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[发明专利]一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法-CN201710672262.6有效
发明人：吴璠;陈伟敏;唐志鲜;蒋岚;康鑫 -专利权人：湖州师范学院
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法，利用垂直生长于FTO衬基上的CuO纳米棒阵列作为光子吸收材料和空穴传输材料，TiO₂纳米晶体薄膜为电子传输材料，制备了CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结，并制成以FTO为阴极和Al膜为阳极的太阳电池。发现CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结太阳电池的开路电压达到0.41V、短路电流密度为7.81uA/cm²；与CuO/TiO₂双层平面异质结太阳电池相比，CuO/TiO₂纳米有序互穿异质结的路电压提高了1.78倍，短路电流密度增加了16.27倍。
一种纳米有序互穿全氧化物异质结薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种包含空穴传输层的异质结太阳电池及制备方法-CN201811531039.0在审
发明人：张曙光;温雷;徐珍珠;余粤锋 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含空穴传输层的异质结太阳电池，由下至上依次包括底电极、GaAs衬底、InGaAs外延层、空穴传输层、二硫化钼层和顶电极。本发明还公开了上述包含空穴传输层的异质结太阳电池的制备方法。本发明的异质结太阳电池，不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高，是一种制备新型异质结太阳电池的有效方法。
异质结太阳电池空穴传输层制备光电转换效率氨基二硫化钼层甲氧基苯基工艺成本制备工艺底电极顶电极螺二芴外延层衬底薄膜

[发明专利]异质结太阳能电池及其制作方法-CN202010847692.9在审
发明人：吴华德;姚铮;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池结构中单晶硅衬底的侧面被第一本征非晶层包裹，如此可以有效提高单晶硅衬底表面的钝化效果；此外，基于异质结太阳能电池的结构，在具体进行四层非晶硅层的制作时，通过选用设定结构的载板可以避免对单晶硅衬底的翻面动作，能够避免现有技术中因翻面动作引入污染而造成电池电性能下降的问题，还可缩短异质结太阳能电池的生产周期。
异质结太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202211407852.3在审
发明人：张昊 -专利权人：张昊
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H10K30/57 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括透明玻璃衬底、ITO层、电子传输层、双异质结钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极层。其制造成本较钙钛矿/晶硅叠层电池及全钙钛矿叠层电池更低，寄生效应更少，光损失更低。双异质结钙钛矿层由三层带隙可调的Sn、Pb基钙钛矿结构组成，双异质结的钙钛矿层，吸收光谱更宽，更加容易与电子传输层和空穴传输层的能级匹配，同时光损失更低，转换效率更高，双异质结钙钛矿层由于能带重叠的区域多同时对于钙钛矿层，保护层材料为2‑莰酮含有醛基，起到钝化表面缺陷的作用，能够提高双异质结钙钛矿层质量，提升转换效率。
一种大面积双异质结钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种减小异质膜组件封损的工艺-CN201810930109.3在审
发明人：贾松燕;任永伟;郭望东;钱异军 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质膜太阳能电池片抗组件封损的制作方法，能够使太阳电池减反射膜折射率稳定降低至1.65‑2.05，并保证PECVD镀膜后外观颜色均匀，可以与热氧化抗PID工艺效果妥善叠加，通过抗衰减工艺，使异质膜电池组件后功率损失降低至接近普通氮化硅膜电池的水准。
异质膜太阳能电池片氮化硅膜电池组件工艺效果功率损失减反射膜外观颜色抗衰减热氧化折射率减小叠加电池制作保证

[发明专利]一种基于硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池-CN201711345397.8在审
发明人：周欢萍;邱智文;徐梓淇;周宁;李能旭;陈怡华;赵冠超;李厉伟;孟原;郭铁 -专利权人：北京大学
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池的制作方法。叠层太阳能电池与单结太阳能相比，可以更好利用太阳光谱中短波的光子，取得更高效率。所述的硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池包括宽带隙的顶部钙钛矿太阳能电池和窄带隙的硅电池，自上而下依次包括减反层、透明顶电极、保护层、钙钛矿吸收层、电子传输层、中间层、Si异质结电池、金属电极。本发明采用在低温下制备了隧道结和钙钛矿吸收层。通过简单的、低成本的溶液法制备的硅异质结/钙钛矿二电极的叠层太阳能电池效率最终能达到22.22％，处于国内领先水平。
钙钛矿叠层太阳能电池硅异质结电极吸收层电子传输层溶液法制备太阳能电池异质结电池金属电极太阳光谱保护层低成本顶电极高效率硅电池减反层宽带隙隧道结窄带隙中间层光子单结制备太阳能透明制作

[发明专利]一种异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110219854.9有效
发明人：颜长;刘银生;张双玉;乐雄英;陆祥;陈如龙;陶龙忠;杨灼坚 -专利权人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供一种异质结太阳能电池及其制备方法，所示异质结太阳能电池包括：电池本体；所述电池本体包括n型硅片；所述n型硅片的受光面依次设置有第一本征非晶硅层、p型掺杂非晶硅层；所述p型掺杂非晶硅层的外侧设置有受光面本发明提供的异质结太阳能电池，通过以受光面p‑TCF层2替代传统的n型TCO薄膜，提高受光面一侧的透明导电薄膜与p型掺杂非晶硅层13的功函数匹配度，进而提高异质结太阳能电池的性能。
一种异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法和应用-CN202211441501.4在审
发明人：郭大营;王锦毅;陈锡安 -专利权人：温州大学
申请日： 2022-11-17 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01M50/451 文献下载
摘要：本发明双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法和应用，其技术方案是由一步水热法合成具有NiS2‑WS2异质结纳米片自组装构筑三维花状结构的双金属硫化物异质结材料；然后将双金属硫化物异质结材料制成浆料均匀涂覆在商业聚合物隔膜一侧表面，最终制得双金属硫化物异质结修饰隔膜，并应用在锂硫电池；本发明的双金属硫化物异质结修饰隔膜中的NiS2‑WS2异质结能够改善界面活性，增加表面催化活性位点，优化对多硫化物的吸附能力并促进催化转化，从而有效提高锂硫电池的倍率性能与循环稳定性能。
双金属硫化物异质结修饰隔膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于石墨烯的异质结同位素电池-CN202010868066.8有效
发明人：柳伟平;韩运成;王晓彧;张佳辰;李桃生 -专利权人：中国科学院合肥物质科学研究院
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于石墨烯的异质结同位素电池，包括石墨烯异质结能量转换结构和与所述石墨烯异质结能量转换结构相配合的放射源，所述石墨烯异质结能量转换结构包括衬底材料层，设置在所述衬底材料层的背面的背电极，设置在所述衬底材料层的正面的石墨烯层，所述石墨烯层与所述衬底材料层之间形成异质结。本发明采用石墨烯与半导体材料形成异质结，异质结金属层的石墨烯的厚度仅几个纳米，减小了金属层对源层的吸收阻挡作用，并且石墨烯的功函数较高，能与半导体材料形成较大的内建电场，有利于开路电压的提升，同时石墨烯还能作为电极材料，进一步减小放射源衰变粒子的能量损失提高了同位素电池的整体能量转换效率。
一种基于石墨异质结同位素电池

[发明专利]异质结太阳电池的制备方法、异质结太阳电池及应用-CN202111513014.X在审
发明人：张海川;蓝仕虎;张丽平;赵晖;石建华;付昊鑫;杜俊霖;孟凡英;刘正新 -专利权人：中威新能源（成都）有限公司
申请日： 2021-12-11 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳电池的制备方法、异质结太阳电池及应用。该异质结太阳电池的制备方法包括如下步骤：通过气体源在硅衬底的第一表面上沉积第一钝化层，第一钝化层的基材为氢化非晶硅，在沉积第一钝化层的过程中逐渐向气体源中通入二氧化碳，且随沉积的第一钝化层的厚度增加，控制二氧化碳在气体源中的掺杂比例逐渐上升相较于不具有杂原子呈梯度浓度分布结构的异质结太阳电池，在转化效率处于同一档位时，上述制备方法制备得到的异质结太阳电池具有更高的CTM值。
异质结太阳电池制备方法应用

[发明专利]一种用于锂硫电池的相变隔膜及其制备方法-CN202210192042.4在审
发明人：付宇;黄扬泽 -专利权人：南京林业大学
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01M50/431 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于锂硫电池的相变隔膜及其制备方法，包括：在油水体系中界面组装了金属有机框架MOF和黑磷BP的复合体MOF/BP异质结；将聚丙烯腈PAN溶液和石蜡PW溶液通过同轴静电纺丝技术制备出核壳结构的纳米纤维膜PPW；将所述MOF/BP异质结粉末分散于去离子水中形成MOF/BP异质结分散液，将MOF/BP异质结分散液通过真空抽滤的方法沉积在所述纳米纤维膜PPW上，真空干燥即得PPW/MOF/BP相变隔膜。即得到用于高安全和高性能锂硫电池的相变隔膜材料。本发明通过相变纳米纤维隔膜来提高锂硫电池的安全性能，通过MOF/BP异质结来抑制锂硫体系中的“穿梭效应”，提高电池的循环性能，从而构建高安全和高性能的锂硫电池。
一种用于电池相变隔膜及其制备方法

[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其制备方法-CN201610436275.9有效
发明人：杨荣;任明冲;张林;王进;代玲玲;张树旺;李宝胜;蔡明;李立伟;孟原;郭铁 -专利权人：新奥光伏能源有限公司
申请日： 2016-06-17 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。本发明的硅异质结太阳能电池包括晶硅衬底；非晶硅层；前电极；其中，前电极包括第一透明电极和第一金属电极；背电极；其中，背电极包括第二透明电极和第二金属电极；以及，其中，第一透明电极和/或第二透明电极为金属硅化物膜根据本发明的硅异质结太阳能电池的制备方法包括非晶硅层沉积步骤；透明电极生成步骤；金属电极沉积步骤。根据本发明方法制备得到的硅异质结太阳能电池的透明电极为金属硅化物膜，其化学稳定性和热稳定性良好，因此硅异质结太阳能电池使用寿命长，光电转换效率高。
一种硅异质结太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种异质结太阳电池铜电极的无掩膜制备方法-CN202110291110.8有效
发明人：俞健;李君君;陈涛;黄跃龙 -专利权人：西南石油大学
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳电池铜电极的无掩膜制备方法，包括如下步骤：制备异质结电池基底，并在异质结电池基底两面上均沉积透明导电薄膜，异质结电池基底的P侧制备金属栅线，N侧浸入溶液中作为负极，P侧金属栅线与铂电极相连作为正极通过双极性脉冲电镀的方式在所形成的金属粘合层上制备金属传导层；本发明未采用任何掩膜图形就可实现金属电极的制备，能显著降低工艺复杂性，通过激光辅助的方法形成种子层，避免了掩膜去除及全面积种子层的腐蚀过程，亦可降低界面接触电阻，改善异质结电池的性能
一种异质结太阳电池电极无掩膜制备方法

[实用新型]异质结电池片及光伏组件-CN202220529120.0有效
发明人：王治业 -专利权人：三一硅能（株洲）有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及电池领域，提供一种异质结电池片及光伏组件，其中，一种异质结电池片，包括：衬底组合层；耦合层，耦合层置于衬底组合层上，耦合层由耦合粒子组成，耦合粒子由纳米金属粒子与氧化物介质粒子组成；电极穿过耦合层置于衬底组合层上用以解决现有技术中电池表面和界面存在传输损失，光电转化效率较低的缺陷。本实用新型提供的异质结电池片，通过在衬底组合层与电极之间设置耦合层，耦合层采用纳米金属粒子和氧化物介质粒子组合的耦合粒子旋涂而成，耦合层与入射光波产生强烈的相互作用，可有效增加光波在电池片内的路径和提高光吸收增强，使入射光的共振波和衍射波达到最优耦合，从而提高电池光电转换效率。
异质结电池组件

[发明专利]异质结太阳能电池片、叠瓦组件及制造方法-CN202010525759.7在审
发明人：薛建锋;王月斌;余义;苏世杰;王秀鹏;石刚;李岩 -专利权人：成都晔凡科技有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明提供了一种异质结太阳能电池片、叠瓦组件和制造异质结太阳能电池片的方法。异质结太阳能电池片包括衬底层、本征非晶硅薄膜层、掺杂层、透光导电层以及电极。根据本发明，衬底层的顶侧和底侧的本征非晶硅薄膜层结构均包括四层结构，这四层结构彼此的成分均不相同，组合在一起能够较大程度地发挥出本征非晶硅薄膜层的优势，并能够提升太阳能电池片整体的电性能或效率。
异质结太阳能电池组件制造方法