“欧姆金属”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1386909个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触的制备方法-CN201711286934.6在审
发明人：刘智崑;李国强;陈丁波;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触的制备方法，在保护气体作用下，采用连续激光对氮化镓高电子迁移率晶体管的金属电极扫描，进行退火，形成欧姆接触；所述金属电极为含铝金属电极；单位面积金属电极的总退火时间小于与常用的氮化镓器件欧姆接触制备方法相比，本发明所获得的欧姆接触的接触电阻小，金属电极的平整度高，而且GaN薄膜材料的方阻不受影响。本发明是一种理想的氮化镓器件欧姆接触制备方法，对于实现高性能、高可靠性的氮化镓高电子迁移率晶体管有重要的意义。
欧姆接触氮化镓高电子迁移率晶体管制备退火氮化镓器件金属电极电极保护气体高可靠性含铝金属接触电阻连续激光面积金属金属电平整度方阻扫描

[发明专利]一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统-CN201010600790.9有效
发明人：任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2010-12-21 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明是一种具有复合金属阻挡层的氮化镓器件多层欧姆接触系统，其特征是铝镓氮(AlGaN)/氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)源电极16和漏电极17所采用的欧姆接触系统为Ti/Al/Ni/Mo优点：它可同时满足高性能AlGaN/GaN HEMT所需的具有小的欧姆接触电阻率、良好的表面平整度和高可靠度。实施例1中在N2等惰性气体保护下通过高温热退火后才能与AlGaN层13形成良好的欧姆接触，实施例2通过在Ti金属层29可以解决Mo金属层28与Au金属层30黏附性较差的问题，从而满足某些场合下对于欧姆接触最上层金属
一种具有复合金属阻挡氮化器件多层欧姆接触系统

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200810190647.X无效
发明人：樽井阳一郎;大塚健一;铃木洋介;盐泽胜臣;金本恭三;大石敏之;德田安纪;大森达夫 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2008-12-26 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供能够降低针对p型氮化物半导体层的欧姆电极的接触电阻，且能够长期稳定地进行工作的半导体装置的制造方法。在电极形成工序中，在p型GaN接触层(7)上依次形成作为第一p型欧姆电极(10)的Pd膜和作为第二p型欧姆电极(11)的Ta膜，在形成以包括Pd膜和Ta膜的金属膜构成的p型欧姆电极时，以在金属膜中含有氧原子的方式形成金属膜这样，在金属膜中存在氧原子的状态下，在热处理工序中，在不含有包含氧原子的气体的气氛下对由金属膜构成的p型欧姆电极进行热处理。
半导体装置制造方法

[发明专利]肖特基二极管-CN201010246093.8有效
发明人：洪崇祐;胡智闵;陈永初;龚正 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2010-08-03 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种肖特基二极管，包括一欧姆层当作阴极，一金属层当作阳极，一漂流通道由半导体材料形成并在欧姆层和金属层间延伸。此漂流通道包括一重掺杂区域邻接欧姆接触层。漂流通道与金属层形成一肖特基势垒。因此，在肖特基二极管的逆向偏压条件下，金属层和欧姆接触层之间的饱和或漏电流程度被减少。
肖特基二极管

[实用新型]长度可调手机天线-CN201821013644.4有效
发明人：贺浪浪;黄河;陈宗来;吴希 -专利权人：深圳市安威无线科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种长度可调手机天线，包括金属天线本体和依序电性连接的若干零欧姆电阻，位于一端的零欧姆电阻接地，金属天线本体的接地端与其中一个零欧姆电阻电性连接；金属天线本体包括第一金属片、第二金属片、第三金属片和第四金属片，第一金属片和第三金属片相对设置，第二金属片的两端分别与第一金属片和第三金属片相对的两侧连接，第四金属片与第三金属片远离第二金属片的侧面连接，接地端设置在第三金属片的下侧部上。本实用新型由于采用了若干零欧姆电阻，在使用的过程中，使金属天线本体的接地端与其中一个零欧姆电阻电性连接，从而改变手机天线的长度，具有使用方便、方便调节手机天线的长度和提高手机天线的接发效果等优点。
金属片零欧姆电阻手机天线金属天线电性连接接地端本实用新型长度可调侧面连接方便调节相对设置接地接发

[实用新型]节约空间的手机天线-CN201821013691.9有效
发明人：贺浪浪;黄河;雷耀波;吴希 -专利权人：深圳市安威无线科技有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本实用新型提供一种节约空间的手机天线，包括金属天线本体和零欧姆电阻，金属天线本体包括第一金属片、第二金属片、第三金属片、第四金属片和第五金属片，第二金属片的两端分别与第一金属片和第三金属片的相对两侧的上部连接，第四金属片的两端分别与第三金属片和第五金属片的相对两侧的下部连接，在第五金属片远离第四金属片的侧部上设置有凸起部，在凸起部上设置有第一定位孔；一信号脚与第一金属片的下侧部连接，零欧姆电阻通过接地脚与信号脚连接，零欧姆电阻接地。本实用新型由于采用了零欧姆电阻，零欧姆电阻通过接地脚与信号脚连接，这样就减小了金属天线本体的体积，节约了手机的空间，具有接发效果好、体积小和使用方便等优点。
金属片零欧姆电阻金属天线信号脚本实用新型节约空间手机天线相对两侧接地脚凸起部接地定位孔体积小减小接发手机节约

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法-CN202111383256.1在审
发明人：苏海东;李峰;方业周;谢建云;姚磊;杨桦;朱晓刚;王成龙;李凯 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：该阵列基板包括：衬底、形成于衬底上的显示区和周边区，显示区包括非晶硅TFT，非晶硅TFT包括：第一半导体区；在第一半导体区上的第一欧姆接触区和第二欧姆接触区，第一欧姆接触区和第二欧姆接触区之间露出的第一半导体区构成第一沟道区；分别形成在第一欧姆接触区和第二欧姆接触区上的第一辅助金属区和第二辅助金属区；覆盖第一辅助金属区、第二辅助金属区和第一沟道区的第一层间介电层，第一层间介电层中形成有过孔；第一源极和第一漏极，通过过孔分别与第一辅助金属区和第二辅助金属区接触，第一层间介电层相对于第一辅助金属区和第二辅助金属区在刻蚀形成过孔时的选择刻蚀比不小于5:1。
一种阵列及其制备方法

[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管-CN201911345515.4在审
发明人：吴世熙;金贤儿;金钟奎;蔡钟炫 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管，包括：基板；多个发光单元；欧姆反射层，欧姆接触于第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖发光单元及欧姆反射层，具有使第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；连接部，布置于下部绝缘层，电连接发光单元而形成串联矩阵；第一垫金属层，与第一导电型半导体层电连接，与连接部为同一材料；第二垫金属层，与欧姆反射层电连接；上部绝缘层，覆盖连接部、垫金属层，具有使垫金属层的上表面暴露的开口部；凸起垫，连接于垫金属层，其中，发光单元包括相互隔开而使基板暴露的单元分离区域，连接部形成为覆盖使所述欧姆反射层暴露的开口部及单元分离区域，不覆盖靠近基板末端的单元分离区域。
具有发光单元发光二极管

[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管-CN201911345709.4在审
发明人：吴世熙;金贤儿;金钟奎;蔡钟炫 -专利权人：首尔伟傲世有限公司
申请日： 2017-11-02 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供一种具有多个发光单元的发光二极管，包括：基板；多个发光单元；欧姆反射层，欧姆接触第二导电型半导体层；下部绝缘层，覆盖发光单元及欧姆反射层，具有使第一导电型半导体层及欧姆反射层暴露的开口部；连接部，布置于下部绝缘层，电连接发光单元而形成串联矩阵；第一垫金属层，与第一导电型半导体层电连接；第二垫金属层，与欧姆反射层电连接；上部绝缘层，覆盖连接部、第一垫金属层及第二垫金属层，具有使第一垫金属层及第二垫金属层的上表面暴露的开口部；第一、第二凸起垫，连接于第一垫金属层及第二垫金属层，其中，第一、第二凸起垫具有第一、第二凸起垫外侧部，连接部相比于第一、第二凸起垫外侧部位于更内侧。
具有发光单元发光二极管

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置-CN201810847611.8有效
发明人：谭莉;李小虎;王听海;姜炜 -专利权人：上海中航光电子有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置，包括：提供一基板；图案化形成第一栅极金属和第二栅极金属；形成栅极绝缘层；图案化有源层和欧姆接触层形成第一有源层和第二有源层、第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；图案化第一透明导电层形成像素电极和保护层；形成第二金属层；图案化第二金属层形成第一源极金属、第一漏极金属、第二源极金属和第二漏极金属；图案化第二欧姆接触层，暴露出第二有源层；图案化第二绝缘层形成第一过孔和第一镂空部压力传感器和开关组件可以同时使用非晶硅工艺制造，压力传感器中保留第一欧姆接触层。
阵列及其制造方法显示面板显示装置

[发明专利]铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触制作方法-CN201410353330.9有效
发明人：孙高峰;任春江;陈堂胜 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明是铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触制作方法，包括，1）在指定区域注入掺杂离子，并且在高温下退火激活这些离子；采用光刻的方法定义注入区域的图形，淀积金属掩膜并剥离，将需要注入的地方暴露出来；注入时采用金属作为掩膜定义注入区域，注入离子采用Si离子；2）将注入区部分地方的AlGaN势垒层刻蚀掉，然后在AlGaN被刻蚀掉的地方淀积金属直接与GaN层接触。优点：可具有很低的欧姆接触电阻率，金属电极具有良好的表面平整度和可靠性；无需采用含Al的多层金属体系来实现AlGaN/GaN HEMT的欧姆接触，避免Al金属由于化学性质活泼，后续工艺引起对欧姆接触的破坏作用，提升欧姆接触可靠性。
铝镓氮氮化电子迁移率晶体管欧姆接触制作方法

[发明专利]发光二极体晶片-CN201611234809.6有效
发明人：吴俊德;罗玉云 -专利权人：英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极体晶片，包括P型半导体层、发光层、N型半导体层及第一金属电极。发光层配置于P型半导体层与N型半导体层之间。N型半导体层包括第一N型半导体子层、第二N型半导体子层及欧姆接触层，其中欧姆接触层配置于第一N型半导体子层与第二N型半导体子层之间。第一金属电极配置于第一N型半导体子层上，第一N型半导体子层的位于第一金属电极与欧姆接触层之间的区域中含有从第一金属电极扩散而来的金属原子，以使第一金属电极与欧姆接触层形成欧姆接触。
发光二极体晶片

[发明专利]紫外LED高反电极及其制备方法与应用-CN202110301894.8有效
发明人：徐厚强;蒋洁安;郭炜;叶继春 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2021-03-22 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明通过采用功函数大于等于4.6eV的金属作为欧姆接触层，同时将金属欧姆接触层图形化，并将图形化率控制在5％～40％内，保证了电极的光学性能，且不会影响金属铝反射层与LED芯片层的欧姆接触。本发明提供的方案平衡了紫外LED高反电极对电学性能和光学性能的需求，避免现有技术中为改善光学性能需要将金属欧姆接触层做得尽可能薄带来的低良品率、较差的可控性以及器件开启电压的升高，同时在光学性能上较现有技术有明显的提升此外，由于欧姆接触层仅部分覆盖高功函金属，较全覆盖的现有方案减少了高功函金属的用量，减少了生产成本。
紫外 led 电极及其制备方法应用

[实用新型]光传感器-CN201320777356.7有效
发明人：吴瑞钦;孙国昇 -专利权人：凌巨科技股份有限公司
申请日： 2013-12-02 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：开关元件及光电元件设于基板之上，开关元件包含第一金属层、一绝缘层、一欧姆接触层及一第二金属层。光电元件包含第二金属层、一二极管层及一电极层。绝缘层堆栈于第一金属层之上，欧姆接触层堆栈于绝缘层之上，第二金属层堆栈于欧姆接触层之上。二极管层堆栈于第二金属层之上，电极层堆栈于二极管层之上。其中，第二金属层包含复数子金属层，该些子金属层间以阶梯堆栈的方式形成于欧姆接触层之上。
传感器

[发明专利]一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法-CN200910226314.2有效
发明人：储开慧;许金通;包西昌;李向阳;戴江;陈长清 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法，AlN材料结构包括：一衬底；一AIN缓冲层；一本征型AlN层。通过先在本征型AlN上生长欧姆接触电极结构：钒金属层/铝金属层/钒金属层/金金属层，厚度依次为15～25μm/50～100μm/15～25μm/50～100μm；然后进行In离子注入，注入剂量大于1×1014cm-2，能量大于150keV；并进行高温退火激活工艺，制备出AlN材料上的欧姆接触。AlN欧姆接触的实现，有助于解决日盲型材料的欧姆接触问题，提高日盲器件的性能；并解决了制备高性能真空紫外响应器件的瓶颈。
一种氮化晶体欧姆接触电极结构制备方法