“改质层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果2711914个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]晶片的加工方法-CN202110170685.4在审
发明人：中村胜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-02-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，包含如下的工序：保护部件配设工序，在晶片的正面上配设保护部件；改质层形成工序，按照将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于外周剩余区域的内部的方式对晶片照射激光束而形成环状的改质层；分离工序，以环状的改质层为起点对晶片进行分割而将外周剩余区域的一部分或全部从晶片分离；以及磨削工序，对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化，在改质层形成工序中，改质层形成为直径从晶片的正面朝向背面变小的圆锥台状
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202110463296.0在审
发明人：中村胜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：该晶片的加工方法包含：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而沿着分割预定线进行照射，在晶片的内部形成改质层；水溶性树脂包覆工序，在该改质层形成工序之前或之后，在晶片的正面上包覆水溶性树脂；分割工序，将划片带扩展而将晶片与所包覆的水溶性树脂一起分割成各个器件芯片；以及改质层去除工序，在将划片带扩展并且各个器件芯片的正面被水溶性树脂包覆的状态下实施等离子蚀刻，将残留于器件芯片的侧面的改质层去除。
晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN202110404069.0在审
发明人：中村胜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：该方法包含：改质层形成工序，从晶片(2)的背面(2b)侧将对于晶片具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于晶片的与外周剩余区域(10)对应的内部而照射激光光线，在未达到完工厚度的位置形成环状的改质层(24)；保护部件配设工序，在晶片的正面(2a)上配设保护部件(14)；改质层去除工序，将切削刀具(34)从晶片的背面定位于与改质层对应的区域而进行切削，去除改质层并使解理面(38)到达晶片的正面；环去除工序
晶片加工方法

[发明专利]晶片的分割方法和分割装置-CN202210020043.0在审
发明人：古田健次 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的分割方法和分割装置，即使在将晶片朝下保持而进行分割的情况下，也能够确认是否在晶片中适当地形成有改质层。晶片的分割方法包含如下的工序：改质层形成工序，将对于晶片具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于分割预定线的内部而进行照射，形成成为分割起点的改质层；框架配设工序，利用划片带将环状框架与晶片粘贴成一体；分割工序，使晶片朝下而将划片带扩展，沿着形成于分割预定线的改质层将晶片分割成各个器件芯片；以及判断工序，在实施该分割工序时，利用配设于晶片的正下方所设置的集尘路径上的微粒计数器对分割晶片时飞散的微粒进行计数，根据微粒的数量来判断改质层是否适当地形成。
晶片分割方法装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201810051242.1有效
发明人：藤田努;友野章;大野天颂 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：第1改质层设置于处在第1面外缘与第2面外缘之间的半导体衬底的侧面。第2改质层设置于能量吸收膜与第1改质层之间的侧面。劈开面设置于第1改质层与第2改质层之间的侧面。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]建筑物地基防水工法-CN202010723096.X在审
发明人：蔡朝嘉 -专利权人：庆泰树脂化学股份有限公司
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： E02D31/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种建筑物地基防水工法，施作于建筑物地基埋设妥当后，灌注水泥之前，包括：于建筑物地基四周搭建临时墙，于临时墙表面及地基表面，涂布一道界面改质底漆层；于界面改质底漆层表面以防水材料施作涂布形成一道防水层，于防水层表面涂布一道界面改质漆层；完成上述各层的构成后，即可于所述界面改质漆层表面进行灌注水泥；具体实现涂布式一体成型防水工法，解决建物间距过小无法施工的困难，大幅度缩短施工工期。
建筑物地基水工

[实用新型]非接触式加工装置-CN202221125528.8有效
发明人：寇崇善;叶文勇 -专利权人：日扬科技股份有限公司;明远精密科技股份有限公司
申请日： 2022-05-11 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B23K26/06 文献下载
摘要：本实用新型之非接触式加工装置系以一电磁辐射源提供能量予上述之固体结构，借以使得固体结构产生质变或缺陷，亦即形成改质层。本实用新型再以一分离能量源非接触式施加一分离能量于具有改质层之固体结构上，借由改质层之应力、结构强度、晶格型态或硬度不同于其他非加工区，可快速地从改质层处分离或薄化固体结构。
接触加工装置

[实用新型]材料改质系统-CN202023009281.7有效
发明人：陈赞仁;郭中一;许巍耀;郑晨泰;刘浩铨 -专利权人：东捷科技股份有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本实用新型的材料改质系统包括脉冲产生装置及视觉对准装置。脉冲产生装置包括物镜，且用以通过物镜投射激光，以对物件的改质层进行改质作业。激光检测范围在视觉范围内，对焦单元在激光检测范围内检测物件的改质层的缺陷范围的对焦信息，对焦信息包括聚焦距离。聚焦距离是物镜被推动的距离，以让激光聚焦在改质层。
材料系统

[发明专利]叠层多孔质膜及其制造方法-CN201480065581.5有效
发明人：水野直树;又野孝一 -专利权人：东丽株式会社
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： B32B5/32 文献下载
摘要：本发明提供一种叠层多孔质膜，用作聚烯烃多孔质膜与改质多孔层的剥离强度极高，并且适合高速加工的叠层多孔质膜及电池用隔膜。一种叠层多孔质膜，其特征在于，由聚烯烃构成的凸起满足5μm≤W≤50μm(W为凸起的大小)以及0.5μm≤H(H为凸起的高度)，以3个/cm2以上、200个/cm2以下的密度不规则地散布在两个面中的每一个面上，并且在膜厚25μm以下的聚烯烃多孔质膜的一个面上叠层改质多孔层A，在相反面上叠层改质多孔层B，至少改质多孔层A含有拉伸强度5N/mm2以上的粘合剂和无机粒子。
多孔质膜及其制造方法

[发明专利]显示装置的制造方法-CN202111337348.6在审
发明人：柯聪盈;谢坤龙;陈芙蓉 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-11-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开一种显示装置的制造方法，包括：形成第一导电层于基板的遮蔽区；形成改质层于第一导电层上，且改质层的厚度不大于第一导电层的厚度；形成第二导电层于改质层上，且第二导电层的厚度不小于第一导电层的厚度；形成缓冲层于第二导电层及基板的非遮蔽区上；形成像素层于缓冲层上，像素层包括多个子像素；形成覆盖层于像素层上；将第二导电层的部分与改质层分离，以取得显示单元，其中，显示单元包括覆盖层的部分、像素层、缓冲层的部分及第二导电层的部分；移除显示单元上的第二导电层的部分；以及形成载板于显示单元的缓冲层的部分上。
显示装置制造方法

[发明专利]一种导热聚酰胺封装材料的研究及制备方法-CN201711402253.1在审
发明人：马其祥;苟曲廷;刘克增 -专利权人：山东凯恩新材料科技有限公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C08L77/00 文献下载
摘要：本发明是一种导热聚酰胺封装材料，包括聚酰胺树脂、导电碳黑、奈米石墨烯片及润滑分散剂，其中奈米石墨烯片具有表面改质层，由包含偶合剂的表面改质剂形成，并由表面改质层的亲水性及亲油性官能基使奈米石墨烯片与导电碳黑及聚酰胺树脂之间产生化学键结由于表面改质层可使奈米石墨烯片均匀分散于聚酰胺树脂中，进而强化界面结合强度，提升整体复合材料基材的机械特性、抗氧化、耐酸碱、导电性及导热性等。
石墨烯片表面改质层聚酰胺树脂导热导电碳黑封装材料聚酰胺导热性亲油性官能基整体复合材料导电性表面改质剂润滑分散剂化学键结界面结合抗氧化耐酸碱偶合剂亲水性基材制备研究

[发明专利]涂布荧光粉的方法及发光二极管封装-CN201110273252.8有效
发明人：冯玟菲;夏德玲;傅思维 -专利权人：隆达电子股份有限公司
申请日： 2011-09-15 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种涂布荧光粉的方法以及发光二极管封装，此方法包含提供发光二极管，其上具有导电垫以及保护层，保护层设置于导电垫以外的区域，对核心荧光粉进行改质，形成改质的荧光粉，其具有官能基修饰于核心荧光粉上，将改质的荧光粉涂布于发光二极管上，其中改质的荧光粉所具有的官能基吸附于保护层上，而不会吸附于导电垫上，形成发光二极管封装。
荧光粉方法发光二极管封装

[发明专利]一种溶剂油的加氢改质方法-CN200410050734.7有效
发明人：李扬;刘继华;王震;牛世坤;佟德群;徐大海 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2004-10-29 - 公布日： 2006-05-10 - 主分类号： C10G65/12 文献下载
摘要：本发明提供一种溶剂油的加氢改质方法。本发明以含有汽油、煤油、柴油中一种或几种馏分的石油馏分为原料，在氢气存在和适宜条件下与包括含β沸石的加氢改质催化剂接触反应，在含β沸石加氢改质催化剂床层之前和/或之后，可以设置预精制催化剂床层和后精制催化剂床层本发明方法主要用于溶剂油加氢改质过程。
一种溶剂油加氢方法

[发明专利]改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法-CN201380049625.0有效
发明人：宋炫知;朴银秀;林相学;郭泽秀;金古恩;金美英;金补宣;金奉焕;罗隆熙;裵镇希;徐珍雨;尹熙灿;李汉松;田钟大;韩权愚;洪承希;黄丙奎 -专利权人：第一毛织株式会社
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C08G77/38 文献下载
摘要：本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。
氢化聚硅氧氮烷含有用于形成氧化为主绝缘组合制备方法制造

[发明专利]晶片的加工方法-CN201710637451.X有效
发明人：广泽俊一郎 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：从晶片的背面(W2)侧沿着第1间隔道(L1)和第2间隔道(L2)照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束而在晶片的内部形成两层以上的改质层(R)。在形成改质层之后，通过从晶片的背面进行磨削的磨削动作而以改质层为起点将晶片沿着第1间隔道和第2间隔道分割成器件芯片(DC)。在改质层的形成中，将第1间隔道中的晶片正面侧的最下层的改质层按照相邻的每个器件在该第1间隔道内在与第1间隔道垂直的方向上错开而形成。由此，相邻的器件芯片的角彼此在分割时不会在对角线上摩擦。
晶片加工方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top