专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种矿浆-CN202022819013.5有效
  • 刘开发 - 天津市盛宜达科技有限公司
  • 2020-11-30 - 2021-08-20 - B01F7/18
  • 本实用新型公开了一种矿浆机,涉及矿业设备领域,针对现有的矿浆机存在的易出现打旋的现象,混合效果差,且剪切力弱,效果差的问题,现提出如下方案,其包括箱体,所述箱体顶端安装有设备防护箱,所述设备防护箱侧壁铰接有检修门,所述设备防护箱远离箱体的内侧固定安装有伺服电机,所述伺服电机靠近箱体一端的输出轴连接有变速箱,所述变速箱的输出轴安装有转动轴,所述转动轴侧壁安装有搅拌叶,所述箱体内侧连接有隔板,所述箱体内侧设置有挡板,所述隔板和挡板均呈均匀分布在箱体内侧。本实用新型结构新颖,且结构简单,效果好,药剂与煤颗粒高效亲和,节约成本,提高精煤回收率。
  • 一种矿浆改质机
  • [实用新型]可冲压成型金属均温陶瓷基板-CN201320705755.2有效
  • 何自开 - 何自开;郭月英
  • 2013-11-09 - 2014-10-22 - H01L33/48
  • 本实用新型公开一种可冲压成型金属均温陶瓷基板,主要系对应组装于金属散热鳍片上,系包括:一金属基板;一微结构金属处理;一陶瓷薄膜,于其上利用玻璃粘着性及陶瓷导热性,将高导热陶瓷玻璃材网印刷于微结构金属处理上,经高温熔融烧结成膜,粘着在金属基板表面;一金属线路,于高导热陶瓷薄膜上,用金属导电浆料网印,印刷线路于微结构金属处理上再透过低温烧结形成导电线路,整合成多层的金属均温陶瓷基板。本实用新型可冲压成型金属均温陶瓷基板导热快速,克服金属散热基板绝缘导热导热不佳且改善传统陶瓷基板X-Y轴平面的热传导率不好,以及陶瓷基板材料易脆的问题。
  • 冲压成型金属陶瓷
  • [发明专利]层叠体的加工方法-CN201911098279.0有效
  • 中村胜 - 株式会社迪思科
  • 2019-11-12 - 2023-08-01 - H01L21/78
  • 提供层叠体的加工方法,当将在晶片的正面上借助透明的粘接而配设有玻璃基板的层叠体分割成各个图像传感器芯片时,不会产生品质的降低。该层叠体的加工方法包含如下的工序:去除工序,一边从层叠体的晶片侧提供混入有水溶性树脂的切削水一边将切削刀具定位于与分割预定线对应的区域而进行切削,将形成于晶片的内部的去除;分割工序,在实施了去除工序之后
  • 层叠加工方法
  • [发明专利]激光加工方法及半导体芯片-CN200680049819.0有效
  • 坂本刚志;村松宪一 - 浜松光子学株式会社
  • 2006-12-26 - 2009-01-21 - H01L21/301
  • 在具备基板(14)、和形成在基板(14)的表面的多个功能元件(15)的加工对象物(1)的基板(4)内部,对准聚光点(P)并照射激光(L),而对于1条切断预定线(5),形成至少1列分割区域(72),位于分割区域(72)和基板(4)的表面(3)之间的至少1列的品质区域(71),及位于分割区域(72)和基板(4)的背面(21)之间的至少1列的HC区域(73)。此时,在沿着切断预定线的方向上,分割区域(72)的形成密度,比品质区域(71)的形成密度及HC区域(73)的形成密度低。
  • 激光加工方法半导体芯片
  • [发明专利]晶圆切割方法-CN202310659064.1在审
  • 张志伟 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2023-06-05 - 2023-09-19 - H01L21/82
  • 本公开提供了一种晶圆切割方法,晶圆切割方法包括:提供晶圆,晶圆设置有交叉设置的多个切割道;对每个切割道进行刻蚀,形成交叉设置的多条沟槽;照射切割道,于晶圆的内部形成;在晶圆的表面形成填充,填充填充满沟槽;对填充进行处理,使填充转变为拉应力,基于和拉应力对晶圆进行扩片;去除拉应力,得到多个相互独立的裸片。本公开中的填充在处理过程中对晶圆产生拉应力,拉应力产生的拉应力使得晶圆产生形变,以基于对晶圆进行扩片。拉应力的产生的拉应力较小,晶圆的断裂表面较为光滑,残余应力较小,且拉应力可以拔除扩片时产生的碎裂颗粒物,提升裸片在后续异质键合过程中的良率。
  • 切割方法

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