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[发明专利]一种小型蓄热式生活垃圾热解气化炉-CN202110908696.8在审
发明人：杨宇;罗培军;陈小龙;焦明鑫;邓渝川 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2021-08-09 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： F23G5/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种小型蓄热式生活垃圾热解气化炉，该热解气化炉包括圆柱形外壳，其特征在于：在所述圆柱形外壳内左右对称布置热解气化室和催化改质室，所述热解气化室和催化改质室的中部分别设置有第一填料层和第二填料层；第一填料层和第二填料层上放置的催化剂颗粒由不锈钢孔板相支撑；所述热解气化室和催化改质室的上部通过水平烟道连通；所述热解气化室的底部布置有落渣管、进气口和若干风帽，落渣管与排渣阀连接进行定量排渣；第二填料层的下方设置有裂解气出口，所述催化改质室底部设置有锥形灰斗；预处理后的生活垃圾经螺旋给料机送入热解气化室内，在重力的作用下进入第一填料层上方；本发明可广泛应用在环保、垃圾处理等领域。
一种小型蓄热生活垃圾解气

[发明专利]热硬化性组合物、其硬化物、半导体密封材料、预浸体、电路基板及增层膜-CN202211258949.2在审
发明人：二宫淳;三轮広治;泷川优子 -专利权人： DIC株式会社
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明所要解决的课题在于提供一种可兼顾优异的铜箔密接性以及耐热性的热硬化性组合物、其硬化物、半导体密封材料、预浸体、电路基板及增层膜。本发明提供一种热硬化性组合物，包含热硬化性树脂(A)、热硬化剂(B)及改质树脂(C)，其中，所述改质树脂(C)是以多元醇(c1)及聚异氰酸酯(c2)为原料的、异氰酸酯基含量为0mol/kg的氨基甲酸酯树脂，所述改质树脂(C)的玻璃化温度为‑100℃以上50℃以下，所述改质树脂(C)的数量平均分子量为4,000以上100,000以下，相对于所述热硬化性树脂(A)100质量份，所述改质树脂(C)的含量为0.1
化性组合硬化半导体密封材料预浸体路基增层膜

[发明专利]一种改质沥青生产工艺-CN201710469286.1有效
发明人：孙虹;叶煌;单春华;姜秋;朱传平;杨浩 -专利权人：中冶焦耐（大连）工程技术有限公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C10C3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种改质沥青生产工艺，原料沥青与管式加热炉出口沥青混合，进入闪蒸改质反应釜进行闪蒸和β‑改质反应，闪蒸改质反应釜送出的沥青首先与二次改质反应釜底沥青混合，进入管式加热炉加热，然后进入二次改质反应釜发生α‑改质；经两次改质后的沥青在分馏塔内实现沥青和油品的分离；闪蒸塔和分馏塔分离出的轻质油品冷却后作为闪蒸油收集，分离出的不凝性气体进入真空系统，保证闪蒸改质反应釜及二次改质反应釜内的改质反应、分馏塔内的分馏过程均在负压下进行；改质沥青从分馏塔底采出。
一种沥青生产工艺

[发明专利]半导体锭的检查方法、检查装置和激光加工装置-CN201810159187.8在审
发明人：平田和也;山本凉兵;高桥邦充 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：半导体锭的检查方法具有：分离起点形成步骤，将对于半导体锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距离上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度并且使聚光点与半导体锭相对地移动而对上表面照射激光束，形成由与上表面平行的改质层和从改质层伸长的裂纹构成的分离起点；照射步骤，从光源按照相对于上表面规定的入射角对半导体锭的上表面照射光；拍摄步骤，对利用在照射步骤中对半导体锭的上表面照射的光的反射光而形成的投影像进行拍摄而形成拍摄图像，在投影像中强调了受改质层和裂纹影响而产生在上表面的凹凸；和判定步骤，对所形成的拍摄图像和预先设定的条件进行比较而判定改质层和裂纹的状态。
半导体锭上表面改质层照射激光加工装置检查装置拍摄图像激光束聚光点投影像判定检查反射光入射角透过性照射光拍摄伸长波长光源晶片平行移动

[发明专利]晶片的生成方法-CN201510854879.0有效
发明人：平田和也;高桥邦充;西野曜子 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2015-11-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： B23K26/53 文献下载
摘要：晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距正面相当于要生成的晶片厚度的深度，使聚光点与锭相对地移动而对正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层伸长的裂痕而形成分离起点；晶片剥离步骤，在实施了分离起点形成步骤之后，从分离起点将相当于晶片的厚度的板状物从锭剥离而生成晶片，分离起点形成步骤包含：改质层形成步骤，c轴相对于正面的垂线倾斜偏离角，使激光束的聚光点沿着与在正面和c面之间形成偏离角的方向垂直的方向相对地移动而形成直线状的改质层；转位步骤，在形成偏离角的方向上使聚光点相对地移动而转位规定的量。
晶片生成方法

[发明专利]晶片的生成方法-CN201610080065.0有效
发明人：平田和也;西野曜子;高桥邦充 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：晶片的生成方法具有：分离起点形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束聚光点定位在距锭的正面相当于要生成的晶片厚度的深度，并且使聚光点与六方晶单晶锭相对地移动而对锭的正面照射激光束，形成与正面平行的改质层和从改质层沿着分离起点形成步骤由如下的步骤构成：第1分离起点形成步骤，利用第1输出形成分离起点；第2分离起点形成步骤，以与第1分离起点形成步骤中形成的改质层重叠的方式，利用比第1输出大的第2输出以每1脉冲的能量成为与第1分离起点形成步骤相同的能量的重复频率照射激光束，而使改质层与裂痕乖离。
晶片生成方法

[发明专利]SiC晶片的生成方法-CN201710740384.4有效
发明人：平田和也 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：SiC晶片的生成方法从单晶SiC晶锭生成SiC晶片，包括：剥离面形成工序，在形成偏离角的方向进行晶锭的转位进给而进行2次以上的改质层形成加工，形成剥离面，该改质层形成加工中，将对SiC具有透过性的波长的脉冲激光光线的聚光点定位在距离晶锭的上表面相当于要生成的晶片的厚度的深度，并在与形成偏离角的方向正交的方向进行晶锭的加工进给，从而在晶锭内部形成改质层和从该改质层沿c面传播的裂痕；晶片生成工序，以剥离面为界面将晶锭的一部分剥离，生成SiC晶片。
sic 晶片生成方法

[发明专利]材料复合加工方法与系统-CN202111555777.0在审
发明人：何正荣;林志光;董必正 -专利权人：何正荣
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B23K26/00 文献下载
摘要：本发明关于一种材料复合加工方法与系统，所述材料复合加工方法包含：使用激光对工件的欲改质区域发射激光光，而对该欲改质区域进行改质以改变该欲改质区域的性质；应用光学图像定位辅助设备对该工件的已改质区域或该工件上的定位标记进行精密定位，以将刀具对准该已改质区域；以及驱动该刀具对该已改质区域进行加工作业。
材料复合加工方法系统

[发明专利]石墨烯复合纤维及其制备方法-CN201410077694.9在审
发明人：吴以舜;谢承佑;陈静茹;谢淑玲 -专利权人：安炬科技股份有限公司
申请日： 2014-03-05 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯复合纤维及其制作方法，该纤维包含石墨烯片及高分子材料，石墨烯片占总重量百分比为1～10wt％，并包含改质层，改质层包含第一有机官能基团及第二有机官能基团，分别用于与石墨烯片表面及高分子产生键结，高分子材料为热塑性高分子，用以包覆所述石墨烯片，该方法包含石墨烯片准备步骤、表面改质步骤、混炼步骤、母粒制造步骤以及抽丝步骤，将石墨烯片表面改质后，加入熔融的高分子材料进行熔融混炼，再经造粒机制作成高分子复合母粒
石墨复合纤维及其制备方法

[发明专利]芯片的制造方法-CN202110196071.3在审
发明人：佐井星一 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：芯片的制造方法将晶片沿着分割预定线分割成多个芯片，该芯片的制造方法具有如下的工序：晶片保持工序，利用卡盘工作台对晶片的第1面侧进行保持而使晶片的第2面侧露出；改质层形成工序，通过从晶片的第2面侧将对于晶片具有透过性并且在第1聚光点和第2聚光点处聚光的激光束按照将第1聚光点和第2聚光点定位于晶片的内部的方式进行照射，在第1聚光点和第2聚光点所定位的区域中分别形成改质区域，并形成包含沿着分割预定线排列的多个改质区域的改质层；
芯片制造方法

[发明专利]半导体制造装置及半导体装置的制造方法-CN202110829275.6在审
发明人：铃木葵 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2021-07-22 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一实施方式的半导体制造装置具备改质部，所述改质部对第1衬底进行部分改质，在所述第1衬底内的第1部分与第2部分之间形成改质层。所述装置还具备接合部，所述接合部在所述第1部分与第2衬底之间形成将所述第1部分与所述第2衬底接合的接合层。
半导体制造装置方法

[发明专利]一种加氢低凝柴油的生产方法-CN201210440386.9有效
发明人：石友良;王仲义;吴子明;黄新露;廖娜;崔哲 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C10G67/02 文献下载
摘要：柴油原料与氢气混合后，依次通过至少两个串联的加氢反应区，按物料流动方向所述加氢反应区依次包括加氢改质异构降凝催化剂和由加氢改质催化剂床层和临氢降凝催化剂混合装填的改质降凝催化剂复合床层；最后一个加氢反应区得到的反应流出物经过分离和分馏后本发明方法将临氢降凝过程的温降与加氢改质过程的温升进行合理的组合利用，在生产低凝低硫柴油的同时提高了柴油的收率以及十六烷值，降低了装置的热点温度，延长了运转周期；此外降低了冷氢的消耗量或者加热炉的燃气损耗
一种加氢柴油生产方法

[发明专利]加氢低凝柴油的生产方法-CN201210440420.2有效
发明人：王仲义;崔哲;吴子明;石友良;黄新露;廖娜 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司抚顺石油化工研究院
申请日： 2012-11-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： C10G67/02 文献下载
摘要：柴油原料与氢气混合后，依次通过至少两个串联的加氢反应区，按物料流动方向所述加氢反应区依次包括由加氢改质催化剂床层和临氢降凝催化剂混合装填的改质降凝催化剂复合床层和加氢改质异构降凝催化剂；最后一个加氢反应区得到的反应流出物经过分离和分馏后本发明方法将临氢降凝过程的温降与加氢改质过程的温升进行合理的组合利用，在生产低凝低硫柴油的同时提高了柴油的收率以及十六烷值，降低了装置的热点温度，延长了运转周期；此外降低了冷氢的消耗量或者加热炉的燃气损耗
加氢柴油生产方法

[发明专利]软性电子装置以及其制备方法-CN201310487442.9在审
发明人：黄钰真;林柏青;蔡奇哲 -专利权人：群创光电股份有限公司
申请日： 2013-10-17 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种软性电子装置，包括：一可挠性基板；一电子组件，设置于该可挠性基板上；以及一保护层，覆盖该电子组件以及该可挠性基板，其中，该保护层是由一经改质的聚甲基丙烯酸甲酯所构成；其中，该经改质的聚甲基丙烯酸甲酯包括复数个烷基支链、复数个改质官能基团以及一金属离子，其中，该改质官能基团是至少一选自由羟基、胺基、硫基、酰胺基、羧酸基或磺酸基所组成的群组；该金属离子是至少一选自由钡、锶、钙、钛铝所组成的群组；且该金属离子是与该改质官能基团偶合
软性电子装置及其制备方法

[发明专利]陶瓷颗粒及其制造方法-CN202010651574.0在审
发明人：曾俊杰;张彦晧;王跃钧;蔡东霖;吕英诚;林秋丰 -专利权人：财团法人金属工业研究发展中心
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B22F1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷颗粒，供成型一植入物，以解决现有植入物的外表面必须额外形成抗腐蚀层的问题。该陶瓷颗粒包括：一芯，由镁金属或镁合金所形成，该芯的粒径介于30～100μm之间；及一改质层，覆盖于该芯的外表面，该改质层包含钙及磷。本发明另外关于该陶瓷颗粒的制造方法。
陶瓷颗粒及其制造方法