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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种系统整合芯片的制作方法-CN01130312.3有效
发明人：赖二琨;陈盈佐;刘建宏;潘锡树;黄守伟 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-11-20 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明是提供一种利用氮化物只读存储器(NROM)处理以建立只读存储器(ROM)与氮化物只读存储器的系统整合芯片(SOC)的制作方法。随后去除周边电路区上的ONO介电层，并调整周边电路区的晶体管的起始电压(thresholdvoltage)，然后去除只读存储器区上的ONO介电层，并进行一热氧化法(thermaloxidation)。之后形成存储器区的各字线与周边电路区的各周边电路晶体管的各门极，以在氮化物存储器区上形成至少一氮化物只读存储器并在只读存储器区同时形成高、低起始电压元件，最后再利用一只读存储器码植入处理。
一种系统整合芯片制作方法

[发明专利]包括具有TSV的存储器叠层的半导体模块-CN201910934470.8在审
发明人：金明瑞;李承容;朱英杓 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种包括具有TSV的存储器叠层的半导体模块。一种半导体模块，包括：模块板、在模块板上的中介层以及并排设置在中介层上的处理器件和存储器叠层，其中，存储器叠层包括基底裸片和在基底裸片上的存储器裸片，其中，所述存储器裸片包括外存储体区、中央TSV区、第一内存储体区和第二内存储体区以及第一非中央TSV区，其中，中央TSV区设置在外存储体区与第二内存储体区之间，而第一非中央TSV区设置在第一内存储体区与第二内存储体区之间。
包括具有 tsv 存储器半导体模块

[发明专利]数据存储装置及其操作方法-CN201610616978.X有效
发明人：朴晌贤 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种数据存储装置，其包括非易失性存储器装置，其包括被分为第一区域和第二区域的存储器单元区；以及控制器，其根据外部设备的写入请求被配置为控制非易失性存储器装置的编程操作，其中控制器在提供数据之前向非易失性存储器装置提供温度补偿关闭命令、向非易失性存储器装置提供用于命令数据的编程的编程命令和第一区域的地址，并且其中，当根据用于命令数据的编程的编程命令，对对应于第一区域的地址的存储器单元内的数据进行编程时，非易失性存储器装置省略了根据温度变化改变待被应用于存储器单元的编程验证操作的温度补偿操作
数据存储装置及其操作方法

[其他]微计算机系统中存储器重新编址-CN88100759无效
发明人：张元·姆恩·洛;丹尼斯·利·莫勒;约翰·约瑟夫·斯萨里克 -专利权人：国际商用机器公司
申请日： 1988-02-22 - 公布日： 1988-10-05 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：本发明是个微计算机系统，有焊到平面电路板上的、具有低区地址的第一个存储器装置以及可插到板上插座装置上的另外的存储器装置。在加电自检中，存储器被测试，如果在第一个存储器装置中检测到错误，通过把最低区存储器地址引导到第二个存储器装置上并减少最高区地址，而减少的最高区地址数目等于第一个存储器的地址单元数，来实现不再用第一个存储器
计算机系统存储器重新编

[发明专利]数据存储装置及其操作方法-CN202110214529.3在审
发明人：宋多恩 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种数据存储装置包括：第一存储器装置，存储第一数据；第二存储器装置，包括存储第二数据的第一区、存储第三数据的第二区和存储第四数据的第三区；存储装置；以及控制器，与第一存储器装置、第二存储器装置和存储装置通信，并且从主机接收一个或多个请求并且响应于来自主机的一个或多个请求控制来自和去往第一存储器装置、第二存储器装置和存储装置的数据的输入和输出。控制器进一步将从第一存储器装置读取的第一数据的一部分复制到第一区，将从第一区读取的第二数据的一部分复制到第二区，将从第二区读取的第三数据的一部分复制到第三区，以及将在第一存储器装置和第二存储器装置中存储的数据之中被读取超过设定次数的数据存储在第三区中
数据存储装置及其操作方法

[发明专利]存储器子系统处的主机限定区群组配置-CN202310156078.1在审
发明人： L·伯特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开涉及存储器子系统处的主机限定区群组配置。由管理存储器子系统的一或多个存储器装置的处理装置从主机系统接收存储数据项集的一或多个请求。标识对应于所述数据项集的大小的区群组。在所述存储器子系统中限定的两个或更多个区中标识所述区群组中满足编程并行性准则的区集。将所述数据项集编程到标识的所述区集的存储器单元。
存储器子系统主机限定区群组配置

[发明专利]用于处理图像信号的系统-CN201810819341.X有效
发明人：裵亨燮 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H04N5/91 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于处理图像信号的系统，该系统包括第一处理器和存储器。所述存储器经由第一存储器接口和第二存储器接口耦接到第一处理器。所述存储器包括第一存储区和第二存储区。第一存储区在第一处理器的图像处理操作期间储存经由第一存储器接口从第一处理器输出的图像数据。第二存储区储存经由第二存储器接口从第一处理器输出的图像数据。
用于处理图像信号系统

[发明专利]制造集成电路存储器的方法及制造的集成电路存储器-CN99106789.4无效
发明人：金弘基;李德炯;催昌植 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-05-20 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：通过在集成电路衬底上制造空间上分开的存储器单元场效应晶体管阵列和外围电路场效应晶体管，制造集成电路存储器器件。存储器单元晶体管包括存储器单元晶体管源和漏区及栅。外围电路晶体管包括外围电路晶体管源和漏区及栅。在存储器单元晶体管源和漏区上形成硅化物阻挡层。在存储器单元晶体管栅、外围电路源和漏区、栅上形成硅化物层。存储器单元晶体管源和漏区上没有硅化物层。可在存储器单元中提供低接触电阻不降低泄漏特性。
制造集成电路存储器方法

[发明专利]暂存缓冲区仲裁-CN202080090465.4在审
发明人：詹姆斯·R·马格罗;凯达尔纳特·巴拉里斯南;拉温德拉·N·巴尔加瓦;沈冠豪 -专利权人：超威半导体公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：暂存缓冲区仲裁包括：将多个存储器存取请求存储在暂存缓冲区中；基于一个或多个仲裁规则，从所述暂存缓冲区中选择所述多个存储器存取请求中的存储器存取请求；以及将所述存储器存取请求从所述暂存缓冲区移动到命令队列
暂存缓冲区仲裁

[发明专利]磁阻式随机存取存储器结构-CN202110311963.3在审
发明人：王慧琳;许清桦;蔡锡翰;黄舜渔;翁宸毅;范儒钧;张哲维;林奕佑;许博凯;张境尹;洪雅娟 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开一种磁阻式随机存取存储器结构，包括一基底、多个磁阻式随机存取存储器单元位于该基底上，其中该些磁阻式随机存取存储器单元位于一存储器区中，该存储器区与逻辑区邻接、以及一超低介电系数层覆盖在该些磁阻式随机存取存储器单元上，其中该超低介电系数层的表面部位有掺杂氟，且位于该存储器区与该逻辑区交界处的该超低介电系数层的表面具有凹痕。
磁阻随机存取存储器结构

[发明专利]存储器单元阵列及其形成方法-CN201811496832.1有效
发明人：吕士濂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种存储器单元阵列包括布置在第一方向上的第一行中的第一存储器单元和布置在第一方向上的第二行中的第二存储器单元。第一存储器单元或第二存储器单元包括有源区组、栅极组和第一组导电结构。有源区组中的每个有源区在第一方向上通过第一间距与邻近有源区分开。有源区组在第二方向上延伸。有源区组包括与第一存储器单元的第一侧邻近的第一有源区和与第一存储器单元的第二侧邻近的第二有源区。第一有源区的长度不同于第二有源区的长度。本发明的实施例还提供了存储器单元阵列的形成方法。
存储器单元阵列及其形成方法

[发明专利]用于控制存储器的系统、装置、存储器控制器及方法-CN201280012921.9有效
发明人：杰里米·W·巴特菲尔德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2012-03-07 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明描述用于控制存储器的系统、装置、存储器控制器及方法。一种此类方法包含：激活存储器装置的存储器单元；在激活所述存储器单元之后，提供命令给所述存储器装置；以及如果所述命令未指示目标存储器磁盘区，那么使所述存储器单元返回到先前状态，其中如果所述命令指示与所述存储器单元相关联的目标存储器磁盘区，那么所述存储器单元保持作用。
用于控制存储器系统装置控制器方法

[发明专利]存储电容的存储能量的确定方法及半导体存储器-CN202211148865.3在审
发明人：杨杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种存储电容的存储能量的确定方法及半导体存储器，所述方法包括：通过电源向存储器的阵列区写入第一电平信号，以确定所述存储器在第一操作状态下的总能耗；所述存储器包括所述阵列区的存储电容、所述阵列区和外围区的开关管，所述存储器在第一操作状态下的总能耗包括所述存储电容的存储能量、所述存储电容耗散的第一热量和所述存储器在第二操作状态下的总能耗；通过所述电源向所述阵列区中反写所述第一电平信号，以确定所述存储器在第二操作状态下的总能耗；基于所述存储器在第一操作状态下的总能耗和所述存储器在第二操作状态下的总能耗，确定所述存储电容的存储能量。
存储电容能量确定方法半导体存储器

[发明专利]带有用于药物情况检测的检查辅助件的存储器设备-CN200680033366.2无效
发明人： S·汉森;P·杰佩森;L·阿加德;K·邦德加德－尼尔森;A·J·汉森 -专利权人：诺沃－诺迪斯克有限公司
申请日： 2006-09-13 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： A61M5/00 文献下载
摘要：本发明提供了带有布置在壳体内的存储器的存储器单元。存储器限定了适合于包含半透明的流体药物的内部且包括第一透明区。第二区与存储器有关且大体上与第一区相对地布置，第二区包括视觉上非均匀的部分。壳体包括允许使用者通过第一区以第二区作为背景检查存储器的部分的检查部分，第二区因此作为用于评估包含在存储器内的药物的情况的辅助件，例如纤维化的胰岛素。
带有用于药物情况检测检查辅助存储器设备

[发明专利]命令和地址在存储器装置中的集中化放置-CN202211501592.6在审
发明人：吉田和宏;石井久美子 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本公开涉及命令和地址在存储器装置中的集中化放置。存储器装置、存储器系统和系统包含具有接合垫区的存储器装置，所述接合垫区包含用于可操作地耦合到外部信号和两个或更多个命令和地址(CA)输入信号的两个或更多个接合垫。所述存储器装置还包含用于将信息存储在多个存储器单元中的存储器单元区。集中化CA接口区包含可操作地耦合到所述两个或更多个CA输入信号的两个或更多个CA输入电路。所述集中化CA接口区以布局布置定位在所述接合垫区与所述存储器单元区之间，其中所述两个或更多个CA输入电路在紧凑区中彼此相邻，使得到所述两个或更多个CA输入电路的时钟路由大体上减少。
命令地址存储器装置中的集中化放置

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