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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201580015142.8在审
发明人：中尾裕利;佐藤诚一;柴智志;坂内雄也;木村孔 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种在使片状基材以规定速度移动的同时，隔着掩膜供给成膜材料并在基材的一面上以规定图案连续成膜时，可使片状基材的一部分和片状转印基板的一部分以高精度进行位置对准，并且，可降低装置成本和运营成本的成膜装置具有：以从成膜设备(9)朝向片状基材(Sw)的方向为上，掩膜件移动装置(4)具有片状掩膜件(Sm)的一部分(Sm1)相对于朝一个方向移动的片状基材的一部分(Sw1)在上下方向上距离规定间隔平行移动的平行移动区域形成部(42a、42b)；以及使片状掩膜件与片状基材同步移动的驱动部(42d、DM2)，将平行移动区域形成部和驱动部设置在单一的支架(41)上。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201580038458.9在审
发明人：梶山康一;水村通伸 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： B05D1/32 文献下载
摘要：本发明的成膜方法进行在使金属掩模(6)贴紧到显示面板(4)的显示面(4a)的状态下，一边加热金属掩模(6)，一边从金属掩模(6)侧对显示面板(4)的显示面(4a)涂敷液体的成膜材料(16)的步骤；以及加热并烧制所涂敷的液体的成膜材料(16)而形成薄膜图案的步骤。
方法装置

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201680074911.6在审
发明人：地大英隆;松田亮二 -专利权人：柯尼卡美能达株式会社
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本发明提供降低从目标膜厚的偏移的成膜装置。成膜装置(1)是(n+1)层以上(n是1以上的正整数。)的多层膜的成膜装置。成膜装置(1)具备：鼓(10)，其一边支承基板(50)一边旋转；成膜机构(20)，其对基板(50)进行成膜处理；以及控制机构(40)，其是控制鼓(10)的旋转的控制机构(40)，根据多层膜的目标膜厚、初始设定的成膜机构(20)的成膜速率以及初始设定的鼓(10)的转速计算鼓(10)的旋转数，并调整鼓(10)的转速，使计算出的鼓(10)的旋转数接近整数。
成膜装置成膜机构初始设定多层膜目标膜旋转数成膜成膜处理支承基板转速计算对基板正整数偏移

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201880002608.4在审
发明人：横山礼宽;武井应树;佐藤昌敏;清田淳也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明的一形态的成膜装置具有展开辊、卷取辊、加热辊、成膜部以及控制部。展开辊用于展开作为长条的膜的基材。卷取辊用于卷绕从展开辊展开的基材。成膜部包含蒸发源，并将金属膜成膜在基材上，该蒸发源与加热辊对置而设置，且具有用于加热金属材料的加热机构。控制部在基材从加热辊展开并卷绕到卷取辊的过程中，控制温度调节单元或加热机构中的至少一者，以使金属膜与基材之间的温度差为0℃以上且不足180℃。
基材加热辊卷取辊展开辊温度调节单元成膜装置加热机构成膜部金属膜蒸发源成膜卷绕加热金属材料加热基材温度差对置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201380035584.X有效
发明人：大仓成幸;山中孟 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-06-11 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：在步骤1的升压步骤中，利用PCV(54)对原料容器(60)内供给运载气体，使原料容器(60)内上升至第一压力P1。在步骤2的降压步骤中，使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内下降至作为第二压力的压力P2。在步骤3的稳定化步骤中，一边将运载气体导入原料容器(60)内，一边使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内的原料气化的气化效率(k)稳定化在步骤4的成膜步骤中，经由原料气体供给管(71)将原料气体供给到处理容器(1)内，利用CVD法使薄膜沉积在晶片(W)上。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201280077793.6有效
发明人：吉田隆;松本昌宏;谷典明;池田进;久保昌司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-12-18 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：成膜方法是在成膜于被处理基板的包含无机物的无机层3上形成包含含氟树脂的有机层的成膜方法，在形成无机层时，进行使用了水蒸汽作为反应性气体的反应性溅射以在被处理基板上形成无机层，接下来，在无机层上形成有机层成膜装置能够实施该成膜方法。
方法装置

[发明专利]成膜方法以及成膜装置-CN201380052363.3有效
发明人：平野智资 -专利权人：日本发条株式会社
申请日： 2013-10-08 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：提供一种成膜方法以及成膜装置，能够抑制成膜中的被膜的氧化，能够使装置简化且低价，并且不耗费精力和时间就能够更换成膜对象的基材。成膜装置(100)使原料的粉末(2)与气体一并加速，将该粉末(2)保持为固相状态向基材(1)的表面喷涂，使该粉末(2)堆积，由此进行成膜，其中，所述成膜装置具备：腔室(10)；保持部(11)，其设置在该腔室
方法以及装置

[发明专利]成膜方法和成膜系统-CN201480009698.1有效
发明人：志村悟;岩尾文子;吉原孝介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明是在表面形成有图案的基板上形成有机膜的发明，在基板上涂布有机材料，此后，对该有机材料进行热处理，在基板上形成有机膜，此后，对该有机膜进行紫外线照射处理，将该有机膜的表面除去至规定的深度，由此在基板上适当且高效地形成有机膜
方法计算机存储介质系统

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN201380073160.2有效
发明人：古屋英二;小山良介 -专利权人：中外炉工业株式会社
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种使用能够进行均匀蒸镀的升华型SiO作为靶材、且能够进行不着色而透明的成膜的方法及装置。以蒸镀面13a朝向成膜室12内侧的方式搬入基材13；在基材13的背面配置磁铁29；在配置于成膜室12内的坩埚21中收纳SiO；利用等离子体发生装置11对作为靶材22的SiO照射等离子体而使SiO蒸发；在基材；通过在等离子体限制空间35内使所述蒸发出的SiO和等离子体反应而使SiO活化形成SiO₂，从而不使用氧气作为反应气而在基材13的蒸镀面13a上形成SiO₂膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201380026913.4有效
发明人：小林俊之;清水圭辅;角野宏治;水口由纪子;村上洋介 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-04-24 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：提供了一种成膜装置，包括辊对辊机构和加热单元。辊对辊机构被配置为传输成膜靶并包括张力释放单元，所述张力释放单元被配置为释放施加至所传输的成膜靶的张力。所述加热单元被配置为加热由辊对辊机构传输的成膜靶。
装置方法

[发明专利]成膜设备以及成膜方法-CN200880114150.8有效
发明人：吉冈润一郎;堀江邦明;南部信政 -专利权人：荏原优吉莱特株式会社
申请日： 2008-10-30 - 公布日： 2010-09-22 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：在真空槽(3)内的第1成膜工作台(8)上配置有构成溅射装置的溅射装置(10)，在第2成膜工作台(9)上配置有蒸镀装置(11)。一边使转盘(4)旋转一边使溅射装置(10)工作来进行形成薄膜的溅射工序。
设备以及方法

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201480043229.1有效
发明人：尾崎悟;徳嵩佑 -专利权人：株式会社岛津制作所
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置以及成膜方法。此成膜装置具备包含电极部21及靶材料22的溅镀电极23。
装置以及方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN200880110929.2有效
发明人：本田和义;神山游马;别所邦彦;柳智文;篠川泰治;佐藤俊忠 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供能够以低成本进行成膜的成膜方法和成膜装置。本发明的成膜方法包括：(i)将薄膜的固体原料(51)熔融，形成熔融液，使该熔融液(51a)凝固，形成棒状体(51b)，将该棒状体(51b)拉出的工序；(ii)使棒状体(51b)的一部分熔融，向熔融液(蒸发源
装置方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200880110410.4有效
发明人：今北健一;森田正;山本弘辉;森本直树;锅谷章生;中村真也 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2008-09-29 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种改善膜厚均匀性的成膜装置和成膜方法。旋转机构(24，26，27，29，31，MT)将带溅射面的靶(32)保持在与基板(S)表面倾斜的状态。在成膜时，旋转机构保持靶(32)的旋转角度。
装置方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN200980104472.9有效
发明人：山本治彦;国分健二郎 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2009-04-08 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： C23C28/00 文献下载
摘要：一种成膜装置(10)，能提高形成于氧化物膜上的疏水膜机械阻力。所述成膜装置(10)包括：氧化物膜形成单元(14、15、16)，其通过向在真空槽(11)中旋转的基板放出粒子，从而在所述基板上形成被氧化膜，通过向所述被氧化膜照射氧等离子体在所述基板上形成氧化物膜。气相沉积单元(17)将具有水解性的缩聚基与疏水基的硅烷偶联剂气相沉积于所述氧化物膜上。缩聚单元(20)，通过向所述旋转基板上的所述氧化物膜供给水，使所述硅烷偶联剂缩聚。所述缩聚单元在所述气相沉积单元于氧化物膜上气相沉积硅烷偶联剂之前，给氧化物膜供水。
装置方法

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