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[实用新型]异质结太阳能电池-CN202021777219.X有效
发明人：姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹;邢国强 -专利权人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池，所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底具有绕镀至侧面的非晶膜，且非晶膜位于受光面的厚度小于或等于非晶膜位于背光面的厚度；基于本实用新型所提供的异质结太阳能电池，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而且还能有效降低太阳光在进入受光面时的损耗，可提高异质结太阳能电池的短路电流，使得异质结太阳能电池具有较好的光电转化效率
异质结太阳能电池

[实用新型]异质结太阳能电池-CN202021761150.1有效
发明人：姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹;邢国强 -专利权人：嘉兴阿特斯光伏技术有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池及其制作方法，其中所涉及异质结太阳能电池的单晶硅衬底具有绕镀至侧面的非晶膜，且非晶膜位于受光面的厚度小于或等于非晶层位于背光面的厚度；基于本实用新型所提供的异质结太阳能电池，可以避免第一透明导电膜层、第二透明导电膜层与单晶硅衬底之间形成直接接触导致漏电，降低单晶硅衬底边缘受损风险，而且还能有效降低太阳光在进入受光面时的损耗，可提高异质结太阳能电池的短路电流，使得异质结太阳能电池具有较好的光电转化效率
异质结太阳能电池

[发明专利]一种太阳能异质结电池及其制备方法-CN201880001476.3在审
发明人：董刚强 -专利权人：君泰创新(北京)科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：一种太阳能异质结电池，所述太阳能异质结电池从上至下依次包括第一电极、第一掺水ITO透明导电层、第一非晶硅掺杂层、第一本征非晶硅钝化层、单晶硅片、第二本征非晶硅钝化层、第二非晶硅掺杂层、第二掺水ITO透明导电层和第二电极本申请还提供了上述太阳能异质结电池的制备方法。本申请的太阳能异质结电池具有优异的光电性能。本申请提供的太阳能异质结电池，有效解决了掺水ITO透明导电层与掺杂非晶硅和丝网印刷银栅极接触不良的问题，从而能够展现出优异的光电性能。
异质结电池太阳能掺水本征非晶硅光电性能掺杂层钝化层非晶硅制备申请掺杂非晶硅从上至下单晶硅片第二电极第一电极接触不良丝网印刷有效解决银栅极

[发明专利]一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法-CN202110095617.6有效
发明人：董刚强;郁操 -专利权人：苏州迈为科技股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。在所述硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，所述光疏介质层包括介质材料层，所述介质材料层的材料为光疏介质材料，所述光疏介质材料的折射率为范围在1‑3.7中任一值。通过在硅基异质结太阳能电池的背表面设置透明的光疏介质层，可以有效提升硅基异质结太阳能电池的电流。
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构-CN201820674074.7有效
发明人：彭德香;徐昕;周浪;黄海宾;刘超;任栋梁;吴小元;何学勇;汤波;江超 -专利权人：中智（泰兴）电力科技有限公司
申请日： 2018-05-08 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5%的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5%。
异质结太阳电池晶体硅本实用新型沉积掺杂非晶硅薄膜本征非晶硅结构均匀性氧化铟钛转换效率基薄膜良品率制绒薄膜生产

[实用新型]一种晶体硅异质结太阳电池结构-CN201721902869.0有效
发明人：张闻斌;黄海宾;李杏兵;王月斌;王磊;徐昕;彭德香 -专利权人：中智(泰兴)电力科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种晶体硅异质结太阳电池结构，在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜。本实用新型的晶体硅异质结太阳电池结构均匀性、稳定性好，沉积速率快可满足高速率生产的需要；用于晶体硅异质结太阳电池的大规模生产，可得到转换效率大于22.5％的晶体硅异质结太阳电池，良品率可大于99.5％。
异质结太阳电池晶体硅本实用新型沉积掺杂非晶硅薄膜本征非晶硅结构均匀性氧化铟钛转换效率基薄膜良品率制绒薄膜生产

[实用新型]异质结太阳能电池-CN202021878779.4有效
发明人：张美荣;姚铮;吴华德;张达奇;吴坚;蒋方丹 -专利权人：嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请日： 2020-09-01 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池包括：衬底层；在所述衬底层的一面上叠层设置有第一本征层、第一掺杂层和第一透明导电层，在所述第一透明导电层上设置有正面电极；其中，所述第一掺杂层包括叠层设置的至少三层掺杂子层该异质结太阳能电池可以降低掺杂层对光的寄生吸收，提升异质结太阳能电池性能。
异质结太阳能电池

[发明专利]量子点修饰的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法-CN201910188544.8有效
发明人：黄江;董怀远;侯思辉;何伊玫 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-03-13 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明涉及有机光电器件技术领域，具体公开了一种量子点修饰的双体异质结有机太阳能电池及制备方法。本发明的太阳能电池包括阳极、阴极以及设置在阳极和阴极之间的功能层，功能层包括第一有机体异质结层、第二有机体异质结层以及位于第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间的量子点修饰层；功能层还可包括空穴传输层本发明通过在双体异质结太阳能电池中引入量子点修饰层，有效的提升了双体异质结有机太阳能电池的开路电压和短路电流，获得了较现有技术有所提升的转换效率。
量子修饰双体异质结有机太阳能电池及其制备方法

[实用新型]异质结太阳能电池及光伏组件-CN202022496899.4有效
发明人：邓士锋;许涛 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司
申请日： 2020-11-02 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种异质结太阳能电池及光伏组件，其中所涉及的异质结太阳能电池具有设置于电池片本体受光面一侧的第一透明导电膜层、设置于电池片本体背光面一侧的第二透明导电膜层、以及设置于第一透明导电膜层和/复合栅线至少包括银包镍颗粒堆叠层、银包铜颗粒堆叠层、银包铝颗粒堆叠层、银包玻璃粉颗粒堆叠层、镍包碳颗粒堆叠层及镍颗粒堆叠层中的一种；本实用新型提供了一种不同于传统低温导电银浆所印制栅线结构的复合栅线，为异质结太阳能电池的集电极制作提供更多选择，能够有效降低异质结太阳能电池的制作成本，且可以改善现有技术中低温导电银浆接触电阻率高的问题，降低了填充因子FF的损失。
异质结太阳能电池组件

[发明专利]一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池-CN201910811358.5在审
发明人：赖怡;王璞;王岚;张忠文;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，属于太阳能电池技术领域，目的在于克服现有技术中的不足之处，提供一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，其采用顶部宽带隙1.5‑2.5ev钙钛矿太阳电池和底部窄带隙1.12ev硅基背接触无掺杂异质结太阳电池的叠层组合，充分利用了太阳光谱。底部背接触无掺杂异质结电极设置在底部，正面减少了阴影遮挡面积。使其背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量。本发明适用于太阳能电池。
背接触钙钛矿异质结掺杂叠层太阳电池太阳能电池技术异质结太阳电池光电转换效率太阳能电池电极设置开路电压太阳光谱阴影遮挡宽带隙窄带隙叠层硅基发电量

[发明专利]钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法-CN202310713067.9在审
发明人：王永磊;刘杨;顾小兵;何博;徐希翔 -专利权人：隆基绿能科技股份有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请提供一种钙钛矿/硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法。其中，制备方法包括以下步骤：制备硅异质结底电池，在所述硅异质结底电池的一侧依次制备复合层、空穴传输层、钙钛矿吸收层、电子传输层和前透明导电层，采用激光处理所述前透明导电层使所述前透明导电层至少部分晶化，并且所述激光不损伤所述硅异质结底电池和所述钙钛矿吸收层。本申请的制备方法，通过激光处理前透明导电层，可以在不影响硅异质结太阳能电池与钙钛矿太阳能电池基底的基础上，使前透明导电层的材料达到晶化，从而提升前透明导电层的材料的光学性能与电学性能，并提升叠层电池的整体效率
钙钛矿硅异质结叠层太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池-CN201921425513.1有效
发明人：赖怡;王璞;王岚;张忠文;谢毅 -专利权人：通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2020-04-24 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，属于太阳能电池技术领域，目的在于克服现有技术中的不足之处，提供一种背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池，其采用顶部宽带隙1.5‑2.5ev钙钛矿太阳电池和底部窄带隙1.12ev硅基背接触无掺杂异质结太阳电池的叠层组合，充分利用了太阳光谱。底部背接触无掺杂异质结电极设置在底部，正面减少了阴影遮挡面积。使其背接触无掺杂异质结‑钙钛矿叠层太阳电池具有高的光电转换效率和高的开路电压，增加了发电量。本实用新型适用于太阳能电池。
一种接触掺杂异质结钙钛矿叠层太阳电池

[发明专利]异质结太阳能电池及其界面处理方法和制备工艺-CN201410032530.4在审
发明人：郭万武 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结太阳能电池及其界面处理方法和制备工艺，其中，异质结太阳能电池的界面处理方法是在异质结太阳能电池制备工艺中，采用离子注入工艺或扩散工艺对晶体硅片的正表面进行高掺杂处理，从而在晶体硅片正表面上形成一层重掺杂层，改变异质结太阳能电池的晶体硅片表面区域的费米能级，增加内建电场。通过该方法不仅可以增加晶体硅衬底界面的内建电场，能够更加有效地“拉动”耗尽区边界处载流子的分离以及输运，而且能有助于形成薄膜/晶体硅突变结，使得晶体硅基区部分的耗尽层宽度减小，增加了光吸收效率，降低了载流子的复合损耗，改善了异质结高效电池的电压特性。
异质结太阳能电池及其界面处理方法制备工艺

[发明专利]一种新型异质结光伏电池及其制备方法-CN201810645089.5有效
发明人：张军 -专利权人：江苏日御光伏新材料科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型异质结光伏电池及其制备方法，本发明的新型异质结光伏电池的制备过程中，首先在所述n型硅片的上表面的部分区域上形成多个p型扩散区，然后再旋涂PEDOT:PSS溶液形成PEDOT:PSS层，使得本发明的新型异质结光伏电池中，一部分n型硅片与p型扩散区形成PN结，剩余部分的n型硅片与PEDOT:PSS层形成肖特基结，且通过优化p型扩散区尺寸以及相邻p型扩散区的间距，使得各p型扩散区均匀分散在n型硅片上，有效结合PN结和肖特基结的优势，有效提高了该新型异质结光伏电池的开路电压，进而提高其光电转换效率。
一种新型异质结光伏电池及其制备方法

[发明专利]一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池-CN201611167903.4在审
发明人：王珺;郭群超;朱红英;丁云飞;朱晨烜 -专利权人：上海电机学院
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L31/076 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅纳米线的薄膜硅晶体硅叠层太阳能光伏电池，包括位于上层的NIP非晶硅叠层电池、以及位于下层的PIN异质结硅电池，所述NIP非晶硅叠层电池和PIN异质结硅电池通过非晶硅隧道结串联，在所述PIN异质结硅电池的吸收层晶体硅的上表面设有硅纳米线阵列。本发明通过将硅纳米线阵列引入叠层电池，使电池兼具纳米线阵列的陷光优势和叠层电池的较高的开路电压和短路电流。
一种基于纳米薄膜晶体硅叠层太阳能电池