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[发明专利]电阻式存储器装置-CN202010376435.1在审
发明人：吴长轩 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明实施方式提供一种电阻式存储器装置。电阻式存储器装置包括衬底、隔离结构、字线、源极线、位线及电阻式存储器。衬底包括主体区、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区由主体区隔开。隔离结构配置于衬底中，且第二掺杂区与第三掺杂区由隔离结构隔开。字线配置于衬底上，第一掺杂区与第二掺杂区位于字线的相对两侧，且第一掺杂区与第三掺杂区位于字线的相对两侧。源极线配置于衬底上且与第一掺杂区电性连接。位线配置于衬底上。电阻式存储器配置于衬底上，且第三掺杂区经由电阻式存储器电性连接于位线。所述电阻式存储器装置可在具有一个单一的晶体管同时连接多个存储器的结构的情况下，避免产生潜泄漏电流。
电阻存储器装置

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统-CN202210091806.0在审
发明人： K·R·帕雷克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/11529 文献下载
摘要：本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。形成微电子装置的方法包括形成微电子装置结构，所述微电子装置结构包括：第一控制逻辑区，其包括第一控制逻辑装置；以及第一存储器阵列区，其竖直上覆于所述第一控制逻辑区且包括竖直延伸的存储器单元串阵列。在所述第一存储器阵列区上方形成第二控制逻辑区。所述第二控制逻辑区包括第二控制逻辑装置和所述半导电材料的剩余部分。在所述第二控制逻辑区上方形成第二存储器阵列区。所述第二存储器阵列区包括电阻可变存储器单元阵列。
形成微电子装置方法以及相关存储器电子系统

[发明专利]计算机系统、存储器管理方法与非暂态计算机可读介质-CN201811432424.X在审
发明人：陈羿逞;赖彦辅;王坤伟 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及计算机系统、存储器管理方法与非暂态计算机可读介质。计算机系统操作于一系统平台，并包含多个存储器以及控制器电路。多个存储器包含一第一存储器与一第二存储器，其中第一存储器包含一第一储存空间与一第二储存空间，且第二存储器的总储存空间相同于第一储存空间。该些存储器并联耦接至控制器电路，且控制器电路用以基于系统平台的一内核配置至少一第一数据区至第一储存空间与第二存储器，并配置一第二数据区至第二储存空间。第二数据区的一数据存取频率低于至少一第一数据区的一数据存取频率。
计算机系统存储器管理方法非暂态计算机可读介质

[发明专利]用于选择三维存储器阵列中的块的横向晶体管和其形成方法-CN202180090164.6在审
发明人：富田翔伍;矢田信介 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种三维存储器装置包含绝缘层和导电层的交替堆叠、延伸穿过存储器阵列区中的所述交替堆叠的包含相应竖直半导体通道和存储器元件的相应竖直堆叠的存储器开口填充结构、在台阶区中的每一阶梯处接触所述导电层的阶梯式表面的通孔接触结构，和位于所述台阶区与所述存储器阵列区之间的存取晶体管的竖直堆叠。
用于选择三维存储器阵列中的横向晶体管形成方法

[发明专利]非易失性存储器装置-CN202310049804.X在审
发明人：赵栢衡;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种非易失性存储器装置包括：第一半导体层，其包括设置在第一单元区上的第一存储器单元阵列、设置在第二单元区上的第二存储器单元阵列、以及第一金属焊盘。非易失性存储器装置还包括：第二半导体层，其包括设置在第一区上并且耦接至第一存储器单元阵列的第一外围电路、设置在第二区上并且耦接至第二存储器单元阵列的第二外围电路、以及第二金属焊盘。第一区包括在竖直方向上与第一单元区重叠的第一外围电路区和在竖直方向上不与第一单元区重叠的第二外围电路区，并且第二区在竖直方向上与第二单元区重叠。
非易失性存储器装置

[发明专利]存储器装置-CN202110505145.7在审
发明人：于殿圣;廖忠志;崔壬汾;林秉谦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：一种存储器装置，包括位于上述存储器装置的第一区域的多个存储器单元。存储器单元包括第一信号线、位于存储器装置的第一区域中的第一电路、以及位于存储器装置的第二区域中的多个逻辑电路。第二区域与第一区域具有不同的设计准则。第一电路被配置以被选择性地使能或去能。当第一电路被使能时，第一信号线与第二信号线并联地电性耦接。
存储器装置

[实用新型]存储器阵列和存储器单元-CN201821956718.8有效
发明人： H·埃尔迪拉尼;T·贝德卡尔拉茨;P·加利 -专利权人：意法半导体有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及存储器阵列和存储器单元。存储器阵列包括以行和列布置的Z²‑FET型存储器单元，其中每个存储器单元包括MOS型选择晶体管和与选择晶体管的第一导电类型的漏极区共用地共享的第一导电类型的第一区。存储器阵列的同一列的选择晶体管具有共用漏极区、共用源极区和共用沟道区。本实用新型的实施例能够在不增加芯片大小的情况下提高选择晶体管的电流承受能力。
存储器单元存储器阵列选择晶体管第一导电类型电流承受能力本实用新型共用源极区共用漏极第一区沟道区漏极区同一列芯片共享

[发明专利]电阻式存储器装置及其操作方法-CN201510073121.3有效
发明人：金嘉瑛;朴海赞 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储器装置，包括：存储器区，其包括多个电阻式存储器单元；以及控制器，其适于根据电阻式存储器单元的数据储存材料来储存写入操作的阈值次数、随着对所述存储器区执行写入操作而对相应电阻式存储器单元的写入操作的次数计数、以及当检测到达到所述写入操作的阈值次数的存储器单元时执行中断控制。
电阻存储器装置及其操作方法

[实用新型]车载电子控制单元-CN201120251909.6有效
发明人：李济泰;黄少堂;黄丽芳;张斌 -专利权人：广州汽车集团股份有限公司
申请日： 2011-07-18 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： B60R16/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种车载电子控制单元，包括Flash存储器、随机存取存储器和微处理器；微处理器分别与Flash存储器和随机存取存储器连接；所述Flash存储器包括被保护的存储区和可重编的存储区；被保护的存储区存储有引导程序，可重编的存储区存储有应用程序；所述微处理器在汽车软件刷新时将Flash驱动代码临时存放到所述随机存取存储器中。
车载电子控制单元

[发明专利]数据存储设备及其操作方法-CN202010622067.4在审
发明人：宋多恩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种数据存储设备。该数据存储设备可以包括：第一存储器装置，包括第一区域和第二区域，来自主机装置的写入数据存储在第一区域中；第二存储器装置，存储在第一存储器装置中的写入数据被复制到第二存储器装置中；存储装置；以及控制器。控制器被配置成控制第一存储器装置、第二存储器装置和存储装置的数据输入/输出，其中控制器包括高速缓存管理器，该高速缓存管理器被配置成通过以下方式将逐出目标数据从第二存储器装置逐出：将逐出目标数据存储到存储装置中；并且将逐出目标数据存储到第一存储器装置的第二区域中。
数据存储设备及其操作方法

[发明专利]减少存储器阵列边缘CMP凹陷效应的集成芯片及其形成方法-CN201810835371.X有效
发明人：吴伟成;张健宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L27/11517 文献下载
摘要：该集成芯片包括：逻辑区，具有设置在衬底内的多个晶体管器件；嵌入式存储器区，具有设置在衬底内的多个存储器件；以及边界区，将逻辑区与嵌入式存储器区分开。边界区包括第一隔离结构，其中，第一隔离结构具有第一上表面和位于第一上表面下面的第二上表面。通过位于第一隔离结构上方的内侧壁连接第一上表面和第二上表面。边界区还包括：存储器壁，布置在第二上表面上并围绕嵌入式存储器区；以及逻辑壁，布置在第一上表面上并围绕存储器壁。逻辑壁具有位于多个存储器件和存储器壁之上的上表面。
减少存储器阵列边缘 cmp 凹陷效应集成芯片及其形成方法

[发明专利]集成装置的多层布置及形成感测/存取线的方法-CN202080031997.0在审
发明人：韦磊;李红旗 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一些实施例包含一种具有存储器层的布置，所述存储器层具有耦合区的相对侧上的存储器单元。第一感测/存取线在所述存储器单元下方，且与所述存储器单元电连接。导电互连件在所述耦合区内。第二感测/存取线跨所述存储器单元且跨所述导电互连件延伸。所述第二感测/存取线具有具第一导电材料上方的第二导电材料的第一区，且具有仅具所述第二导电材料的第二区。所述第一区在所述存储器单元上方，且与所述存储器单元电连接。所述第二区在所述导电互连件上方且与所述导电互连件电耦合。额外层在所述存储器层下方，且包含与所述导电互连件耦合的CMOS电路系统。
集成装置多层布置形成存取方法

[发明专利]使用非易失性存储器阵列的深入学习神经网络分类器-CN201780030390.9有效
发明人： F.M.巴亚特;X.郭;D.斯特鲁科夫;N.杜;H.V.陈;V.蒂瓦里;M.雷藤 -专利权人：硅存储技术公司;加州大学评议会
申请日： 2017-05-12 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G06N3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种人工神经网络设备，该人工神经网络设备利用一个或多个非易失性存储器阵列作为突触。该突触被配置为接收输入并且从其生成输出。神经元被配置为接收输出。该突触包括多个存储器单元，其中存储器单元中的每个存储器单元包括：间隔开的源极区和漏极区，该源极区和漏极区在半导体基板中形成，其中沟道区在源极区和漏极区之间延伸；浮栅，该浮栅设置在沟道区的第一部分上方并且与其绝缘；和非浮栅，该非浮栅设置在沟道区的第二部分上方并且与其绝缘。多个存储器单元中的每个存储器单元被配置为存储权重值，该权重值与浮栅上的电子数量相对应。多个存储器单元被配置为将所述输入乘以所存储的权重值以生成输出。
使用非易失性存储器阵列深入学习神经网络分类

[发明专利]与时间相关信息写入电子装置的非挥发性存储器的方法及其装置-CN03146001.1无效
发明人：刘宝磬 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G06F12/00 文献下载
摘要：本发明是关于一种与时间相关信息写入电子装置的非挥发性存储器的装置，该非挥发性存储器中设定有至少二组不同存储器地址的记忆区对应于一计时单位的时间信息，当不同时间信息被写入该存储器时，是分配在该等不同地址的记忆区其主要特点是设定至少二组不同地址的分钟或小时的记忆区，且当与时间相关的信息写入该存储器时，其写入次数是均匀地分配在非挥发性存储器的不同地址的记忆区。因此可均匀地分配非挥发性存储器特定地址记忆区写入的次数，而可增加存储器使用寿命。其在应用上可达每一小时仅特定一非挥发性存储器地址记忆区写入一次。该写入方法，在非挥发性存储器的存取次数固定下，能延长非挥发性存储器的使用寿命，从而更适于实用，且具有产业的广泛利用价值。
时间相关信息写入电子装置挥发性存储器方法及其

[发明专利]具有复合中介结构的光学半导体元件-CN202210803193.9在审
发明人：薛宇涵 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：该光学半导体元件具有一逻辑晶粒，包括一核心电路区以及一逻辑周围电路区；一存储器晶粒，设置在该逻辑晶粒上并包括一存储器胞区以及一存储器周围区，且一第一晶粒内通孔设置在该存储器周围区中并电性连接到该逻辑周围电路区；以及一感测器晶粒，设置在该存储器晶粒上并包括一感测器像素区以及一感测器周围区，一第一晶粒间通孔设置在该感测器周围区中并经由该第一晶粒内通孔而电性耦接到该逻辑周围电路区，且一第二晶粒间通孔设置在该感测器周围区中该中介结构设置在该存储器晶粒的该后表面上。
具有复合中介结构光学半导体元件