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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201510711369.8有效
  • 石田将崇;林达也;菅原卓哉;我妻伸哉;宫内充祐;姜友松;长江亦周 - 株式会社新柯隆
  • 2015-10-28 - 2020-02-07 - C23C14/34
  • 本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内
  • 方法装置
  • [发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201580049958.2有效
  • 今真人 - 凸版印刷株式会社
  • 2015-09-17 - 2020-03-20 - C23C16/455
  • 提供能够使气体的分布在腔室内的各区域中变得均匀化且提高成膜精度的成膜装置以及成膜方法。一个方式所涉及的成膜装置的特征在于，具有：腔室，其在内部具有导入有气体的多个区域，具有多个排气口，该多个排气口至少将任意的所述区域中的所述气体排出，并且能够分别对其开口状态进行调整；以及输送部，其使基材在所述腔室的内部移动而从多个所述区域通过
  • 装置以及方法
  • [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710192799.2有效
  • 吉田武史 - 株式会社昭和真空
  • 2017-03-28 - 2020-12-15 - C23C16/455
  • 本发明提供能够减少向压力传感器附着的成膜物质，延长压力传感器的寿命的成膜装置及成膜方法。原料气体供给部用于成膜处理，向成膜室(10)供给含有成膜成分的原料气体，第二气体配管(90)用于成膜处理，将与原料气体不同的处理气体从蓄存该处理气体的处理气体蓄存部向成膜室(10)供给。对成膜室(10)的内部的压力进行测量的压力传感器(50)安装于第二气体配管(90)。控制部在从原料气体供给部向成膜室(10)供给原料气体期间，以使处理气体在第二气体配管(90)中流动而从处理气体蓄存部向成膜室(10)供给的方式进行控制。
  • 装置方法
  • [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710148173.1有效
  • 小野大祐 - 芝浦机械电子装置株式会社
  • 2017-03-13 - 2020-06-23 - C23C14/54
  • 本发明提供一种成膜装置及成膜方法，进行将氧保持为适当量、品质良好且品质的不均少的成膜。成膜装置(1)包括：作为密闭容器的腔室(2)，配置着包含成膜材料的靶材(231)，内部被搬入工件(W)；排气装置(25)，在工件(W)的搬入后，将腔室(2)排气规定的排气时间而形成基础压力；以及溅镀气体导入部溅镀气体导入部(27)根据附着在腔室(2)的内部的成膜材料的增加所引起的基础压力的上升，使导入到腔室(2)的溅镀气体的氧分压减少。
  • 装置方法
  • [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201680031933.4有效
  • 加藤裕子;矢岛贵浩;远山佳宏;青代信;清健介;高桥明久;斋藤一也 - 株式会社爱发科
  • 2016-06-07 - 2020-12-18 - C23C14/24
  • 本发明提供一种能够稳定地形成具有所期望的膜质和图案形状的树脂层的成膜方法和成膜装置。本发明一方式所涉及的成膜方法在维持在减压气氛的腔室内，将基板(W)冷却到第1温度以下，从气体供给部(13)向基板(W)的表面供给原料气体(G)，其中所述原料气体(G)含有能量线硬化性树脂，且在上述第1温度以下能够液化，将掩膜部件(16)与基板(W)的表面相向配置，其中所述掩膜部件(16)被维持在比上述第1温度高的第2温度，且具有规定的开口图案，向基板(W)的表面照射能量线。
  • 方法装置
  • [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201680001052.8有效
  • 浅川庆一郎;滨口纯一;园田和广;沼田幸展;小风丰 - 株式会社爱发科
  • 2016-02-24 - 2021-01-01 - H01L21/3065
  • 提供一种可通过防止负电荷在蚀刻处理时在基板边缘部集中而在高纵横比的孔内面良好涂覆地形成薄膜的成膜装置。一种成膜装置(SM)，具有：配置了靶(21)的真空室(1)；在真空室内保持基板(W)的台架(4)；向靶施加规定电力的第一电源(E1)；以及向台架施加交流电力的第二电源(E2)；进行通过第一电源向靶施加电力对靶进行溅射的成膜处理；以及通过第二电源向台架施加交流电力并蚀刻在基板上形成的薄膜的蚀刻处理，基板的周围配置防护板(7c)，以台架上保持的基板的成膜面侧为上，具有在防护板上邻近基板的部分(71)与基板上面位于同一平面上的成膜位置和防护板的该部分位于基板上面的上方的蚀刻位置之间上下移动屏蔽件的驱动装置
  • 装置方法
  • [发明专利]成膜方法和成膜装置-CN200510080241.2有效
  • 长谷部一秀;周保华 - 东京毅力科创株式会社
  • 2005-06-28 - 2006-01-04 - H01L21/205
  • 本发明涉及半导体处理用的成膜方法，该成膜方法是向容纳被处理基板的处理容器内供给成膜用的第一处理气体和与第一处理气体反应的第二处理气体，通过CVD在被处理基板上形成薄膜的方法。此成膜方法交叉的包括第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域供给第一和第二处理气体。在第二工序中，停止向处理区域供给第一和第二处理气体。
  • 方法装置
  • [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200610125622.2有效
  • 安井基博;明渡纯 - 兄弟工业株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所
  • 2006-08-24 - 2007-02-28 - C23C24/00
  • 本发明的成膜装置包括：成膜室，用于进行成膜；排气装置，与所述成膜室连接并将该成膜室内的气体排到外部；支架，设在所述成膜室内并保持被处理材料；喷嘴，设在所述成膜室内，具有形成狭缝状的喷出口，并且从所述喷出口向所述被处理材料喷射包含材料颗粒的气溶胶，从而在所述被处理材料上形成由所述材料颗粒构成的膜；和遮蔽部件，设在所述喷出口的长度方向的侧方并覆盖从该喷出口向所述被处理材料喷射的所述气溶胶的喷射流的侧方，因此，可抑制排气流引起的气溶胶流的紊乱，可均匀地形成膜
  • 装置方法
  • [发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201711278236.1有效
  • 山田龙藏;太田淳;浅利伸;斋藤一也 - 株式会社爱发科
  • 2017-12-06 - 2021-05-04 - C23C16/503
  • 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。将成膜对象物设置为具有立体形状并且在成膜对象物的外表面凹陷地设置有沿着一个方向延伸的凹孔，在成膜对象物的至少凹孔的内表面形成高分子膜，所述成膜装置具有：向配置有成膜对象物的真空室内导入原料单体的原料单体导入单元；以及具有电极和交流电源且通过向电极施加交流电力而在真空室内使等离子体产生的等离子体产生单元；使由等离子体使原料单体分解并聚合而生成的离子以及自由基附着并堆积来形成高分子膜；所述电极由有底的筒状体构成，凹孔的孔轴设置为与有底筒状体的底壁正交的姿势，在使成膜对象物被底壁支撑而容纳在筒状体内的状态下使等离子体产生时，在等离子体与凹孔的内表面之间形成离子鞘层。
  • 装置方法
  • [发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201710260622.1有效
  • 饭塚和孝 - 丰田自动车株式会社
  • 2017-04-20 - 2019-12-17 - C23C16/44
  • 本发明提供成膜方法及成膜装置。成膜装置具备：成膜容器，具有第一模具和第二模具，所述第一模具具有第一凹陷部和配置于第一凹陷部的周围的第一平面部，且在第一凹陷部的底部具备排气口，所述第二模具与第一模具对向而配置；密封部件，配置于第一模具的第一平面部与第二模具之间，保持成膜容器内的气密；及排气装置，连接于排气口，工件从第一平面部分离，且工件的成膜对象部分在成膜容器关闭的状态下朝向第一凹陷部内的空间，方法具备：工序(a)，通过成膜装置对工件的一部分进行成膜；工序(b)，在工序(a)之后，将成膜容器打开；及工序(c)，在工序(b)开始时，通过排气装置经由排气口对成膜容器内进行排气。
  • 方法装置
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