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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202110096134.8在审
发明人：加藤寿;石井亨;瀬下裕志;佐瀬雄一郎 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供能够形成高品质的半导体膜的技术。本公开的一技术方案的成膜装置具有：旋转台，其设于真空容器内；载置台，其沿着所述旋转台的周向设置，用于载置基板；处理区域，在该处理区域，朝向所述旋转台的上表面供给处理气体；热处理区域，其沿着所述旋转台的周向与所述处理区域分离开地配置
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN201980090999.4在审
发明人：今北健一;小野一修;北田亨;佐藤圭祐;五味淳;横原宏行;曽根浩 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：成膜装置具备：处理容器；基板保持部，其在处理容器内保持基板；靶电极，其配置于基板保持部的上方，用于保持由金属构成的靶，并向靶提供来自电源的电力；氧化气体导入机构，其向基板供给氧化气体；以及气体供给部，其向靶配置空间供给非活性气体从靶发射出该靶的构成金属来作为溅射粒子以在基板上沉积金属膜，通过从氧化气体导入机构导入的氧化气体对金属膜进行氧化来形成金属氧化膜。
装置方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202010716476.0在审
发明人：大潭笃史 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：提供一种获得能够以更高的膜厚精度形成薄膜的成膜对象物的运送速度的技术。成膜方法以横穿靶的方式相对于靶相对地运送成膜对象物，并通过对靶进行溅射的连续溅射，在成膜对象物上形成膜。成膜方法具有测量工序、保存工序、速度确定工序以及成膜工序。在测量工序中，预先测量成膜对象物的运送速度的倒数与成膜对象物上形成的膜的膜厚之间的对应关系。在保存工序中，保存对应关系。在速度确定工序中，根据膜厚的目标值与该对应关系，确定运送速度。在成膜工序中，以在速度确定工序中确定的运送速度运送成膜对象物，并通过连续溅射在成膜对象物上形成膜。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202011002086.3在审
发明人：高木聪;北村和也;蔡秀林 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，能够将半导体膜选择性地形成于氮化膜和氧化膜中的氮化膜。成膜方法包括以下工序：对露出氮化膜的区域与露出氧化膜的区域相邻的基板供给含氟气体，使氟形成于所述基板，并且选择性地蚀刻所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜，使所述氮化膜的表面相对于所述氧化膜的表面凹陷来在所述氧化膜的侧面形成台阶面；以及在使氟吸附于所述基板并且形成所述台阶面的工序之后，对所述基板供给包含半导体材料的原料气体，将半导体膜选择性地形成于所述氮化膜和所述氧化膜中的所述氮化膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201980043051.3在审
发明人：矢岛贵浩;中村文生;加藤裕子;植喜信;小仓祥吾 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明的一个方式涉及的成膜装置具有腔室、工作台、光源单元、气体供给部以及清洗单元。所述腔室具有：腔室主体，其具有成膜室；顶板，其安装在所述腔室主体，具有窗部。所述工作台配置在所述成膜室，具有支承基板的支承面。所述光源单元设置在所述顶板，具有经由所述窗部向所述支承面照射能量束的照射源。所述气体供给部将原料气体供给至所述成膜室，所述原料气体包含受所述能量束的照射而固化的能量束固化树脂。所述清洗单元连接至所述腔室，向所述成膜室导入清洗气体，所述清洗气体去除附着在所述顶板、腔室的所述能量束固化树脂。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010811945.7在审
发明人：小川淳;吹上纪明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置和成膜方法，能够在以在形成于基板的表面的凹部中埋入氮化硅膜的方式进行成膜时抑制生产率的下降，并且抑制在进行该氮化硅膜的成膜后进行的不必要的蚀刻。所述成膜方法实施以下工序：在旋转台以第一转速进行旋转的期间，对第一区域进行原料气体的供给并且以第一流量对第二区域进行所述氨气的供给，来在凹部内进行第一氮化硅膜的成膜；以及在旋转台以比第一转速低的第二转速旋转的期间，对第一区域供给原料气体并且以比第一流量小的第二流量对第二区域进行的所述氨气的供给，来在凹部内以层叠于第一氮化硅膜的方式进行第二氮化硅膜的成膜。
方法装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202010842303.3在审
发明人：小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-20 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置及成膜方法。本发明的课题是：在以填充形成于基板的表面的凹部图案的方式成膜为硅氮化膜时，无间隙地填充凹部图案。在表面形成有凹部图案的基板上成膜为硅氮化膜的成膜方法中，包括如下工序：向存储前述基板的处理容器内分别供给包含硅的原料气体和对前述原料气体进行氮化的氮化气体，沿着前述基板的表面形成保形的硅氮化膜的工序；在停止向前述处理容器内供给硅原料气体的状态下，向前述基板供给用于对前述硅氮化膜进行整形的等离子体化的整形用气体，以使前述硅氮化膜的膜厚自凹部图案的底部侧向上部侧变薄的方式使前述硅氮化膜收缩的工序；和，交替地重复进行形成前述硅氮化膜的工序与使前述硅氮化膜收缩的工序，将硅氮化膜嵌入于前述凹部图案的工序。
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010788135.4在审
发明人：羽根秀臣;小山峻史;大槻志门;向山廉;吹上纪明;小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]当在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且能使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向在表面具备孵育时间彼此不同的第1膜和第2膜的基板供给等离子体化的氢气的工序；向基板供给由卤化硅构成的处理气体的工序；依次重复进行供给等离子体化的氢气的工序与供给处理气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的硅的薄层的工序；向前述基板供给用于使硅的薄层氮化的第2氮化气体，形成氮化硅的薄层的工序；向基板供给原料气体和第1氮化气体，在氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202010789975.2在审
发明人：羽根秀臣;大槻志门;小山峻史;向山廉;小川淳;吹上纪明 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明涉及成膜方法和成膜装置。[课题]在表面露出有第1膜和第2膜的基板上成膜氮化硅膜时，抑制第1膜或第2膜的氮化，且使第1膜上和第2膜上的各氮化硅的膜厚一致。[解决方案]实施如下工序：向基板供给由具有Si‑Si键的卤化硅构成的处理气体的工序；向基板供给未经等离子体化的第2氮化气体的工序；依次重复进行供给处理气体的工序与供给第2氮化气体的工序，形成覆盖第1膜和第2膜的氮化硅的薄层的工序；为了将氮化硅的薄层改性，向基板供给等离子体化的改性用气体的工序；和，向前述基板供给原料气体和第1氮化气体，在经改性的氮化硅的薄层上成膜氮化硅膜的工序。
方法装置

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202010982683.0在审
发明人：佐佐木优;城俊彦;加藤寿;高桥宏辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置和成膜方法。提供一种能够以较高的精度调整膜厚的面内分布的技术。本公开的一方式的成膜装置包括：处理室；旋转台，其设于所述处理室内，具有能够在上表面沿着周向载置基板的基板载置区域；原料气体供给部，其设于所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的半径方向延伸；多个辅助气体供给部
装置方法

[发明专利]成膜装置以及成膜方法-CN201980056231.5在审
发明人：小平周司;高桥铁兵;飞石尭大;山村典史;片桐弘明;久保纯也;铃木正明 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：以高量产性且更均匀的膜厚分布在基板上形成膜。在成膜装置中，基板支架支撑至少一个与第一靶相向的基板，以第一中心轴为中心旋转，基板能够以偏离上述第一中心轴的第二中心轴为中心旋转。
装置以及方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202110614529.2在审
发明人：反田雄太;齐藤哲也;大仓成幸;古屋雄一;原正道 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： C23C16/16 文献下载
摘要：本公开提供一种成膜装置和成膜方法，能够进行抑制了微粒的影响的成膜。在基板上形成膜的成膜装置具有：腔室；基板载置台，其设置于腔室内，载置基板并且将基板保持为成膜温度；气体供给部，其供给包含成膜原料气体的气体；气体喷出构件，其与基板载置台相向地设置，具有用于喷出从气体供给部供给的包含成膜原料气体的气体的气体喷出区；以及过滤器，其以覆盖气体喷出构件的同与基板载置台相向的相向面相反一侧的面的至少气体喷出区的方式设置，所述过滤器使包含成膜原料气体的气体通过来捕获包含成膜原料气体的气体中的微粒。
装置方法

[发明专利]成膜装置和成膜方法-CN202110652860.3在审
发明人：竹内淳史;北田亨;中村贯人;五味淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供成膜装置和成膜方法。不用事先对靶进行加工，就能够判断靶的更换时刻。一种成膜装置，其利用磁控溅射法在基板上形成膜，其中，该成膜装置具有：基板保持部，其保持基板；保持件，其以强磁性材料的靶朝向所述基板保持部的方式保持该靶；磁体单元，其设于所述保持件的与所述基板保持部相反的一侧
装置方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202110652858.6在审
发明人：大槻友志;加贺谷宗仁;铃木悠介 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法和成膜装置，用于检测在形成有包括凹部的图案的基板上成膜出的膜的状态。在第一测定工序中，通过红外光谱法来测定形成有包括凹部的图案的基板。在成膜工序中，在第一测定工序之后，对基板进行膜的成膜。在第二测定工序中，在成膜工序之后，通过红外光谱法来测定基板。在提取工序中，提取第一测定工序的测定数据与第二测定工序的测定数据的差数据。
方法装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN202080064516.6在审
发明人：室谷裕志;宫内充祐;大泷芳幸;长谷川友和;松平学幸 -专利权人：学校法人东海大学;株式会社新柯隆
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：在成膜室(2a)的内部至少设置蒸镀材料和基板(S)，通过排气和/或提供不改变蒸镀材料的组成的气体，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述基板(S)的第1区域(A)设定为0.05Pa～100Pa的气氛，将所述成膜室(2a)的内部的包含所述蒸镀材料的第2区域(B)设定为0.05Pa以下的气氛，在上述的状态下，通过真空蒸镀法，在第2区域(B)中使蒸镀材料蒸发，在第1区域(A)中将蒸发出的蒸镀材料成膜在被蒸镀物上。
方法装置

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