专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电容结构、存储单元及制备方法-CN202110547019.8在审
  • 薛晖;王琪明;朱文生;朴仁鎬 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-05-19 - 2022-11-22 - H01L49/02
  • 本申请提供一种电容结构、存储单元及制备方法。其中电容包括多个异质结结,其中,每个异质结结包括第一层和对应目标区域的第二层,第二层直接位于第一层上,第一层和第二层均包括二维材料层;多个异质结结包括交替叠层设置的第一异质结结和第二异质结结,第一异质结结的第一层包括导电层,第二层包括层间介质层;第二异质结结的第一层包括层间介质层,第二层包括导电层;其中,相邻异质结结中下方异质结结的第二层与上方异质结结的第一层为同一层;相邻导电层之间通过层间介质层隔离
  • 电容结构存储单元制备方法
  • [发明专利]多沟道槽栅MIS结构的高电子迁移率晶体管及制作方法-CN202110731751.0在审
  • 王冲;王润豪;马晓华;郑雪峰;何云龙;郝跃 - 西安电子科技大学
  • 2021-06-29 - 2021-11-12 - H01L29/778
  • 本发明涉及一种多沟道槽栅MIS结构的高电子迁移率晶体管及制作方法,高电子迁移率晶体管包括:衬底、若干层异质结结、源电极、漏电极、介质层和栅电极,若干层异质结结依次层叠在衬底上,且若干层异质结结中开设有栅槽,栅槽将若干层异质结结形成的二维电子气隔断;源电极嵌入若干层异质结结的一端;漏电极嵌入若干层异质结结的另一端;介质层位于栅槽中以及若干层异质结结的表面上,一端与源电极接触,另一端与漏电极接触;栅电极位于栅槽中且位于介质层上该高电子迁移率晶体管引入槽栅MIS结构,避免了平面结构因为底部二维电子气距离栅极过远而引起的器件栅控能力减弱的问题,可以在较大的阈值电压下实现较大的饱和电流。
  • 沟道mis结构电子迁移率晶体管制作方法
  • [发明专利]一种异质结结rGO/g-CN气凝胶及其制备方法和应用-CN202211006812.8在审
  • 张焕芝;张慎道;荆锐;吴博竞;孙立贤;徐芬 - 桂林电子科技大学
  • 2022-08-22 - 2022-11-18 - B01J27/24
  • 本发明公开了一种异质结结rGO/g‑CN气凝胶,以石墨化氮化碳g‑CN、氧化石墨烯GO和乙二胺EDTA为主要原料,经CN改性为具有亲水性改性石墨化氮化碳g‑CN后,将g‑CN和GO在EDTA的作用下,形成具有异质结结的还原氧化石墨烯和改性石墨化氮化碳的气凝胶,即异质结结rGO/g‑CN气凝胶。其制备方法包括以下步骤:1,改性石墨化氮化碳g‑CN的制备;2,异质结结rGO/g‑CN气凝胶的制备。作为相变材料的应用,采用真空浸渍法,将聚乙二醇浸渍到异质结结rGO/g‑CN气凝胶中,即可得到相变温度为38.53‑61.06℃,相变潜热为165‑182J/g,光热转换效率为90‑96%,相变材料负载率为90‑98wt%的异质结结rGO/g‑CN气凝胶基复合相变材料。
  • 一种异质结结构rgocn凝胶及其制备方法应用
  • [发明专利]一种异质结结及其制备方法和应用-CN202110155032.9在审
  • 张建军;王建桓 - 中国科学院物理研究所
  • 2021-02-04 - 2022-08-05 - H01L29/165
  • 本发明提供一种异质结结,包括:锗衬底;锗缓冲层,位于锗衬底上方;以及单晶铝层,位于锗缓冲层上方。本发明还提供了一种制备异质结结的方法,包括:在分子束外延腔中对锗衬底进行原位热处理;在进行原位热处理后的锗衬底上生长锗缓冲层并进行原位退火;以及在锗缓冲层表面外延生长单晶铝层。还提供异质结结在拓扑量子计算及其器件制备中的应用。该异质结结具有原子级别平整的铝‑锗界面,能提供纯净超导带隙,表面平整厚度均一,最大程度保证本征物性在不同器件上的一致性,适合大面积集成。该异质结结的制备方法同时适用于在二维锗自由空穴气体系及面内锗纳米线制备高质量的铝‑锗异质结。
  • 一种异质结结构及其制备方法应用
  • [实用新型]半导体结构-CN202020438296.6有效
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2020-03-30 - 2020-12-04 - H01L29/778
  • 本实用新型提供了一种半导体结构,包括:衬底以及位于衬底上的异质结结异质结结包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的栅极区,漏区上设置有量子阱结构。在异质结结的漏区上设置量子阱结构,利用量子阱结构复合发光产生光子,该光子不但可以辐射在势垒层的表面区域,同时也可以深入异质结结的内部,从而加快被缺陷虏获的电子的释放过程,以实现减弱电流崩塌效应以及降低动态导通电阻
  • 半导体结构
  • [发明专利]鳍式场效应晶体管-CN202211001176.X在审
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2022-08-19 - 2022-11-29 - H01L29/778
  • 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管,包括:衬底、绝缘层、鳍部、源极、漏极以及栅极结构;其中,绝缘层位于衬底上;鳍部凸出于绝缘层,鳍部包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区;鳍部包括:在朝向背离衬底的方向上依次堆叠设置的第一异质结结、第二异质结结,……,以及第n异质结结,n≥2;第一异质结结包括第一沟道层与第一势垒层,第二异质结结包括第二沟道层与第二势垒层,……,第n异质结结包括第n沟道层与第n势垒层,第一势垒层、第二势垒层,……,与第n势垒层中的至少一个掺杂N型元素;源极覆盖于源区、漏极覆盖于漏区、栅极结构覆盖于沟道区。
  • 场效应晶体管
  • [发明专利]鳍式场效应晶体管-CN202211003355.7在审
  • 程凯 - 苏州晶湛半导体有限公司
  • 2022-08-19 - 2022-11-29 - H01L29/778
  • 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管,包括:衬底、绝缘层、鳍部、源极、漏极以及栅极结构;其中,绝缘层位于衬底上;鳍部凸出于绝缘层,鳍部包括源区、漏区以及位于源区与漏区之间的沟道区;鳍部包括:在朝向背离衬底的方向上依次堆叠设置的第一异质结结、第二异质结结,……,以及第n异质结结,n≥2;第一异质结结包括第一沟道层与第一势垒层,第二异质结结包括第二沟道层与第二势垒层,……,第n异质结结包括第n沟道层与第n势垒层,第一势垒层、第二势垒层,……,与第n势垒层中的至少两个的组分不同;源极覆盖于源区、漏极覆盖于漏区、栅极结构覆盖于沟道区。
  • 场效应晶体管

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