专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]裂纹检测方法-CN202110205586.5在审
  • 中村胜 - 株式会社迪思科
  • 2021-02-24 - 2021-08-31 - G01N21/91
  • 本发明提供裂纹检测方法,在通过照射激光光线而在被加工物的内部形成时,能够容易地检测裂纹是否适当地形成。裂纹检测方法包含如下的工序:裂纹形成工序,将对于具有第一面和与第一面相反的一侧的第二面的板状的被加工物具有透过性的波长的激光光线聚光点从被加工物的第一面定位于内部而呈线状照射,在被加工物的内部形成,并且形成从向第二面侧延伸的裂纹;涂料涂覆工序,在第二面上涂覆涂料;以及裂纹检测工序,探查涂料被呈线状排斥的部位来检测裂纹。
  • 裂纹检测方法
  • [发明专利]软性基板结构及其制造方法-CN201110327307.9无效
  • 叶永辉;郑君丞;吕奇明;曾永隆 - 财团法人工业技术研究院
  • 2011-10-20 - 2013-03-13 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种软性基板结构及其制造方法,上述软性基板结构包括软性金属载板、表面与软性塑料基板。软性金属载板包括第一区与第二区。表面层位于软性金属载板的第一区上并与其接触。软性塑料基板位于第一区与第二区上,其中位于第一区上的软性塑料基板与表面接触,位于第二区上方的软性塑料基板与软性金属载板接触。本发明的软性基板结构可大幅提升后续所形成的各膜在进行黄光微影时的对位精准度,提升工艺的良率。
  • 软性板结及其制造方法
  • [发明专利]氮化铝的制备方法-CN201010604346.4有效
  • 钟贤龙;林俊男;张智伟;林静欣;林宏颖 - 成功大学
  • 2010-12-24 - 2012-07-04 - C04B35/581
  • 一种氮化铝的制备方法,包含:将铝粉及一表面剂均匀混合形成一反应物,并将该反应物置放于一容器中;使该容器中的反应物暴露于一含氮气体中,并加热至660℃以上的温度使该反应物燃烧,于加热过程中,该表面剂与该铝粉产生表面反应,以于该铝粉的表面形成一陶瓷,且该铝粉因燃烧而与该含氮气体进行燃烧合成反应而形成氮化铝。
  • 氮化制备方法
  • [发明专利]一种高温熔渣连续的工艺方法-CN201510191265.9有效
  • 李宇;苍大强;卢翔;刘晓明;代文彬;王玮;栾秀莉 - 北京科技大学;莱芜钢铁集团泰东实业有限公司
  • 2015-04-21 - 2017-03-15 - C21C5/54
  • 一种高温熔渣连续的工艺方法,属于工业废弃物综合利用技术领域。在高温电炉熔渣排放时,配好的剂通过粉料输送系统进行连续给料,使剂与熔渣的同时排放并进入渣包内,熔渣的热冲击搅拌使它与剂混合均匀,实现渣包内熔渣的,无需外界进行补热;所述高温熔渣是指电炉炼钢过程中所排放的熔态钢渣,或者是小型电炉冶炼过程中排放的熔态还原渣,或是其它冶炼过程连续排放的高温熔渣;高温熔渣与剂的质量比不小于2。剂中高硅铝原料70~100%,含碳原料为0~30%,剂颗粒粒度小于25mm。本发明熔渣温度高,碱度低,粘度小,流动性好,加入剂少,易于,同时无需补热,质成本低;可将含硅铝、含碳、含铁的废弃物作为部分剂,实现废弃物的资源化利用。
  • 一种高温连续工艺方法
  • [发明专利]半导体器件芯片的制造方法-CN201710520110.4有效
  • 立石俊幸 - 株式会社迪思科
  • 2017-06-30 - 2023-05-12 - H01L21/78
  • 提供半导体器件芯片的制造方法,具有:器件形成步骤,在由硅构成的晶片的正面上,在由互相交叉的多条分割预定线划分出的多个区域内分别形成器件;缺陷防止形成步骤,在晶片的正面的分割预定线的各交叉点形成缺陷防止;保护带粘贴步骤,在晶片的正面上粘贴保护带;形成步骤,将对于晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在晶片内部而从晶片的背面侧沿着分割预定线照射激光束,沿着分割预定线在晶片的内部形成;以及分割步骤,一边对晶片的背面进行磨削而使晶片薄化,一边以为断裂起点将晶片分割成各个半导体器件芯片,通过缺陷防止来防止相邻的各个半导体器件芯片的角部彼此摩擦而产生缺陷。
  • 半导体器件芯片制造方法
  • [发明专利]一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层方法及设备-CN202210727737.8在审
  • 牛进毅;苗岱 - 山西云矽电子科技有限公司
  • 2022-06-22 - 2022-09-20 - H01L21/268
  • 本发明涉及晶圆加工技术领域,特别是一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片的多层方法及设备,包括如下步骤S1、将研磨抛光后的直径小于等于250mm,厚度100mm的SiC晶圆锭通过多孔陶瓷吸盘,固定到大理石平台上,平台的平整度达到0级;S2、激光;S3、激光器向上移动一个晶圆片的厚度。使聚焦平面深度改为(N‑1)×850μm,然后激光束扫描整个焦平面重复2步骤,完成第2SiC晶圆锭;S4、重复3步骤,直到完成NSiC晶圆锭;通过调整改激光器的技术指标,节省了每层剥离后对晶圆锭上表面进行研磨抛光的时间(研磨抛光时间10m),以10为例,减少了9次研磨抛光时间,节省了90m。
  • 一种碳化硅晶圆锭切割晶圆片多层方法设备

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