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[发明专利]一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法-CN202111555010.8在审
发明人：吴宏荣;赵军华;李娜;童品森 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法，涉及二维/三维材料共形异质结测量表征技术领域，该方法包括：获取待识别二维/三维材料异质结的光学图像；从颜色厚度对应关系中确定与二维/三维材料异质结的颜色信息对应的二维/三维材料异质结厚度，从待识别二维/三维材料异质结的厚度对应的计算图谱中，得到二维/三维材料异质结的颜色随二维材料层数变化的计算图谱，将待识别二维/三维材料异质结光学图像与计算图谱进行比对，确定二维/三维材料异质结中二维材料的层数本发明基于光学图像与对应关系的比对，可以方便快捷有效的识别光学显微镜观测的二维/三维材料异质结中二维材料层数。
一种识别二维三维材料异质结中层数光学方法

[发明专利]一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用-CN202011003961.X有效
发明人：王琦;徐际宇;刘昊;袁学光;柴昭尔;刘凯;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏
一种微管三维异质结器件结构及其制备方法应用

[发明专利]异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法-CN201780005921.9有效
发明人：李伟;徐挽杰;徐慧龙;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法，包括：第一绝缘层覆盖在衬底的上表面，第一异质结材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端，源极设置在第一异质结材料层的一端，第一异质结材料层另一端周围设置有第二绝缘层，隔离层设置在异质结层上，隔离层覆盖在源极的内侧；第二异质结材料层覆盖在第一异质结材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上，与第一异质结材料层形成异质结，漏极设置在第二异质结层上与源极相对的另一端；栅介质层覆盖在第二异质结材料层上位于源极和漏极之间的位置通过设置第二绝缘层进行隔离，显著减小边缘态导致的泄露电流，并利用二维材料形成异质结，避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。
异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法-CN202210049787.5在审
发明人：徐杨;宁浩;吴少雄;吕建杭;刘粒祥;陈丽;汪晓晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料/硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。制备方法为在绝缘层上硅衬底上通过刻蚀顶硅的方式形成图形化的顶硅条带，再依次沉积绝缘层、制作电极、刻蚀出硅窗口及硅接触孔，再将二维材料转移至硅窗口并图形化。本发明通过二维材料与硅的垂直异质结拓宽吸收波段、增强光吸收。本发明的异质结阵列中，每一列/行异质结共用同一条顶硅条带，每一行/列异质结的二维材料接触电极相互连接，组成一条该行/列的顶电极布线。本发明实现了二维材料/硅异质结器件的阵列制作，为二维材料和硅的大规模集成提供了方案。
一种基于绝缘层上硅衬底二维材料硅异质结阵列及其制备方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202110655982.8在审
发明人：陈鑫;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该相变存储单元包括：相变薄膜，该相变薄膜包括：一层相变材料层和一层异质结层，所述相变材料层与所述异质结层相接触；所述相变材料层采用相变材料形成，所述异质结层采用异质结材料形成；所述异质结材料与所述相变材料的晶格失配度小于或等于20％；所述异质结材料与所述相变材料的接触晶面具有相同的晶格夹角；以及，所述异质结材料的熔点大于所述相变材料的熔点。
相变存储单元存储器电子设备制备方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202210577387.1有效
发明人：陈鑫;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：该相变存储单元包括：相变薄膜，该相变薄膜包括：一层相变材料层和一层异质结层，所述相变材料层与所述异质结层相接触；所述相变材料层采用相变材料形成，所述异质结层采用异质结材料形成；所述异质结材料与所述相变材料的晶格失配度小于或等于20％；所述异质结材料与所述相变材料的接触晶面具有相同的晶格夹角；以及，所述异质结材料的熔点大于所述相变材料的熔点。
相变存储单元存储器电子设备制备方法

[发明专利]二维材料异质结热电器件及其制备方法-CN202210158039.0在审
发明人：易典;王荣福 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料异质结热电器件的制备方法及二维材料异质结热电器件。该二维材料异质结热电器件的制备方法包括如下步骤：在基材上形成二维材料异质结，二维材料异质结由包括两种不同的二维层状材料的原料经层叠形成；在基材上形成遮蔽二维材料异质结的光刻胶，光刻胶为电子束敏感的光刻胶；采用电子束照射光刻胶的预设区域，形成暴露部分二维材料异质结的蚀刻开口；通过蚀刻开口对二维材料异质结进行刻蚀；过蚀刻开口制备金属电极；及去除光刻胶。上述制备方法能够实现在尺寸较小的二维材料异质结之间形成金属电极，该金属电极可以用作触点并进一步通过引线电连接于外部的测试电路。
二维材料异质结热电器件及其制备方法

[发明专利]高效率光催化分解水的Z型异质结催化剂的设计方法-CN202111540841.8在审
发明人：李爽;程鹏;刘伟;俞鹏飞 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效率光催化分解水的Z型异质结催化剂的设计方法。其包括：（1）计算带极性材料的功函数和能带，提取能带中导带底、价带顶和真空能级；（2）根据带极性材料的功函数大小，以及导带底、价带顶和真空能级的相对位置构建带极性材料的异质结构，对其进行结构优化，并计算异质结的能带；（3）根据异质结的能带，得到异质结的能带弯曲方式，以能带弯曲最大的异质结作为Z型异质结。本发明通过DFT计算方法，利用带极性材料设计Z型异质结光催化剂，从而提高光催化效率，为设计高效率Z型异质结光催化剂提供了指导作用。
高效率光催化分解型异质结催化剂设计方法

[发明专利]非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法和用途-CN201710331977.5在审
发明人：金立川;洪彩云;张怀武;饶毅恒;杨青慧;钟智勇;文岐业 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：一种非互易自旋波异质结波导材料，包括GGG单晶基片；以及YIG/石墨烯异质结材料，所述YIG/石墨烯异质结材料通过在所述GGG单晶基片表面生长一YIG薄膜、并将单层石墨烯转移到所述YIG薄膜烘干处理形成本发明同时提供了非互易自旋波异质结波导材料的制备方法和用途。本发明制得的YIG/石墨烯异质结薄膜相对于单一YIG薄膜上下表面传输的自旋波具有显著的非互易性，即YIG/石墨烯异质结材料的上下表面传播的自旋波幅值和峰位均发生了显著改变。
非互易自旋波异质结波导材料及其制备方法用途

[发明专利]一种异质结的处理方法以及可调谐阵列器件的制备方法-CN202111022879.6在审
发明人：张子旸;蒋成 -专利权人：青岛翼晨镭硕科技有限公司
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结的处理方法，包括如下步骤：步骤一：对异质结材料表面的二维材料进行飞秒激光照射，使二维材料与半导体材料进行掺杂；步骤二：对经过飞秒激光照射的区域采用纳秒激光照射处理后，完成异质结材料中异质结的处理使用本方法的飞秒激光和纳秒激光两步退火对异质结材料进行处理，能够提高异质结材料之间的结合力的同时，还可以消减材料中的缺陷，从而优化异质结材料的质量；另外，对材料不同区域，通过调节飞秒激光和纳秒激光的参数可以实现可调谐阵列器件的制备
一种异质结处理方法以及调谐阵列器件制备

[发明专利]二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件-CN202011298767.9有效
发明人：方铉;牛守柱;杜鹏;刘晓磊;房丹;王登魁;魏志鹏;王晓华;王菲 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
二维材料异质结结构及其制备方法应用光电器件

[发明专利]基于二维材料的异质结器件及包含其的光电探测器和方法-CN202210023364.6在审
发明人：朱瑞;朱健;郝成龙;谭凤泽 -专利权人：深圳迈塔兰斯科技有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本申请提供了一种基于二维材料的异质结器件和包含其的光电探测器及方法，属于光学技术领域。该基于二维材料的异质结器件，包括纳米结构层和二维材料层；其中，所述纳米结构层包括多个阵列排布的纳米结构，所述纳米结构为金属；所述二维材料层包括至少一层各向异性二维材料；所述纳米结构设置于所述至少一层各向异性二维材料的一侧，使所述纳米结构层与所述二维材料层形成异质结。通过本申请实施例提供的基于二维材料的异质结器件，通过各向异性二维材料和金属纳米结构形成异质结提高了该异质结的响应度和偏振敏感度，缩短了该异质结器件的响应时间，从而提高了包含该异质结器件的光电探测器的性能
基于二维材料异质结器件包含光电探测器方法

[发明专利]一种范德瓦尔斯异质结纳米材料的结构性质预测方法-CN202011351663.X有效
发明人：吴波;白雪;刘涟;杨开焕;刘扬;赵艳;刘俊超;张隆昆;何智汉 -专利权人：福州大学
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种范德瓦尔斯异质结纳米材料的结构性质预测方法，包括以下步骤：步骤S1:基于密度泛函理论，分析组成新型范德瓦尔斯异质结纳米材料的单层材料的晶体结构；步骤S2:根据得到的单层材料的晶体结构，对单层材料进行错位堆叠排列，得到不同堆叠结构的纳米异质结材料；步骤S3:分别计算不同堆叠结构的纳米异质结材料的总能，并根据能量最低原理，得到最优堆叠结构；步骤S4:计算单层材料和异质结纳米材料的电子结构；步骤S5:计算单层材料和异质结纳米材料的介电函数实部和虚部矩阵本发明能够有效的对范德瓦尔斯异质结纳米材料的结构性质实现预测。
一种瓦尔斯异质结纳米材料结构性质预测方法

[发明专利]一种基于石墨烯的异质结同位素电池-CN202010868066.8有效
发明人：柳伟平;韩运成;王晓彧;张佳辰;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于石墨烯的异质结同位素电池，包括石墨烯异质结能量转换结构和与所述石墨烯异质结能量转换结构相配合的放射源，所述石墨烯异质结能量转换结构包括衬底材料层，设置在所述衬底材料层的背面的背电极，设置在所述衬底材料层的正面的石墨烯层，所述石墨烯层与所述衬底材料层之间形成异质结。本发明采用石墨烯与半导体材料形成异质结，异质结金属层的石墨烯的厚度仅几个纳米，减小了金属层对源层的吸收阻挡作用，并且石墨烯的功函数较高，能与半导体材料形成较大的内建电场，有利于开路电压的提升，同时石墨烯还能作为电极材料
一种基于石墨异质结同位素电池

[发明专利]一种异质结光探测器的制备方法及光探测器-CN202011538140.6有效
发明人：刘应军;王权兵;阳红涛;王任凡 -专利权人：武汉敏芯半导体股份有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结光探测器的制备方法及光探测器，其中，制备方法通过对经图形化处理的第一材料层上设置一层掩膜，并使掩膜覆盖在第一材料层除异质结区域之外的表面上，再在衬底设置第二材料层，并使第二材料层在异质结区与第一材料层堆叠，不但使第二材料层在衬底上的设置方法更为灵活，避免了现有技术中需要经过有机物辅助剥离及转移来实现两种材料的堆叠，而且还能够在对第二材料层进行图形化处理时，掩膜对第一材料层进行保护，因此，本发明提供的异质结光探测器的制备方法可实现低维材料异质结制备的灵活性和规模化的同时，还使得异质结制备与CMOS工艺兼容，降低了异质结的工业制备的门槛和成本。
一种异质结光探测器制备方法

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