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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种钢渣改质剂及钢渣改质处理工艺-CN202010868054.5在审
发明人：李永谦;肖永力;汪圣军;洪建国;李洪涛;康凌晨;张友平;李恩超 -专利权人：宝山钢铁股份有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： C04B20/02 文献下载
摘要：一种钢渣改质剂及钢渣改质处理工艺，其化学成分重量百分比为：Al：2‑50％、SiO2：10‑50％、Al2O：10‑30％、CaO：5‑25％、MgO：0.5‑3％、Fe2O3：0.1‑5％；且，所述钢渣改质剂的粒径为本发明钢渣改质剂针对高温钢渣进行改质处理，解决现有改质料与高温钢渣混合不均、改质不充分和现有钢渣改质工艺投资大、运行费用高等问题，利用本发明工艺可以大幅度消除钢渣中f‑CaO，整体工艺经济实用。
一种钢渣改质剂处理工艺

[发明专利]半导体装置结构的形成方法-CN201811308190.8在审
发明人：陈佳政;刘书豪;陈国儒;陈亮吟 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：此方法还包括在外延结构上形成介电层以及在介电层中形成开口以暴露出外延结构。另外，方法包括在外延结构中形成改质区。改质区的结晶度比外延结构的内部低，且沿着外延结构的整个暴露表面延伸。全部或部分的改质区被转变为半导体‑金属化合物区。
外延结构改质区鳍结构半导体装置结构金属化合物介电层半导体半导体基底暴露表面栅极堆叠结晶度开口暴露延伸

[发明专利]一种劣质汽油非临氢改质的方法-CN201510750184.8有效
发明人：周峰;马会霞;乔凯 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2015-11-09 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C10G35/095 文献下载
摘要：本发明公开一种劣质汽油的非临氢改质的方法，在非临氢改质条件下，使劣质汽油原料依次通过ZSM‑22分子筛催化剂床层和改性ZSM‑5分子筛催化剂床层，其中所述的ZSM‑22分子筛催化剂与改性ZSM‑5分子筛催化剂的装填质量比为11～13，非临氢改质条件为反应温度为200～400℃，反应总压（绝压）为0～0.50 MPa和重量空速为0.5～10 h‑1。
一种劣质汽油非临氢改质方法

[发明专利]利用催化剂级配技术生产加氢低凝柴油的方法-CN201210440469.8有效
发明人：太史剑瑶;王仲义;彭冲;石友良;吴子明;廖娜 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C10G67/02 文献下载
摘要：柴油与氢气混合，依次通过至少两个串联的加氢反应区，按物流方向每个加氢反应区依次包括由加氢改质异构降凝催化剂和加氢改质催化剂混合装填的降凝改质催化剂复合床层和临氢降凝催化剂床层；最后一个加氢反应区所得反应流出物经过分离和分馏后本发明方法将加氢精制及改质降凝过程的温升与临氢降凝过程的温降进行合理的组合利用，在生产低凝低硫柴油的同时提高了柴油的收率以及十六烷值，降低了装置的热点温度，延长了运转周期；此外降低了冷氢的消耗量或者加热炉的燃气损耗
利用催化剂技术生产加氢柴油方法

[发明专利]一种利用催化剂级配技术生产加氢低凝柴油的方法-CN201210440607.2有效
发明人：廖娜;王仲义;崔哲;吴子明;石友良;黄新露 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C10G65/02 文献下载
摘要：柴油与氢气混合后，依次通过至少两个串联的加氢反应区，按物流方向每个加氢反应区依次包括临氢降凝催化剂床层和由加氢改质异构降凝催化剂和加氢改质催化剂混合装填的降凝改质催化剂复合床层；最后一个加氢反应区所得反应流出物经过分离和分馏后本发明方法将加氢精制及改质降凝过程的温升与临氢降凝过程的温降进行合理的组合利用，在生产低凝低硫柴油的同时提高了柴油的收率以及十六烷值，降低了装置的热点温度，延长了运转周期；此外降低了冷氢的消耗量或者加热炉的燃气损耗
一种利用催化剂技术生产加氢柴油方法

[发明专利]光吸收层的改质方法-CN201210030982.X在审
发明人：陈伟谦;郑隆藤;邱鼎文;谢东坡 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种光吸收层的改质方法，包括以下步骤：(a)提供一基板；(b)形成一光吸收层于该基板之上，其中该光吸收层包括IB族元素、IIIA族元素与VI族元素；(c)形成一浆料于该光吸收层之上，其中该浆料包括VI族元素；以及(d)将含有该浆料的该光吸收层进行一热处理制程。
光吸收方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201810716228.9在审
发明人： D·马丁;R·瓦尔加斯 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：晶片的加工方法至少由下述工序构成：改质层形成工序，按照从晶片(2)的背面(2b)入射的方式将具有对于晶片(2)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位在表面(2a)侧附近的内部来对晶片(2)照射激光光线(LB)，沿着分割预定线(4)形成改质层(16)；切削槽形成工序，从晶片(2)的背面(2b)对切削刀具(26)进行定位，沿着分割预定线(4)形成深度未达到表面(2a)的切削槽(30)；以及分割工序，对晶片(2)赋予外力，以沿着分割预定线(4)形成的改质层(16)为起点将晶片(2)分割成各个器件(6)。
晶片分割预定线改质层形成工序切削槽加工背面照射激光光线激光光线切削刀具聚光点透过性波长分割密合入射赋予

[发明专利]晶片的加工方法-CN202111312130.5在审
发明人：中村胜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：晶片的加工方法包含如下的步骤：激光加工槽形成步骤，通过对于膜或基板具有吸收性的波长的激光光线，在晶片的背面形成将膜局部地去除的激光加工槽；预备磨削步骤，对晶片的背面进行磨削而将膜和激光加工槽去除，形成规定以上的厚度的晶片；改质层形成步骤，将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于基板的内部而从晶片的背面侧进行照射，在基板的内部形成沿着分割预定线的改质层；以及磨削步骤，从背面侧对晶片进行磨削，将晶片薄化至完工厚度，并且沿着改质层将晶片分割成芯片
晶片加工方法

[发明专利]加工方法-CN202210666026.4在审
发明人：中村胜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供加工方法，能够在被加工物的内部适当地形成改质层。；片覆盖工序，利用具有透过性的片将卡盘工作台的上表面与被加工物一同覆盖；紧贴工序，在卡盘工作台的保持面上产生吸引力，将被片覆盖的区域减压，通过施加至片的大气压而使被加工物紧贴于卡盘工作台的上表面；以及改质层形成工序，隔着片而将激光光线的聚光点定位于被加工物的内部，向被加工物照射激光光线而形成改质层。
加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201310499177.6有效
发明人：关家一马 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2013-10-22 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供晶片的加工方法，包括以使得聚光点对齐到内部的方式沿着分割预定线照射相对于晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成作为断裂起点的改质层的改质层形成步骤；以及对晶片的背面磨削而将晶片形成为规定厚度，并且沿着形成了改质层而强度降低的分割预定线而分割为各个器件的背面磨削步骤，至少在实施该背面磨削步骤之前，实施将被冷却至比实施该背面磨削步骤时的温度低的温度的保护部件贴合于晶片的表面的保护部件贴合步骤，
晶片加工方法

[发明专利]具遮蔽紫外光及疏水/油功能的透明镀膜结构-CN201310140395.0有效
发明人：廖世杰;谢建德;陈金铭;郭蓉蓉;张家豪 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2005-12-23 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： C09C1/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种具遮蔽紫外光及疏水/油功能的透明镀膜结构，包含有：氧化锌粉体；及透光阻绝层，由透光阻绝材镀于该氧化锌粉体表面而形成；及高分子镀层，由高分子材料对该透光阻绝层做表面改质而形成。本发明包含有氨基，对该透光阻绝层做表面改质，该透光阻绝材为二氧化硅，而形成ZnO-SiO2核壳结构纳米粉体。本发明使用具碳氟官能基（CFX）、碳氢官能基（CHX）或以上两种官能基的高分子材料对纳米氧化锌粉体表面进行改质，形成具有微细纤毛状的粗糙表面结构，而且具有遮蔽紫外光及疏水/油的功能的透明镀膜。
遮蔽紫外光疏水功能透明镀膜结构

[发明专利]晶片的生成方法-CN201610373433.0有效
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点如果将聚光光斑的直径设为d、将相邻的激光束的聚光光斑的间隔设为x，则按照‑0.3≤(d‑x)/d≤0.5的范围照射激光束而形成改质层。
晶片生成方法

[发明专利]晶片的生成方法-CN201610373778.6有效
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点在分离起点形成步骤中，在形成有偏离角的方向上将激光束的聚光点隔着规定的间隔定位2个以上而同时形成2条以上的直线状的改质层。
晶片生成方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201610522458.2有效
发明人：中村胜 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/784 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供晶片的加工方法，当在形成了由脉冲激光光线形成的改质层和裂痕之后执行磨削工序而分割成各个器件的情况下，不会导致器件的品质降低。为了解决上述课题，将在本发明的晶片的加工方法的改质层形成工序中设定的脉冲激光光线的功率设定为按照如下的方式形成改质层以及裂痕的功率：通过按照在背面磨削工序中设定的规定的磨削条件进行磨削，从而能够在达到完工厚度之前将晶片分割成各个器件芯片
晶片加工方法

[发明专利]晶片的生成方法-CN201610512179.8有效
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：从六方晶单晶锭生成晶片的晶片的生成方法包含改质层形成步骤，c轴相对于锭正面的垂线倾斜偏离角，在正面与c面之间在与形成有偏离角的方向垂直的方向上使激光束的聚光点相对地移动而形成直线状的改质层。在改质层形成步骤中，在激光束的光斑面积全部与锭的上表面交叠之前以从未达到相当于晶片的厚度的深度的位置起描绘抛物线的方式定位激光束的聚光点，在光斑面积全部与上表面交叠的时刻将聚光点定位在相当于晶片的厚度的深度
晶片生成方法

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