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[实用新型]一种沟槽阵列晶体管结构-CN202021130563.X有效
发明人：王以凯 -专利权人：无锡芯硅科技有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沟槽阵列晶体管结构，包括晶体管主体、引脚和支撑组件，所述引脚阵列安装在晶体管主体上下表面，两个所述支撑组件相对安装在晶体管主体两侧，所述支撑组件包括卡板、支撑块和压紧螺杆，“U”型的所述卡板套设在晶体管主体侧面，且内表面固定有与晶体管主体表面接触的填充层，所述支撑块固定在卡板后表面，且可与安装面接触，所述压紧螺杆垂直安装在卡板前表面，且可对晶体管主体表面挤压接触，所述晶体管主体与安装面留有距离；本实用新型通过设置有支撑组件，既不影响晶体管结构的安装和使用，又可对晶体管主体起到支撑防护作用，让晶体管主体与安装面之间留有距离，提高晶体管散热效率，又避免表面造成磨损。
一种沟槽阵列晶体管结构

[发明专利]CMOS器件应力膜的形成方法和CMOS器件-CN200610119151.4无效
发明人：宁先捷 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-05 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种形成CMOS器件应力膜的方法，所述CMOS器件包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述方法包括下列步骤：在所述NMOS晶体管和PMOS晶体管表面沉积应力膜；在所述应力膜表面涂布光致抗蚀剂层；图案化所述光致抗蚀剂层使所述光致抗蚀剂层覆盖所述PMOS晶体管表面的应力膜并露出所述NMOS晶体管表面的应力膜；紫外线照射所述NMOS晶体管表面的应力膜；移除所述光致抗蚀剂层。本发明能够在NMOS晶体管和PMOS晶体管表面形成连续的应力膜，而且简化了工艺。
cmos 器件应力形成方法

[发明专利]一种SRAM器件及其制作方法-CN202310957862.2在审
发明人：陈兴 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-07-28 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：该SRAM器件包括负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管，首先提供一衬底，接着基于衬底定义负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的有源区并形成浅槽隔离，再基于负载晶体管的有源区表面进行氧离子注入，以减小负载晶体管的顶角圆滑程度，并增加负载晶体管的有源区上方的氧化层厚度，之后对负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的有源区进行沟道掺杂，接着对负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的表面进行处理，并露出有源区，最后基于负载晶体管、传输晶体管以及驱动晶体管的有源区制作栅电极
一种 sram 器件及其制作方法

[发明专利]晶体管器件及其制造方法-CN202210113386.1在审
发明人： R·西门尼克;I·穆里;T·施洛瑟;H-J·舒尔茨;O·斯托贝克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-01-30 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了晶体管器件及其制造方法。提出了一种晶体管器件(10)。晶体管器件(10)的示例包括半导体本体(100)，其具有第一主表面(101)、与第一主表面(101)相对的第二主表面(102)。晶体管器件(10)进一步包括晶体管单元阵列(610)，其包括多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)包括在第一主表面(101)上的第一负载电极(L1)。第一负载电极(L1)被电连接到多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)进一步包括在第二主表面(102)上的第二负载电极(L2)。第二负载电极(L2)被电连接到多个晶体管单元(TC)。多个晶体管单元(TC)包括至少一个控制电极(C)，该至少一个控制电极(C)包括碳。
晶体管器件及其制造方法

[实用新型]一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管-CN201820354347.X有效
发明人：张翅 -专利权人：厦门芯光润泽科技有限公司
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体表面靠近一端设置有晶体管固定孔，所述晶体管主体的一侧设置有多功能开槽，所述晶体管固定孔的另一端位于晶体管主体的表面设置有基极凹槽，所述基极凹槽的一侧设置有集电极凹槽，所述基极凹槽的另一侧设置有发射极凹槽，将晶体管电机设置为可转动的连接模式，在安装和运输时可将电极放置在设置的凹槽内，在晶体管安装时再将电极拨出，可以防止电极因颠簸或者压碰导致的变形断裂，在晶体管的侧面设置有多个半圆形凹槽，通过凹槽可对晶体管进行固定，在使用晶体管时也可以通过增大表面提高晶体管散热效果，提高晶体管使用性能。
晶体管晶体管主体电极场效应晶体管碳化硅半导体低能耗型固定孔半圆形凹槽本实用新型表面设置侧面设置连接模式散热效果使用性能一端设置发射极集电极可转动拨出开槽变形颠簸电机断裂运输

[发明专利]双自行对准硅化物制造方法-CN02148260.8有效
发明人：钟维民 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-10-28 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：一种双自行对准硅化物制造方法，其包括在基底上形成掩模层，而基底上已形成有第一晶体管与第二晶体管，且第一晶体管的栅极的上表面略高于第二晶体管的栅极的上表面。接着图案化掩模层以暴露出第二晶体管的栅极、源极与漏极，再分别于第二晶体管的栅极、源极与漏极之上以自行对准硅化物制造方法来形成第一金属硅化物。然后在基底上形成介电层，且使其上表面高于第一晶体管的栅极的上表面。去除高于第二晶体管栅极上表面的介电层，以暴露出第一与第二晶体管的栅极上表面。再以自行对准硅化物制造方法于第一晶体管的栅极上表面形成第二金属硅化物。
自行对准硅化物制造方法

[发明专利]薄膜晶体管装置制备方法和薄膜晶体管装置-CN201610867849.8在审
发明人：张婷婷 -专利权人：昆山国显光电有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种薄膜晶体管装置制备方法和薄膜晶体管装置，解决了现有技术中因驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的制程相同而导致的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅大小相等的问题。其中的薄膜晶体管装置制备方法可包括在基板上制备至少两个薄膜晶体管半成品，其中所述薄膜晶体管半成品包括有源层、栅极绝缘层和栅极，所述至少两个薄膜晶体管半成品包括至少一个起驱动作用的薄膜晶体管半成品和至少一个起开关作用的薄膜晶体管半成品；在所述至少两个薄膜晶体管半成品表面制备层间介质层；减薄所述起驱动作用的薄膜晶体管半成品表面的层间介质层；以及在每个所述薄膜晶体管半成品表面制备源极和漏极。
薄膜晶体管装置制备方法

[发明专利]CMOS图像传感器及其制作方法-CN201210209083.6无效
发明人：刘格致;肖海波 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器的结构及其制作方法，所述结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有光敏二极管、转移晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和选通晶体管，所述光敏二极管、转移晶体管、复位晶体管、源跟随晶体管和选通晶体管相互电连接；氧化层，覆盖所述光敏二极管和转移晶体管的表面；张应力层，覆盖所述氧化层的表面，所述张应力层用于在所述转移晶体管的沟道内产生张应力。
cmos 图像传感器及其制作方法

[实用新型]一种联栅型晶体管的双基岛封装形式结构-CN201821890086.X有效
发明人：仇亮;窦安义 -专利权人：广东仁懋电子有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种联栅型晶体管的双基岛封装形式结构，包括晶体管壳体，晶体管壳体由晶体管塑封基板和晶体管塑封盖板组成，晶体管塑封基板与晶体管塑封盖板之间的上端设置有散热片，散热片两侧表面下端均固定设置有一体结构的插片，限位片相对于基岛一侧表面均匀固定焊接有多组隔断片，晶体管塑封基板两内侧壁的两端均开设有半圆沉槽，晶体管塑封盖板内侧表面相对于半圆沉槽位置均固定安装有半圆限位柱，晶体管塑封盖板通过半圆限位柱插设在晶体管塑封基板的半圆沉槽中，保证了晶体管塑封盖板与晶体管塑封基板拼接封装的整齐度和准确度，通过改变传统晶体管上的散热片结构，能够提高芯片的散热效率，延长芯片的使用寿命。
晶体管塑封半圆盖板基板沉槽封装形式限位柱壳体栅型芯片本实用新型传统晶体管散热片结构散热片两侧固定设置基板拼接均匀固定内侧表面散热效率使用寿命一体结构隔断片内侧壁散热片限位片整齐度准确度上端插片基岛下端封装焊接保证

[发明专利]氮化镓基晶体管以及氮化镓基晶体管的钝化方法-CN202310619783.0在审
发明人：孙海定;张昊宸 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2023-05-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本公开提供一种氮化镓基晶体管以及氮化镓基晶体管的钝化方法，氮化镓基晶体管的钝化方法包括：使用旋涂工艺将稀释的非晶氟树脂旋涂在氮化镓基晶体管的表面，以在氮化镓基晶体管的表面形成钝化层；以及通过在依次升高的阶梯温度下在依次递增的时间内，对形成钝化层的氮化镓基晶体管进行烘烤，使非晶氟树脂固定于氮化镓基晶体管的表面。
氮化晶体管以及钝化方法

[实用新型]一种HEMT晶体管-CN202020814263.7有效
发明人：胡绍朋 -专利权人：深圳市高鹏诺科技有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种HEMT晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的外侧靠近边缘处安装有传递引脚，所述晶体管主体的下端安装有晶体管基座，所述晶体管基座的上端外表面开设有方形凹槽，所述晶体管主体的两端靠近底面的位置延伸有延长板，且晶体管主体与延长板均位于方形凹槽的内部，所述晶体管基座的上端外表面的方形凹槽的一侧开设有圆形槽，所述圆形槽的内部安装有滚针轴承，所述滚针轴承的内部安装有连接圆柱，所述连接圆柱的顶部连接有定固板，且定固板贴合于延长板的上端外表面本实用新型所述的一种HEMT晶体管，使晶体管主体能够被固定在方形凹槽中即将晶体管主体固定在晶体管基座上完成安装，操作比较方便，且固定牢固。
一种 hemt 晶体管

[实用新型]一种新型结集成电阻的改进型联栅晶体管-CN201821896231.5有效
发明人：仇亮;窦安义 -专利权人：广东仁懋电子有限公司
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型结集成电阻的改进型联栅晶体管，包括晶体管本体，晶体管本体下端伸出有极杆，晶体管本体前后侧表面均固定安装有外罩壳体，外罩壳体外表面均开设有容纳腔，容纳腔内设有滑板，滑板两侧表面均设置有一体结构的限位板，将晶体管本体前后侧的滑板推出，使滑板下端与电路板表面接触，滑板能够将晶体管本体支撑定型，防止晶体管本体发生倾倒，能够有效避免晶体管本体在外力情况下方发生倾倒，而导致极杆发生断裂的情况。
晶体管本体滑板联栅晶体管外罩壳体改进型容纳腔电阻极杆下端倾倒本实用新型电路板表面一体结构侧表面断裂的限位板定型伸出支撑

[实用新型]晶体管刷散热膏辅助工装-CN201720925669.0有效
发明人：刘国仟;李光显;吴壬华 -专利权人：深圳欣锐科技股份有限公司
申请日： 2017-07-27 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公布了一种晶体管刷散热膏辅助工装，所述晶体管刷散热膏辅助工装包括底座、第一晶体管载盘、钢网板及刮刀，所述钢网板与所述底座转动连接，所述第一晶体管载盘位于所述底座与所述钢网板之间，所述第一晶体管载盘用于盛放晶体管，所述刮刀位于所述钢网板背离所述第一晶体管载盘的一侧，压合所述钢网板与所述底座后，所述刮刀透过所述钢网板涂覆散热膏于所述晶体管上。刮刀将散热胶涂覆于第一晶体管载盘上的晶体管表面，并且涂覆过程中散热胶需要透过钢网板的钢网缝隙后渗入到晶体管表面，通过使用不同厚度的钢网板可以控制涂覆于晶体管表面的散热胶的厚度，并且保证散热胶均匀的涂敷在晶体管上
晶体管散热辅助工装

[发明专利]散热集成半导体晶体管及其制备方法-CN202010163797.2有效
发明人：刘杰;谷昊周;程知群;刘艳;董志华;严丽平;周涛;刘国华;李世琦 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种散热集成半导体晶体管及其制备方法，该方法包括步骤：在半导体衬底的正面沉积电极层，形成半导体晶体管；对半导体晶体管的表面进行预处理，以增加半导体晶体管表面的形核密度；在半导体晶体管的表面沉积纳米级金刚石层；在纳米级金刚石层的表面沉积微米级金刚石层，形成散热集成半导体晶体管。通过本发明方案，可以有效提升半导体晶体管的散热效率，通过实验表明，相同尺寸下，使用金刚石集成设计的半导体晶体管将拥有更大的功率密度。
散热集成半导体晶体管及其制备方法

[实用新型]一种散热效果好的异质结双极晶体管的半导体组件-CN202122570132.6有效
发明人：林宏达;张德强;王丹 -专利权人：成都中浦科技有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种散热效果好的异质结双极晶体管的半导体组件，包括散热外壳、底座、晶体管以及散热块，所述散热外壳底部设置有底座，所述底座表面设置有基板，所述基板表面设置有晶体管，所述晶体管上表面设置有导热块，所述导热块表面设置有散热块，所述散热块外表面设置有防护壳，且防护壳设置在散热外壳顶部，所述散热块顶部设置有第一散热板，所述第一散热板与防护壳顶部相连接。该异质结双极晶体管的半导体组件，通过将晶体管设置在外壳内部，以及晶体管顶部设置有导热块和散热块，利用散热块顶部的散热板，把散热效果发挥到最佳，最大程度上减缓了晶体管自身的热量，使晶体管能够长时间进行使用，增加晶体管的使用寿命。
一种散热效果异质结双极晶体管半导体组件

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