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- [发明专利]晶片的加工方法-CN201510408612.9有效
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服部笃;植木笃
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株式会社迪思科
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2015-07-13
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2020-01-31
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H01L21/687
- 晶片的加工方法具有：改质层形成步骤，在晶片(11)上形成改质层(25)；晶片单元准备步骤，准备借助于扩展带(21)利用框架(23)支承晶片的晶片单元(1)；扩张步骤，以将载置有晶片的卡盘工作台(14)相对于框架保持构件(32)顶起的方式扩张扩展带，以改质层为起点将晶片分割成芯片(27a、27b)并扩张芯片的间隔；顶起解除步骤，维持芯片的间隔并解除顶起状态；去除松弛的松弛去除步骤，在改质层形成步骤中，借助规定的分割预定线(17)以除了外周剩余区域(15)以外的方式形成改质层。
- 晶片加工方法
- [发明专利]表面改质的石墨烯-CN201110214959.1有效
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吴以舜;谢承佑;彭晟书;陈静茹;林君孟;林庚蔚
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安炬科技股份有限公司
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2011-07-29
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2013-01-30
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C08K9/10
- 本发明提供一种表面改质的石墨烯，包含一石墨烯粉体；以及至少一表面改质层，该至少一表面改质层包括一表面改质剂，包括至少二官能基，分别位于该表面改质剂的二端，该至少二官能基的一官能基与该石墨烯粉体表面的有机官能基产生化学键结，该至少二官能基的另一官能基形成该表面改质的石墨烯的表面特性，其中该表面改质剂包含偶合剂、脂肪酸及树脂的至少其中之一。因此，本发明的表面改质的石墨烯粉体，可提高石墨烯粉体于溶剂中的分散性，也可提高石墨烯粉体与有机高分子之间的亲和性，并且可使这种复合材料变得更加结实，使其具更广泛的应用性。
- 表面石墨
- [发明专利]晶片的生成方法-CN201510853456.7有效
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平田和也;高桥邦充;西野曜子
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株式会社迪思科
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2015-11-30
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2019-08-16
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B23K26/53
- 具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对移动对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；晶片剥离步骤，从分离起点将相当于晶片厚度的板状物从锭剥离而生成晶片，分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，c轴相对于正面的垂线倾斜偏离角，使激光束聚光点沿着与在正面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对移动而形成改质层；转位步骤，在形成偏离角的方向上使聚光点相对移动而转位规定量，根据改质层和裂痕大小将转位量设定为如下的间隔：使形成在相邻改质层周围的裂痕彼此重合规定量。
- 晶片生成方法
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