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[发明专利]MOS-HEMT器件及其制作方法-CN201110221372.3有效
发明人：刘洪刚;卢力;常虎东;孙兵 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有异质结结构，所述异质结结构包括：依次位于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和帽层；在所述帽层上依次形成第一金属层和第一介质层；在所述衬底上形成源极和漏极；依次刻蚀所述第一介质层
mos hemt 器件及其制作方法

[发明专利]提高二硫化钼锯齿形条带自旋极化率的异质结结构及方法-CN201810928184.6有效
发明人：阮良浩;王晶;赵文生;张海鹏 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高二硫化钼锯齿形条带自旋极化率的异质结结构及方法。本发明异质结结构中的散射区由沿输入端至输出端方向排布的散射区一段、散射区二段和散射区三段组成；散射区一段和散射区三段为宽度和长度均相等的锯齿型条带；散射区三段与散射区一段的长度方向一致，散射区二段的长度方向与散射区一段的长度方向呈
提高二硫化钼锯齿形条带自旋极化异质结结构方法

[发明专利]一种基于p-n异质结结构NiO-In2-CN201910026841.2有效
发明人：沈岩柏;毕洪山;赵思凯;韩聪;崔宝玉;魏德洲;张云海;魏可峰 -专利权人：东北大学
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明一种基于p‑n异质结结构NiO‑In2O3复合纳米球的气体传感器及其制备方法，属于半导体金属氧化物的气体传感器领域一种p‑n异质结结构NiO‑In2O3复合纳米球的制备方法，所述方法为将四水合三氯化铟、六水合硝酸镍、一水合柠檬酸和尿素按照摩尔比为
一种基于异质结结构 nio in base sub

[实用新型]一种具有异质结结构的背引出硅太阳电池-CN200820154955.2无效
发明人：李涛勇 -专利权人：李涛勇
申请日： 2008-11-06 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型涉及硅太阳电池，公开了一种具有异质结结构的背引出硅太阳电池，其功能层依次包括：N型扩散层[2]，PN结[3]，P型基片[4]，背面钝化层[5]，P型基片引出电极[6]，连通孔导体[7]和N型扩散层引出电极[8]；根据本实用新型：在N型扩散层[2]的外表面还淀积有一层N型的或本征的宽禁带硅薄膜层[1]，在N型扩散层[2]和N型的或本征的宽禁带硅薄膜层[1]之间形成不同禁带宽度硅之间的异质结结构。
一种具有异质结结构引出太阳电池

[发明专利]掩埋异质结结构及其制备方法、激光器-CN202210163029.6有效
发明人：单智发;张永;张双翔;陈阳华 -专利权人：全磊光电股份有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种掩埋异质结结构及其制备方法、激光器，包括：在P型衬底层上依次生长外延层和图形化的N型光栅层，其中，外延层包括由下至上层叠设置的P型缓冲层、P型限制层、P型波导层、量子阱有源层、N型波导层、；在图形化的N型光栅层上依次生长光栅掩埋层、牺牲层和图形化的硬掩膜层；通过图形化的硬掩膜层刻蚀牺牲层、光栅掩埋层、图形化的N型光栅层、外延层以及P型衬底的两侧，以形成两侧的台面；在各台面上生长电流限制结构，电流限制结构用于限制漏电流；去除图形化的硬掩膜层和牺牲层；在光栅掩埋层和电流限制结构的表面依次生长联接层、势垒层和欧姆接触层，以实现低阈值的掩埋异质结结构的制备。
掩埋异质结结构及其制备方法激光器

[发明专利]GaN高电子迁移率晶体管和GaN二极管-CN201310706281.8有效
发明人：雷德弗里德勒·阿德里安斯·玛利亚·胡尔克斯;杰伦·克龙;约翰尼斯·唐克斯;斯蒂芬·海尔;简·雄斯基 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：GaN异质结结构具有三层电介质结构。栅电极的底部和中部一起限定了栅脚，并且与两个电介质层相关联。较薄的第一电介质与栅电极底部处的栅极边缘相邻。第二电介质层与传统结构中的层相对应，并且第二电介质层与栅脚的主要部分齐平。
gan 电子迁移率晶体管二极管

[发明专利]具有有序介孔结构的氮化碳同型异质结的制备方法及其应用-CN201810431455.7在审
发明人：姜廷顺;黄秋艳;董明锋 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明属于无机化学领域，涉及一种以双氰胺、尿素以及硬模板氧化硅SBA‑15为原料制备出具备有序介孔结构的氮化碳同型异质结结构，并将其应用到甲基橙的污水处理中。制备过程分为两步：首先，制备氧化硅硬模板SBA‑15；然后，制备具有有序介孔结构的氮化碳同型异质结材料。有序介孔结构的引入，带来了超高的比表面积，增强了可见光的利用效率；同型异质结的合理设计和构建加速了光生电子空穴对的分离，提高了催化剂的量子效率。
介孔结构氮化碳制备甲基橙氧化硅异质结硬模板空穴无机化学领域光催化活性异质结材料异质结结构可见光光生电子量子效率原料制备制备过程双氰胺构建降解催化剂尿素应用污水处理引入

[发明专利]一种带有电极的金刚石薄膜/GaN异质结的制备方法-CN201610479524.2有效
发明人：王林军;杨蔚川;黄健;李伦娟;任兵;赵申洁 -专利权人：上海大学
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有电极的金刚石薄膜/GaN异质结的制备方法。属于半导体器件材料制造工艺技术领域。本发明是在n型GaN衬底上采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备一层p型纳米金刚石(p‑NCD)薄膜，从而制备出一个p‑NCD/n‑GaN的异质结结构器件。本发明的目的是提供一种低成本、高质量的p‑NCD/n‑GaN异质结制备方法。其特点在于，采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法首次在n型GaN上制备了p型纳米金刚石薄膜(p‑NCD)形成异质结。
一种带有电极新型金刚石薄膜 gan 异质结制备方法

[发明专利]一种硫化镍-磷化镍异质结纳米材料及其制备方法-CN202210677827.0在审
发明人：董斌;王福利;张鑫宇;董宜文;柴永明 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明属于新材料技术领域，公开了一种硫化镍‑磷化镍异质结纳米材料及其制备方法、作为电催化水分解氧析出反应的催化剂的应用。本发明通过X‑射线衍射分析证实了所述硫化镍‑磷化镍异质结纳米材料异质结结构，通过扫描电子显微镜表征了所述硫化镍‑磷化镍异质结纳米材料尺寸和纳米片形貌。本发明所述硫化镍‑磷化镍异质结纳米材料氧析出反应性能高，电化学活性面积大，能够暴露出更多的活性位点，且制备方法操作简单、高效、绿色环保，可以大规模生产扩展了硫化镍/磷化镍的合成方法，对研究镍基过渡金属硫
一种硫化磷化镍异质结纳米材料及其制备方法

[发明专利]一种可用于高速光电探测的Bi(Fe,Zn)O3-CN202110288347.0有效
发明人：董立峰;夏丰金;马帅;沙震宗 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种基于锌掺杂铁酸铋/氧化镍材料的全氧化物薄膜异质结，属于半导体器件技术领域。本发明公开了一种精确制备锌掺杂铁酸铋/氧化镍薄膜异质结的方法，所述的异质结采用溶胶凝胶技术，可精确控制各层元素化学计量比、同时保证各层薄膜良好的结晶性及均匀致密的形貌，可控性强、工艺简单、制备效率高。本发明实现了锌掺杂铁酸铋与氧化镍的良好匹配、耦合形成异质结结构，利用铁酸铋极化电场和异质结内建电场相结合促进光生载流子输运，获得可见光范围内高速光电响应特性，可用于制作相关半导体光电探测器件，对氧化物钙钛矿薄膜在半导体器件领域的实用化具有重要意义
一种用于高速光电探测 bi fe zn base sub

[发明专利]一种多铁材料铁酸铽p-n异质结、制备方法及用途-CN201310126196.4无效
发明人：李培刚;李文丽;王顺利;沈静琴;钱惠琴;唐为华 -专利权人：浙江理工大学
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种多铁材料p-n异质结及其制备方法，具体是指具有正向二极管整流特性的铁酸铽(TbFeO3)的p-n异质结及其制备方法。本发明中该异质结由p型多铁材料TbFeO3和n型半导体材料掺铌的硅片n-Si构成，其制备方法是通过固相烧结法制备TbFeO3靶材，然后对衬底清洗，再射频磁控溅射沉积薄膜，最后进行沉积，并关闭加热器使衬底自然降至室温，即可制得铁酸铽p-n异质结。本发明的优点是异质结结构简单，且制备方法简单、可重复性好，制备的产品具有良好的二极管正向整流特性等。本发明的产品在室温下具有良好的二极管正向整流特性。
一种材料铁酸铽异质结制备方法用途

[发明专利]用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法-CN201310474761.6有效
发明人：黄海宾;周浪;崔冶青;高江 -专利权人：南昌大学
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于太阳能电池的多晶硅/单晶硅异质结结构及其制备方法。其结构为单晶硅片上一层掺杂类型相反的多晶硅薄膜作为发射极。多晶硅薄膜的结构及厚度、掺杂浓度分布均是可调的。本发明可获得更灵活的晶硅太阳能电池pn结结构和制备方法，为进一步改善晶硅太阳能电池器件结构和工艺，提高其转换效率提供了空间。
用于太阳能电池多晶单晶硅异质结结构及其制备方法

[发明专利]GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法-CN201210496057.6有效
发明人：代盼;陆书龙;何巍;季莲;杨辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：、位于GaAs子电池上方的GaInP子电池以及位于所述GaAs子电池和GaInP子电池之间的隧道结，所述GaInP子电池包括形成于所述隧道结上的势垒层，所述势垒层为p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构本发明基于p+-AlInP/p+-GaInP双异质结结构对p型掺杂源Be的扩散的抑制，利用分子束外延生长方法，将常用的AlGaInP做势垒和背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构优化为p+-AlInP/p+-GaInP做势垒同时AlInP作为顶层电池的背场的双结GaInP/GaAs太阳电池结构。
gaas gainp 太阳能电池及其制作方法

[发明专利]用于材料和结构感测的表面声波RFID传感器-CN201780065170.X在审
发明人：阿亚尔·拉姆;阿米尔·利希滕斯坦 -专利权人：艾皮乔尼克控股有限公司
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：本申请描述了基于表面声波(SAW)换能器和二维电子气(2DEG)或二维空穴气(2DHG)导电结构的组合的零功率射频识别(RFID)传感器芯片的实施方案，及其作为用于材料和结构感测的超灵敏麦克风的用途。所述SAW RFID传感器包含在其上沉积多层异质结结构的压电衬底。所述异质结结构包括至少两层即缓冲层和阻挡层，其中两层均由III‑V单晶或多晶半导体材料诸如Ga N/Al Ga N生长。
阻挡层两层二维电子气二维空穴气表面声波缓冲层感测构型多晶半导体材料叉指换能器传感器芯片多层异质结灵敏麦克风异质结结构导电沟道导电结构电容耦合空穴电流漏极接触射频识别压电衬底换能器界面处零功率单晶沟道三层源极沉积生长转换申请

[发明专利]一种Ag/BiOCl/AgIO3-CN202010604855.0有效
发明人：谈国强;张碧鑫;张丹;王敏;党明月;王勇;任慧君;夏傲;刘文龙 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B01J27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种Ag/BiOCl/AgIO3异质结光催化剂及其制备方法和应用，所述方法包括步骤1，先将暴露(001)晶面的BiOCl粉体用去离子水制备成悬浊液，之后加入:Sub>粉体，混合均匀得到混合体系；步骤2，将混合体系在光源下进行光照反应，得到反应液；步骤3，将反应液中的产物分离后干燥，得到Ag/BiOCl/AgIO3异质结光催化剂Ag的电子会转移至BiOCl，抬升BiOCl的费米能级，I型能带结构的BiOCl和AgIO3转变为直接Z型(交错式)异质结结构，提高了光生电子的还原能力和光生空穴的氧化能力，加速了激子在异质结界面处解离，使异质结光催化剂可有效降解有机污染物。
一种 ag biocl agio base sub