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[发明专利]一种铁电薄膜变容器的制备方法-CN201810607281.5有效
发明人： 夏丰金;李惠;杨佳恒;郭广海 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电薄膜变容器的制备方法，利用激光脉冲沉积方法在氧化镁单晶衬底上制备锰掺杂钛酸锶钡薄膜，使用匀胶机将光刻胶均匀旋涂在薄膜表面；使用热板机对光刻胶先进行烘烤，然后进行对准和曝光；曝光完成后将样品进行适当处理即可进行显影；显影完成以后利用离子束刻蚀技术将图形转移到基片上。本发明的有益效果是本方法制备的变容器可以提高可调谐滤波器的调谐幅度，同时减小了变容器体积，降低损耗。
一种薄膜容器制备方法

[发明专利]低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构-CN201710425889.1有效
发明人：李惠;贾晓卫;夏丰金;郭广海 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构，由下至上依次包括GaAs基衬底、下N型布拉格反射镜、有源区、一对上P型布拉格反射镜、低电阻GaAs基隧道结、氧化限制层和上N型布拉格反射镜。本发明采用了将低电阻GaAs基隧道结和氧化限制层相结合的小尺寸圆形台面的顶发射共面电极结构，以提高光通讯激光器的高速低能耗性能。该结构选用的BCB填充，不仅能够提供平坦的GSG电极平面，还能降低器件的寄生，提高器件的调制带宽；该结构采用不同尺寸的双台面结构提高器件热耗散能力，此结构不需要额外的热沉和散热片，且能够实现器件的直接高速共面探针测试，且可以避免底发射的减薄倒置，降低加工难度。
能耗通讯发射激光器台面电极结构

[发明专利]一种可用于高速光电探测的Bi(Fe,Zn)O3-CN202110288347.0有效
发明人：董立峰;夏丰金;马帅;沙震宗 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种基于锌掺杂铁酸铋/氧化镍材料的全氧化物薄膜异质结，属于半导体器件技术领域。本发明公开了一种精确制备锌掺杂铁酸铋/氧化镍薄膜异质结的方法，所述的异质结采用溶胶凝胶技术，可精确控制各层元素化学计量比、同时保证各层薄膜良好的结晶性及均匀致密的形貌，可控性强、工艺简单、制备效率高。本发明实现了锌掺杂铁酸铋与氧化镍的良好匹配、耦合形成异质结结构，利用铁酸铋极化电场和异质结内建电场相结合促进光生载流子输运，获得可见光范围内高速光电响应特性，可用于制作相关半导体光电探测器件，对氧化物钙钛矿薄膜在半导体器件领域的实用化具有重要意义。
一种用于高速光电探测 bi fe zn base sub

[发明专利]室温脉冲激光沉积法制备铜锌锡硫/硫化铋薄膜异质结-CN202110205346.5在审
发明人：董立峰;马帅;夏丰金 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铜锌锡硫/硫化铋材料的全硫化物薄膜异质结，属于半导体器件技术领域。本发明公开了一种精确制备铜锌锡硫/硫化铋薄膜异质结的方法，所述的异质结采用室温脉冲激光沉积技术、在真空环境中原位沉积得到，并通过原位热处理替代高温硫化过程，精确控制各层元素化学计量比、同时保证各层薄膜良好的结晶性及均匀致密的形貌，确保层间界面清洁、抑制表面缺陷；易于调控产物薄膜的厚度，制备工艺精确、可控性强、制备效率高。本发明实现了铜锌锡硫与硫化铋良好匹配、耦合形成异质结结构，获得良好的整流及光电响应特性，可用于制作相关半导体光电器件，对硫族化合物薄膜在半导体器件领域的实用化具有重要意义。
室温脉冲激光沉积法制备铜锌锡硫硫化薄膜异质结

[发明专利]基于铜锌锡硫/铋铁铬氧材料钙钛矿异质结的薄膜结构-CN201910639678.7有效
发明人：马帅;董立峰;夏丰金 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2019-07-16 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明提供一种基于铜锌锡硫/铋铁铬氧材料的锌黄锡矿‑氧化物钙钛矿异质结结构，属于半导体器件技术领域。本发明公开了一种精确制备铜锌锡硫/铋铁铬氧异质结的方法，所述的异质结采用脉冲激光沉积技术原位沉积得到。本发明将铋铁铬氧与铜锌锡硫良好匹配、形成异质结结构，发挥铜锌锡硫材料在载流子传输方面的优势，充分利用铋铁铬氧铁电特性所具有的自发极化机制、使结区电场增强，实现高效的电子‑空穴对分离、减少其复合，最终提高载流子输运效率。本发明所提供的铜锌硒硫/铋铁铬氧异质结的制备工艺精确、可控性强，方法简单且成本低，所得的异质结结构可用于制作相关半导体功能性器件，对无机氧化物钙钛矿的实用化具有重要意义。
基于铜锌锡硫铋铁铬氧材料钙钛矿异质结薄膜结构

[实用新型]一种铁电薄膜变容器-CN201820913109.8有效
发明人： 夏丰金;李惠;杨佳恒;郭广海 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁电薄膜变容器，利用激光脉冲沉积方法在氧化镁单晶衬底上制备锰钛酸锶钡薄膜，锰钛酸锶钡薄膜和金薄膜组成一个方形，其中方形的四角分布有锰钛酸锶钡薄膜、方形的其中两边由金薄膜形成的弯曲部为直角的曲折形状连通。本实用新型的有益效果是本方法制备的变容器可以提高可调谐滤波器的调谐幅度，同时减小了变容器体积，降低损耗。
变容器钛酸锶钡薄膜本实用新型铁电薄膜金薄膜制备调谐激光脉冲沉积可调谐滤波器氧化镁单晶曲折形状弯曲部衬底减小连通两边

[实用新型]低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构-CN201720658850.X有效
发明人：李惠;贾晓卫;夏丰金;郭广海 -专利权人：青岛科技大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构，由下至上依次包括GaAs基衬底、下N型布拉格反射镜、有源区、上P型布拉格反射镜、低电阻GaAs基隧道结、氧化限制层和上N型布拉格反射镜。本实用新型采用了将低电阻GaAs基隧道结和氧化限制层相结合的小尺寸圆形台面的顶发射共面电极结构，选用BCB填充，降低器件的寄生，提高器件的调制带宽，降低器件的动态调制能耗；该结构采用不同尺寸的双台面结构提高器件热耗散能力，不需要额外的热沉和散热片，还能够实现器件的直接高速共面探针测试，且可以避免底发射的减薄倒置，降低加工难度。
能耗通讯发射激光器台面电极结构