“异质结结构”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9485601个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]非对称闭锁双向氮化镓开关-CN201710672810.5有效
发明人：大卫·谢里丹 -专利权人：万国半导体（开曼）股份有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管(HEMT)氮化镓(GaN)双向闭锁器件包括一个异质结结构，包括两个不同带隙的第一半导体层和第二半导体层相交接，从而将交界面层制成一个二维电子气(2DEG)层。HEMT GaN双向闭锁器件还包括一个第一源极/漏极电极和一个第二源极/漏极电极，位于所述的异质结结构上方的栅极电极的两个对边上，用于控制2DEG层中第一和第二源极/漏极电极之间的电流，其中栅极电极与第一源极
对称闭锁双向氮化开关

[发明专利]一种可见光敏化半导体复合光催化材料及其制备方法-CN201310199995.4无效
发明人：施利毅;赵尹;王舒洁;袁帅;王竹仪;张美红 -专利权人：东莞上海大学纳米技术研究院;上海大学
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： B01J23/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种可见光敏化半导体复合光催化材料，其特征在于，其为多级异质结结构的TiO2/Bi2WO6复合晶体，其由以下摩尔比组分制成：TiO2纳米晶1～30：钨盐1：铋盐1.8～2.2。本发明的有益效果是：本发明提供的TiO2/Bi2WO6复合晶体，形成多级异质结结构，更利于光生载流子分离；制备过程中通过优化反应溶剂组成及配比，控制复合体系中Bi2WO6相的颗粒尺寸，获得纳米级的TiO2
一种可见光敏半导体复合光催化材料及其制备方法

[发明专利]一种Co-B/Co-MOF纳米材料及其制法与应用-CN202110638314.4有效
发明人：田静琦;张星秀 -专利权人：扬州大学
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C25B11/095 文献下载
摘要：纳米材料是包括将六水硝酸钴、对苯二甲酸和聚乙烯吡咯烷酮(PVP)溶于DMF、水和乙醇的混合溶液中作为前驱体溶液，通过溶剂热法合成二维片状的Co‑MOF材料，再以硼氢化钠为硼源，在室温下将Co‑MOF材料硼化后在其表面获得了异质结结构该工艺过程简便、原料廉价，在Co‑MOF材料表面硼化的异质结结构提供了一种关于MOF的表面衍生处理方式，并形成了片上长片的结构，在电催化析氧中表现出优异的性能。此二次生长的片有无定形结构和晶相结构，通过晶相与非晶相的有效结合，调控了界面效应，实现高效电催化水氧化。
一种 co mof 纳米材料及其制法应用

[发明专利]一种半导体光催化材料的掺杂方法-CN202111646831.2在审
发明人：陈伏生 -专利权人：宁波晶鑫电子材料有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： B01J23/66 文献下载
摘要：半导体‑金属异质结的设计和构造被认为是克服半导体可见光吸收有限的有效方法。本发明发明了一种简便、简便的用锌和铜溶液反应一步电置换合成Ag/ZnO异质结的掺杂方法，并通过一步电置换法制备了一种含有Ag/ZnO异质结结构的半导体光催化材料。该半导体光催化材料可以利用具有可见光吸收作用的Ag/ZnO异质结催化可见光照射下罗丹明B的降解，增强材料的光催化性能。
一种半导体光催化材料掺杂方法

[发明专利]一种铋酸铜/碳酸氧铋异质结光催化剂及制备方法和应用-CN202210887134.4有效
发明人：谈国强;毕钰;杨迁;张碧鑫;冯帅军;王敏;王勇;任慧君;夏傲 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B01J27/232 文献下载
摘要：本发明提供一种铋酸铜/碳酸氧铋异质结光催化剂及制备方法和应用，所述铋酸铜/碳酸氧铋异质结光催化剂为CuBi2O4和Bi2O2CO3复合形成的异质结结构，通过超声法或搅拌法制备得到，制备的CuBi:Sub>O4/Bi2O2CO3异质结光催化剂在紫外
一种铋酸铜碳酸氧铋异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]一种异质P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法-CN202111070352.0在审
发明人：马晓华;陆小力;何云龙;郑雪峰;王当坡;张方;洪悦华;杨一彤;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质P型调制氧化镓功率二极管及其制备方法，该异质P型调制氧化镓功率二极管，包括：阴极、衬底层、漂移层、介质层和阳极，其中，阴极、衬底层和漂移层自下而上依次层叠设置；漂移层上刻蚀形成若干柱状结构，相邻柱状结构之间形成凹槽；介质层设置在柱状结构的上方以及凹槽的底部和内壁，介质层与漂移层形成异质PN结结构；阳极设置在介质层上。本发明的异质P型调制氧化镓功率二极管，通过在漂移层上刻蚀形成若干柱状结构，同时相邻所述柱状结构之间形成凹槽，将凹槽结构与P型NiO介质层结合，实现了P型NiO在侧面调制氧化镓沟道电场分布，提升了氧化镓功率二极管的击穿电压
一种调制氧化功率二极管及其制备方法

[实用新型]基于晶圆键合技术的Ⅲ-Ⅴ/Si异质结构-CN201921035453.2有效
发明人：汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;余明斌 -专利权人：上海新微技术研发中心有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基于晶圆键合技术的Ⅲ‑Ⅴ/Si异质结构，包括：硅波导层；介质层，位于所述硅波导层上，所述硅波导层中具有Ⅲ‑Ⅴ族材料异质集成窗口，该集成窗口显露所述硅波导层；单晶材料层，填充于所述集成窗口中并覆盖所述介质层本实用新型通过将具有单晶结构的Ⅲ‑Ⅴ族材料衬底与硅直接键合方式集成，可获得高质量的Ⅲ‑Ⅴ族材料。本实用新型可有效发挥硅材料与Ⅲ‑Ⅴ族材料优势，形成Ⅲ‑Ⅴ族材料/硅异质结结构，大大提升光电器件的性能。
硅波导层本实用新型单晶材料层介质层衬底单晶硅层单晶结构方式集成光电器件硅异质结晶圆键合异质结构有效发挥直接键合材料层硅材料单晶键合异质填充显露覆盖

[发明专利]一种高钝化异质结单晶硅薄膜太阳能电池-CN201210138098.8无效
发明人：郑佳仁;刘幼海;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明为一种可优化提升单晶硅太阳电池转化效率的新颖发明，利用非晶硅在单晶硅上面的沈积成膜搭配，形成异质结结构，而非晶硅与透明导电膜沈积的顺序影响硅片表面钝化程度，此将直接影响器件的光电转换效率，而本发明即为提出此沈积顺序以形成最佳的单晶硅表面钝化作用以及减少表面污染的影响，进而达到高钝化的异质结单晶硅薄膜。
一种钝化异质结单晶硅薄膜太阳能电池

[发明专利]高精度非易失可调电阻及其制备方法-CN202210522404.1在审
发明人：朱兆玮;黄丽婷;高阳 -专利权人：中国农业大学
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种高精度非易失可调电阻及其制备方法，所述可调电阻包括衬底、位于衬底上的绝缘层、位于绝缘层上的异质结结构、及位于异质结上的电极，所述异质结包括位于绝缘层上的电阻层及位于电阻层上的相变材料层，
高精度非易失可调电阻及其制备方法

[发明专利]一种制备高荧光效率谷胱甘肽封装铁基异质结的方法-CN201510010980.8有效
发明人：边亮;徐金宝;李海龙;侯文平;董海良;史发年;王磊;任卫;张晓艳 -专利权人：中国科学院新疆理化技术研究所
申请日： 2015-01-10 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： C12P3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备高荧光效率谷胱甘肽封装铁基异质结的方法。该方法分两步进行，第一步采用腐败希瓦氏菌MR‑1还原针铁矿得到纳米级铁素体，并引入七种二价过渡金属离子（镁、锰、钴、镍、锌镁、锌锰和锌镍）取代二价铁，得到赤铁矿‑铁素体的核‑壳型铁基异质结；第二步将异质结溶入谷胱甘肽和氯化钙混合溶液中，避光静置后冷冻干燥，得到谷胱甘肽封装铁基异质结。该方法获得了多种具有赤铁矿（内核）‑过渡金属修饰铁素体‑谷胱甘肽（双壳层）的异质结结构，可应用于磁共振成像、靶向给药和磁热疗等领域。
一种制备荧光效率谷胱甘肽封装铁基异质结方法

[发明专利]硫化钼/氮化碳复合材料的制备方法及其产品和应用-CN201711056790.5有效
发明人：何丹农;王敬锋;金彩虹 -专利权人：上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： C25B11/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化钼/氮化碳复合材料的制备方法及其产品和应用，氰胺包覆硫化钼中间体的制备，将氰胺包覆的硫化钼中间体置于氮气的保护下煅烧，控制煅烧温度，煅烧4小时，最后自然冷却即可以得到3D结构的硫化钼该方法利用原位生长及煅烧的方式实现了一种具有异质结结构的硫化钼/氮化碳复合材料的制备，所得到的硫化钼为3D树枝状的尺寸结构，包裹于氮化碳材料的内部。这种新型的硫化钼/氮化碳复合材料中硫化钼和氮化碳之间由于异质结结构的存在，能够确保电子在界面间快速迁移，因此所制备的复合材料显示出优异的电催化产氢性能，在电解水制氢领域方面有很大的应用潜力。
硫化钼复合材料氮化碳制备煅烧异质结结构氰胺树枝状氮化碳材料氮气尺寸结构快速迁移应用潜力原位生长包覆的电催化电解水包覆产氢制氢应用

[发明专利]一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法-CN202210411896.7在审
发明人：王鹏飞;陆磊;王云萍;杨欢;周晓梁;张盛东 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：一种异质结结构、半导体器件结构及其制造方法，其方法中通过在两种半导体有源层之间形成中间结构层材料，中间结构层材料一方面使得阻挡两种半导体有源层之间的金属元素的扩散，另一方面中间结构层材料的能带对于电子具有较低的势垒，使得电子在两种半导体有源层之间能够发生自由迁移或者大量隧穿，从而使得第一有源层和第二有源层之间能够形成较理想的异质结界面，获得更深的异质结势阱。形成更为理想的半导体异质结，使得真正利用和发挥异质结在金属氧化物半导体器件中的性能优势。提升了现有的高迁移率高稳定性的晶体管或高耐压性的二极管等器件的性能。
一种异质结结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制备方法、半导体器件及半导体晶圆-CN202310801556.X在审
发明人：樊永辉;朱雷;刘国梁;何溢勇;许明伟;樊晓兵 -专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制备方法、半导体器件及半导体晶圆。半导体结构，包括第一结构层及第二结构层。第一结构层的材料为金刚石，第二结构层的材料为AlN，第一结构层和第二结构层形成异质结结构。上述异质结结构，在第一结构层和第二结构层的界面处形成二维电子气，与传统的半导体器件依靠半导体材料中的自由电子从N型半导体向金属移动来实现半导体器件的导通相比，本申请提供的半导体结构中，第一结构层与第二结构层的界面处形成的二维电子气具有更高的电子迁移率和更高的电子密度
半导体结构及其制备方法半导体器件

[发明专利]一种ZnO微米线异质结高亮红光发光二极管及其制法-CN202210562359.2在审
发明人：阚彩侠;徐凯;姜明明;施大宁 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种ZnO微米线异质结高亮红光发光二极管及其制法，该二极管包括p‑PGaAs衬底，设置于p‑PGaAs衬底一侧的Ti/Pt/Au合金电极，设置于p‑PGaAs衬底上的n‑ZnO:Ga微米线，本发明在n‑ZnO:Ga微米线表面旋涂AgNWs，以p‑PGaAs为衬底，构筑复合结构异质结发光二极管。本发明通过构筑n‑AgNWs@ZnO:Ga/p‑PGaAs异质结结构，在正向偏压下实现了高亮红光发光二极管，避免了在GaAs衬底上直接生长ZnO薄膜而导致晶格失配，有效地实现了异质结器件稳定的高亮红光发光
一种 zno 微米线异质结高亮红光发光二极管及其制法

[发明专利]一种绣球花状钒酸铋-MXene异质结及其制备方法和应用-CN202310391687.5在审
发明人：肖助兵;胡爱国;周丹;吴天利 -专利权人：河南大学
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C01B32/914 文献下载
摘要：本发明公开一种绣球花状钒酸铋‑MXene异质结及其制备方法和应用，属于纳米功能材料技术领域，该制备方法通过对铋源的挑选和反应条件的控制，得到了绣球花状钒酸铋‑MXene异质结，其不仅操作简单，而且对于设备的要求不高通过该制备方法得到的绣球花状钒酸铋‑MXene异质结结构新颖，绣球花状表面的阵列结构可以显著增加与电解液的接触面积，达到更好的离子传输效果，且可以极大地缓解电池充放电过程中的体积膨胀，同时异质结界面处的内建电场可以促进电荷传输
一种绣球花状钒酸铋 mxene 异质结及其制备方法应用