“长江亦周”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果40个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置-CN202321216174.2有效
发明人： 长江亦周;青山贵昭;冈田胜久;渡边健 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2023-05-19 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种等离子体发生装置的线圈和等离子体发生装置，该线圈包括至少一个由导线卷绕而成的螺旋部，对于所述线圈的至少一个所述螺旋部，所述导线的投影面积Sa与所述螺旋部的外缘所包围的区域的投影面积S的比值为0.07～0.5。本申请的线圈能够改善该线圈导入的电磁场所产生的等离子体的均匀性。
等离子体发生装置线圈

[发明专利]离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法-CN202111638914.7在审
发明人： 长江亦周;青山贵昭;宫内充祐;松本繁治;斋藤大嗣 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种离子引出栅极、离子源以及离子引出栅极的制造方法。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。
离子引出栅极离子源以及制造方法

[发明专利]磁控溅射源及其溅射成膜装置-CN202110312735.8在审
发明人： 长江亦周;宫内充祐 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种磁控溅射源以及溅射成膜装置，其中，一种磁控溅射源，包括：被驱动围绕一转动轴线旋转的旋转靶材；设置在所述旋转靶材内部的磁体组件；用于调节至少部分所述磁体组件相对于所述转动轴线的位置的磁场调整机构。该磁控溅射源及其溅射成膜装置能够在成膜过程中能够根据基板的形状使得膜的沉积可被控制，以此在基板的表面获得均一的膜厚。
磁控溅射及其溅射装置

[实用新型]离子引出栅极以及离子源-CN202123375764.3有效
发明人： 长江亦周;青山贵昭;宫内充祐;松本繁治;斋藤大嗣 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01J37/08 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种离子引出栅极以及离子源。所述离子引出栅极的截面呈弧状，在离子引出栅极上设置有贯穿离子引出栅极且中心轴线为直线的多个孔部；其中，多个孔部中的至少一部分孔部的中心轴线与孔部周围的离子引出栅极的表面的切线不垂直，和/或，离子引出栅极的厚度根据孔部的大小和相邻孔部之间的间隔被确定。由此，离子能够高效地通过离子引出栅极的孔部，从而进一步提升离子源的效率；此外，可以在提高栅极的离子束引出效率从而加大离子束密度的同时，兼顾地提高栅极的机械强度和延长使用寿命。
离子引出栅极以及离子源

[发明专利]薄膜形成装置-CN202010092653.2在审
发明人： 长江亦周;宫内充祐;高坂佳弘;青山贵昭;远藤光人 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请公开一种低折射率薄膜形成装置，包括：用于容纳基板的真空成膜室；用于向所述真空成膜室导入气体的导入机构；用于在所述真空成膜室中形成等离子体的等离子源；所述等离子源能在所述基板上利用所述气体进行等离子体化学气相沉积成膜。本申请所公开的薄膜形成装置能够制造大面积的实用化的且成本的低折射率的薄膜。
薄膜形成装置

[发明专利]成膜装置-CN201911094854.X在审
发明人：盐田有广;青山贵昭;远藤光人;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2019-11-11 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请提供一种成膜装置，包括：真空容器；绕垂直轴线转动的基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射离子到达所述基板；可拆卸地安装于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开。本申请提供的成膜装置能够改善成膜质量。
装置

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201710229298.7有效
发明人： 长江亦周;宫内充祐;大泷芳幸;重田勇辉;佐守真悟 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置及成膜方法，其用于形成薄膜，所述成膜装置包括：真空腔室；排气机构，其与所述真空腔室相通以进行排气；基板保持机构，其用于将基板保持在所述真空腔室内；成膜机构，其设置于所述真空腔室内；导入机构，其与所述真空腔室相连通；所述导入机构能够在所述成膜机构的成膜过程中向所述真空腔室内导入含羟基气体。
装置方法

[实用新型]靶材溅射装置及其成膜装置-CN202020180266.X有效
发明人： 长江亦周;菅原卓也;宫内充祐;山本摄也 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本申请公开一种靶材溅射装置，包括：用于支撑靶材的支撑壳体；所述支撑壳体背对所述靶材的一侧设有两个或更多个用于输入溅射气体的气体输入部；所述支撑壳体设有所述靶材的一侧具有用于输出所述溅射气体的气体输出部；至少两个所述气体输入部位于所述支撑壳体的不同位置。本申请所提供的一种靶材溅射装置及其成膜装置能够在校正膜厚的基础上，避免降低溅射效率。
溅射装置及其

[发明专利]溅射成膜装置及其溅射成膜方法、化合物薄膜-CN201910129730.4在审
发明人： 长江亦周;稻濑阳介;菅原卓哉 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本申请公开一种溅射成膜装置，包括：具有排气机构的真空容器；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部并且在空间上相互分离的溅射区域和反应区域；所述溅射区域被配置为通过溅射靶材在基板上形成溅射物质；所述反应区域被配置为导入两种以上的反应气体并在该反应区域生成等离子体；所述反应区域通过等离子体中的离子与所述溅射物质相互作用形成含有至少四种元素的化合物薄膜。该溅射成膜装置便于形成期望材料的薄膜，并在形成四种元素以上的化合物薄膜时，并不受化合物材料的限制，同时成膜效率较快，具有非常良好的应用价值。
溅射装置及其方法化合物薄膜

[发明专利]成膜装置-CN201710228584.1有效
发明人： 长江亦周;菅原卓哉;青山贵昭 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-04-10 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置，该成膜装置包括：真空容器；与所述真空容器内部连通的排气机构；基板保持单元，其能保持多个基板；位于所述真空容器内部的成膜区域，所述成膜区域能够通过溅射从靶材释放出溅射粒子到达所述基板；位于所述真空容器内的隔离单元，其将所述成膜区域与所述真空容器内的其他区域隔开；所述隔离单元被配置为将所述成膜区域与所述成膜区域的外部连通。
装置

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201510711369.8有效
发明人：石田将崇;林达也;菅原卓哉;我妻伸哉;宫内充祐;姜友松;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供成膜方法和成膜装置。本发明的方法是下述成膜方法：通过将施加有电压的多个基板依次导入成膜区域内的规定位置，成膜区域是利用溅射放电的溅射等离子体从靶材释放出的溅射粒子所到达的区域，由此使溅射粒子到达基板的表面并堆积，并进行使溅射等离子体中的离子撞击基板或溅射粒子的堆积物的等离子体处理，形成薄膜，其中，在形成于具有排气系统的真空容器内的成膜区域内，进行溅射粒子的堆积和基于溅射等离子体的等离子体处理而形成中间薄膜，然后通过使基板保持器旋转而使基板移动至被配置成与成膜区域在空间上分离的反应区域内，进行使溅射等离子体之外的其他等离子体中的离子撞击中间薄膜的等离子体再处理，形成薄膜。
方法装置

[发明专利]等离子体源机构及薄膜形成装置-CN201810265405.6在审
发明人：菅原卓哉;宫内充祐;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： C23C14/46 文献下载
摘要：本发明公开一种等离子体源机构及薄膜形成装置，其中，所述等离子源机构能够适用于具有真空槽的薄膜形成装置；所述等离子体源机构包括：安装于所述真空槽外的壳体；位于所述壳体内的天线组件，其经由电介质部配置在所述真空槽外；所述天线组件包括多个天线部；各个所述天线部具有单独的被施加高频电力的连接部；任一所述天线部所在区域与其他所述天线部所在区域无重叠区域。本发明提供的等离子体源机构及薄膜形成装置能够扩大ICP放电范围。
等离子体源机构薄膜形成装置天线部真空槽所在区域天线组件等离子源电介质部高频电力无重叠放电壳体施加体内配置

[实用新型]成膜装置-CN201821666566.8有效
发明人： 长江亦周;尹诗流;马图腾;宫内充祐 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2018-10-15 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本申请公开一种成膜装置，包括：真空容器；位于所述真空容器内的基板支架，其具有用于保持基板的基板保持面；位于所述真空容器内的成膜单元，其用于在所述基板上形成薄膜；位于所述真空容器内的照射单元，其用于向所述基板支架发射粒子；所述照射单元能使所述基板保持面的电位状态为单一电位。本申请提供的成膜装置在成膜过程中不会产生异常放电，保证薄膜形成过程的稳定，提升成膜质量。
真空容器成膜装置基板支架照射单元基板电位薄膜形成过程基板保持面成膜单元成膜过程电位状态基板保持异常放电成膜薄膜申请粒子发射保证

[发明专利]成膜装置-CN201710524216.1在审
发明人： 长江亦周;高坂佳弘;青山贵昭;远藤光人 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本发明公开一种成膜装置，包括：容器，其内部能容置基板；能将所述容器内部排气至真空状态的排气机构；储藏溶液的储藏机构；能将所述溶液排出至所述基板上的喷嘴；加热机构，其能对所述喷嘴和/或所述容器内部加热。本发明提供的成膜装置能够减少或消除基板在成膜过程中形成的液迹。
成膜装置基板容器内部喷嘴成膜过程加热机构排气机构真空状态排出容置排气加热

[发明专利]LED光源装置、膜厚测量装置以及薄膜形成装置-CN201280069673.1有效
发明人：佐井旭阳;日向阳平;大泷芳幸;宫内充祐;长江亦周 -专利权人：株式会社新柯隆
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：提供能够增大光量变化量的膜厚测量用的LED光源装置(30)。LED光源装置(30)配置有：多个LED发光源(34～36)；多个准直构件(342、352、362)，它们配置于各发光源的下游侧，并使来自各发光源的入射光分别准直地射出；多个第1滤光构件(37、38)，它们配置于各准直构件的下游侧，并仅使入射光中的特定波长区域以上的光透射和/或反射，或者仅使特定波长区域以下的光透射和/或反射而射出；以及聚光构件(39)，其配置于第1滤光构件(38)的更下游侧，并使来自各第1滤光构件的入射光会而射出，并且，在各准直构件(342、352、362)的下游侧且在各第1滤光构件(37、38)的上流侧，配置有仅使来自各准直构件的入射光中的特定范围的波长透射而射出的第2滤光构件(344、354、364)。
滤光构件准直构件入射光射出配置波长区域发光源光透射反射薄膜形成装置膜厚测量装置光量变化聚光构件膜厚测量波长透射准直

1
2
3
下一页»
尾页
共 40 条