半导体层；反射结构体，接触于p型半导体层；第一接触层，欧姆接触于第一发光单元的n型半导体层；第二接触层，欧姆接触于第二发光单元的n型半导体层，并接触于第一发光单元上的反射结构体；n电极焊盘，连接于第一接触层；以及p电极焊盘，连接于第二发光单元上的反射结构体，其中，第一发光单元与第二发光单元相互分离，它们的外侧面相比于内侧面更急剧地倾斜。因此，能够降低正向电压，并且能够提高光输出。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管-CN201911394635.3有效
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金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2018-12-10
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2023-06-02
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H01L33/48
- 提供一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，位于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；第一垫金属层及第二垫金属层。
- 发光二极管
- [发明专利]发光元件-CN201911073468.2有效
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吴世熙;姜珉佑;金钟奎;金贤儿
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首尔伟傲世有限公司
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2019-08-07
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2023-05-02
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H01L27/15
- 本发明公开了一种发光元件。发光元件包括：第一发光单元，配置到基板的第一区域，包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；第二发光单元，配置到基板的第二区域，与第一发光单元相隔，包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；第一导电图案，配置到第一区域，包括与第一导电型半导体层电连接的接触部；以及连接图案，包括与第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部、及与第二发光单元的第一导电型半导体层电连接的接触部；在与第二发光单元面对的第一区域的边缘，第一导电图案的一接触部配置到连接图案与第一发光单元的第二导电型半导体层电连接的接触部之间，第一导电图案的一接触部向外侧开放。
- 发光元件
- [发明专利]发光二极管及具有该发光二极管的显示装置-CN202180050517.X在审
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吴世熙;禹尚沅;林完泰
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首尔伟傲世有限公司
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2021-08-19
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2023-04-11
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H01L33/38
- 公开一种发光二极管及具有该发光二极管的显示装置。该发光二极管包括：基板；发光结构体，布置于所述基板上，分别包括第一导电型半导体层、活性层、第二导电型半导体层；透明电极，欧姆接触于所述第二导电型半导体层上；接触电极，布置于所述第一导电型半导体层上；电流分散器，布置于所述透明电极上；第一绝缘反射层，覆盖所述基板、所述发光结构体、所述透明电极、所述接触电极、电流分散器，并具有使所述接触电极及电流分散器的一部分暴露的开口部，且包括分布式布拉格反射器；第一垫电极及第二垫电极，位于所述第一绝缘反射层上，通过所述开口部分别连接于所述接触电极及电流分散器；以及第二绝缘反射层，布置于所述基板下部，并包括分布式布拉格反射器，其中，所述第二绝缘反射层的反射带比第一绝缘反射层的反射带窄。
- 发光二极管具有显示装置
- [发明专利]发光二极管-CN202211241597.X在审
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金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2018-12-10
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2023-01-17
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H01L33/10
- 提供一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，位于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；第一垫金属层及第二垫金属层。
- 发光二极管
- [发明专利]发光二极管-CN202211241646.X在审
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金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2018-12-10
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2023-01-17
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H01L33/10
- 提供一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，位于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；第一垫金属层及第二垫金属层。
- 发光二极管
- [发明专利]芯片级封装发光二极管-CN201880005632.3有效
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金钟奎;姜珉佑;吴世熙;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2018-12-10
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2022-10-28
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H01L33/48
- 一种芯片级封装发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；导电型氧化物层，布置在台面上；介电层，具有使导电型氧化物层暴露的多个开口部，并具有比第二导电型半导体层及导电型氧化物层低的折射率；金属反射层，通过介电层的开口部与导电型氧化物层连接；下部绝缘层，包括使第一导电型半导体层暴露的第一开口部及使金属反射层暴露的第二开口部；第一垫金属层，通过第一开口部电连接于第一导电型半导体层；第二垫金属层，通过第二开口部与金属反射层电连接；上部绝缘层，覆盖第一垫金属层及第二垫金属层，并具有使第一垫金属层暴露的第一开口部及使第二垫金属层暴露的第二开口部，所述介电层的开口部包括与所述下部绝缘层的第一开口部中的至少一个相邻的宽度较窄且长的条形状的开口部。
- 芯片级封装发光二极管
- [发明专利]高可靠性发光二极管-CN202210050533.5在审
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吴世熙;金贤儿;李俊燮;姜珉佑;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2017-10-11
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2022-04-22
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H01L33/64
- 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
- 可靠性发光二极管
- [发明专利]高可靠性发光二极管-CN202210050788.1在审
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吴世熙;金贤儿;李俊燮;姜珉佑;林亨镇
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首尔伟傲世有限公司
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2017-10-11
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2022-04-22
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H01L33/44
- 提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
- 可靠性发光二极管
- [发明专利]具有多个发光单元的发光二极管-CN201911344477.0有效
-
吴世熙;金贤儿;金钟奎;蔡钟炫
-
首尔伟傲世有限公司
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2017-11-02
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2022-04-05
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F21S41/141
- 本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管，包括：基板；多个发光单元；欧姆层，欧姆接触第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖发光单元及欧姆层，具有使第一导电型半导体层及欧姆层暴露的开口部；连接部，布置于下部绝缘层，电连接发光单元而形成串联矩阵；第一垫金属层，与布置于串联矩阵的最后一个发光单元的第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，与布置于串联矩阵的第一发光单元的欧姆层电连接；上部绝缘层，覆盖连接部、第一垫金属层及第二垫金属层，具有使第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；浮置反射层，布置于下部绝缘层，被上部绝缘层覆盖；第一凸起垫和第二凸起垫，连接于第一垫金属层及第二垫金属层的上表面。
- 具有发光单元发光二极管
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