专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种园林坡道雨水收集装置-CN202223098710.1有效
  • 陈文佳;刘建波;张建磊;高文海;潘赛 - 郑州鑫鑫园林绿化工程有限公司
  • 2022-11-22 - 2023-04-25 - E03B3/02
  • 本实用新型公开了一种园林坡道雨水收集装置,涉及雨水收集装置技术领域,具体为一种园林坡道雨水收集装置,包括第一双弧面长杆,第二支撑筒的内部螺纹连接有第三支撑柱。该园林坡道雨水收集装置,通过限位长杆的设置,使该园林坡道雨水收集装置具备了防止第二支撑柱分别沿着第二弧面方板和第一支撑筒转动的效果,通过第一支撑柱、限位方杆、第二支撑柱和第三支撑柱的配合设置,达到了方便安装的目的,通过长板形滤网的设置,使该园林坡道雨水收集装置具备了防止异物进入到柱形收集箱内的效果,通过支撑环、第二支撑盘、第一限位柱和第一弹簧的配合设置,在使用的过程中可以使柱形收集箱转动,达到了方便收集雨水的目的。
  • 一种园林坡道雨水收集装置
  • [发明专利]具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法-CN202110521392.6有效
  • 周玉刚;郭焱;金楠;梁志斌;潘赛;许朝军;张荣 - 南京大学
  • 2021-05-12 - 2022-07-29 - H01L33/40
  • 本发明公开了一种具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片及制法。所述倒装LED芯片,其特征在于包括:外延结构层和p电极、n电极,所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层,所述p电极设置在p型层上,所述n电极设置在所述n型层上;所述p电极和n电极均包括高反射欧姆接触结构,所述高反射欧姆接触结构包括叠设的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层设置在所述p型层和n型层上,并与所述p型层和n型层形成欧姆接触,其中,所述第一金属层包含金属Ag和金属Mg。本发明实施例提供的倒装LED芯片具有出光效率高、散热性好、稳定性高等优点,且制备工艺简单,成本低廉,更适于工业化生产。
  • 具有材质反射欧姆接触倒装led芯片制法
  • [发明专利]增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法-CN202210255429.X在审
  • 周玉刚;潘赛;许朝军;谢自力;刘斌;张荣 - 南京大学
  • 2022-03-15 - 2022-06-07 - H01L33/40
  • 本发明公开了一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法。所述倒装深紫外LED芯片包括外延层、第一接触层、第二接触层和第一金属反射电极,所述外延层包括依次叠层设置的n型半导体层、有源层、第一p型半导体层和第二p型半导体层,所述第一p型半导体层的表面部分区域被所述第二p型半导体层覆盖,所述第二接触层与所述第二p型半导体层电性接触,所述第一接触层与所述n型半导体层电性接触;所述第一金属反射电极覆设在所述第一p型半导体层、第二p型半导体层和第二接触层上。本发明在第一p型半导体层和第二p型半导体上覆盖高反射的第一金属反射电极来增加p侧反射出光,且使该倒装深紫外LED芯片具有高的出光效率。
  • 增加射出倒装深紫led芯片及其制作方法
  • [发明专利]包含高反射n-GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法-CN202110275172.X有效
  • 周玉刚;郭焱;许朝军;潘赛;张荣 - 南京大学
  • 2021-03-15 - 2022-03-25 - H01L33/40
  • 本发明公开了一种包含高反射n‑GaN欧姆接触的倒装LED芯片及其制作方法。所述倒装LED芯片包括外延结构层和p电极、n电极,所述外延结构层包括依次叠层设置的n型层、量子阱层和p型层,所述p电极设置在p型层上,所述n电极设置在所述n型层上;所述n电极包括高反射n‑GaN欧姆接触结构,所述高反射n‑GaN欧姆接触结构包括叠层设置的第一金属层和第二金属层,所述第一金属层设置在所述n型层上并与所述n型层形成欧姆接触,其中,所述第一金属层包含金属Mg。所述倒装LED芯片通过采用倒装结构,可有效降低本发明具有同材质高反射p、n欧姆接触的倒装LED芯片的热阻及其工作时的结温,以及,提高器件的光效。
  • 包含反射gan欧姆接触倒装led芯片及其制作方法
  • [发明专利]基坑工程施工工况记录方法-CN201711097120.8有效
  • 黄永进;杨石飞;蔡国栋;许杰;彭艾鑫;尚颖霞;毛维辰;潘华;潘赛 - 上海勘察设计研究院(集团)有限公司
  • 2017-11-09 - 2021-03-09 - G06F16/29
  • 本发明提供一种基坑工程施工工况记录方法,包括步骤:构建一基坑工程施工工况记录系统;所述基坑工程施工工况记录系统包括一服务器端、一数据库端和至少一移动端;绘制至少一基坑的GIS底图存储于移动端;在所述移动端选择一所述GIS底图作为目标GIS底图;对所述目标GIS底图进行编辑获得一工况GIS底图和/或通过所述信息输入模块输入工况信息;将所述工况GIS底图和/或所述工况信息上传至所述服务器端,并通过所述服务器端传输至所述数据库端存储。本发明的一种基坑工程施工工况记录方法,对常见基坑工程的施工流程进行标准化,让现场巡视人员可以便捷地对基坑工程工况进行精准描述,可提高施工工况信息在后期数据分析中的利用效率。
  • 基坑工程施工工况记录方法
  • [发明专利]一种超疏水减阻涂层的制备方法-CN201610929286.0有效
  • 熊党生;潘赛;王楠 - 南京理工大学
  • 2016-10-31 - 2020-04-07 - B05D5/08
  • 本发明公开了一种超疏水减阻涂层的制备方法,可用于金属、陶瓷、塑料等表面。所述方法先对基底表面进行沟槽处理,并将聚甲基丙烯酸甲酯和疏水二氧化硅混合喷涂在基底上,疏水二氧化硅颗粒镶嵌于聚甲基丙烯酸甲酯中,聚甲基丙烯酸甲酯的分子链将疏水二氧化硅与基底表面牢固结合在一起,并增加疏水二氧化硅颗粒之间的结合力,提高了涂层的耐磨性和结合力,并形成了微纳米粗糙结构。本发明方法简单,可用于各种形状复杂、大表面物体,能够快速形成涂层,并易于工业化生产,适应于低温、潮湿、腐蚀环境,在军事、航海、管道运输、建筑等领域具有广泛的应用前景。
  • 一种疏水涂层制备方法
  • [实用新型]一种具有保暖功能的耳机-CN201721124681.8有效
  • 刘子涵;李路;潘赛;普利明;蒋叶 - 刘子涵;李路;潘赛;普利明;蒋叶
  • 2017-09-04 - 2018-05-22 - H04R1/10
  • 本实用新型公开了一种具有保暖功能的耳机,包括保暖罩和耳夹,所述保暖罩外侧壁固定连接有橡胶层,所述橡胶层表面活动连接有调节旋钮,所述保暖罩内部固定连接有扬声器,所述保暖罩底部固定连接有耳机插口,所述耳机插口一侧固定设有话筒,所述保暖罩内部固定设有羽绒棉,所述保暖罩内圈边缘固定连接有橡皮筋,所述橡皮筋一侧固定设有耳夹,所述羽绒棉内部设有电热丝,所述电热丝两侧固定连接有尼龙感热层。本实用新型设计新颖,结构简单,具有一定的自主放热性能,且质量轻,保温性良好,比较美观,同时具有一定的防水作用。
  • 一种具有保暖功能耳机
  • [发明专利]生物膜蛋白质的提取方法和电泳样品的制备方法-CN201510083007.9有效
  • 邢美燕;徐婷;王寅;卞方杰;潘赛;孙文;杨健;吴敏;王亚宜 - 同济大学
  • 2015-02-16 - 2018-04-13 - G01N1/28
  • 本发明提供了一种生物膜蛋白质的提取方法和电泳样品的制备方法,提取方法包括以下步骤对生物膜样品进行预处理以得到沉淀物;将该沉淀物与裂解液和苯甲基磺酰氟溶液混合,在冰浴条件下超声裂解,得到样品裂解液;震荡并离心样品裂解液,取上清液并采用TCA‑丙酮沉淀法对其进行处理,得到蛋白质样品;制备方法包括以下步骤使用溶解液溶解蛋白质样品,依次进行超声、涡旋振荡和离心,取上清液得到电泳样品;本发明的方法采用了含有多种去垢剂的裂解液并结合冰浴超声对微生物细胞进行破壁,同时采用TCA‑丙酮沉淀法提纯蛋白质,不仅能有效地提取生物膜样品中的全蛋白,还能降低腐殖质对蛋白质的掩蔽作用,使电泳的分析结果清晰。
  • 生物膜蛋白质提取方法电泳样品制备

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