专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果668867个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]获得弯曲玻璃板的方法和设备-CN200480033511.8有效
  • J·勒克莱尔;G·加尼耶 - 法国圣戈班玻璃厂
  • 2004-11-05 - 2006-12-20 - C03B23/033
  • 玻璃板(1)被处于它们的软化温度,然后使它们移动通过一个成型台(6),成型台(6)由使玻璃板前进的元件(7)组成,元件(7)沿着一个具有圆弧形轮廓的通道排列,玻璃板在进入成型台(6)并通过第一(5),其被称为成型,逐渐地呈现它们的形状,然后在成型台(6)的第二(8)通过淬火或冷却将其硬化直到玻璃板离开,然后得到的弯曲玻璃板被回复。根据本发明,生产一个具有大于90°圆弧的轮廓的成型台(6),并且在离开成型台(6)时,硬化的玻璃板(1)沿着与喂入方向相反的方向被移动。
  • 获得弯曲玻璃板方法设备
  • [实用新型]侧入光式PIN光电探测器芯片-CN201420450180.9有效
  • 王建 - 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
  • 2014-08-12 - 2015-01-28 - H01L31/105
  • 本实用新型公开一种侧入光式PIN光电探测器芯片,包括:衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、接触层、复合钝化层、保护层、负电极、正电极、掺杂有源以及一增透膜;所述衬底具有一入光面,所述增透膜形成于所述入光面,所述衬底底部形成一倒“V”型腐蚀槽,所述腐蚀槽的位置相对所述掺杂有源设置,所述腐蚀槽具有第一侧壁与第二侧壁,所述第一侧壁与所述衬底底面成45°,所述保护层为介电常数低的聚酰亚胺保护层,所述接触层、顶层、过渡层及吸收层处的复合钝化层形成一P型台面,所述缓冲层处的复合钝化层形成一N型台面,所述P型台面与N型台面均与所述掺杂有源同心设置。
  • 侧入光式pin光电探测器芯片
  • [发明专利]侧入光式PIN光电探测器芯片及其制作方法-CN201410391822.7有效
  • 王建 - 深圳市芯思杰联邦国际科技发展有限公司
  • 2014-08-12 - 2015-04-29 - H01L31/105
  • 本发明公开一种侧入光式PIN光电探测器芯片及其制作方法,包括:衬底、缓冲层、吸收层、过渡层、顶层、接触层、复合钝化层、第一保护层、负电极、正电极、掺杂有源以及一增透膜;所述衬底具有一入光面,所述增透膜形成于所述入光面,所述衬底底部形成一倒“V”型腐蚀槽,所述腐蚀槽的位置相对所述掺杂有源设置,所述腐蚀槽具有第一侧壁与第二侧壁,所述第一侧壁与所述衬底底面成45°,所述第一保护层为介电常数低的聚酰亚胺保护层,所述接触层、顶层、过渡层及吸收层处的复合钝化层形成一P型台面,所述缓冲层处的复合钝化层形成一N型台面,所述P型台面与N型台面均与所述掺杂有源同心设置。
  • 侧入光式pin光电探测器芯片及其制作方法
  • [发明专利]一种考虑电压质量的配电网台缺供电量预测方法-CN201710353190.9有效
  • 欧阳森;刘丽媛;陈丹伶 - 华南理工大学
  • 2017-05-18 - 2019-03-05 - G06Q10/04
  • 本发明公开了一种考虑电压质量的配电网台缺供电量预测方法,包括获取设定统计时间段内,配电网中各台的特征指标,每个用户所属的行业分类和用电量,根据用户所属行业分类,计算台区内各行业的总用电量,采用模糊C均值聚类算法,根据台特征指标对配电网中所有台进行聚类,选择与中心样本最近的台作为典型台,对典型台进行电压监测,计算各级电压合格概率,以典型台的电压偏低概率代表此类台的电压质量,统计每个电压偏低等级下各行业用户主要用电设备的运行情况,确定电压偏低幅值与失负荷率的关联关系表,根据台的各级电压合格率和各行业总用电量,计算由电压偏低引起的隐性缺供电量进一步得到台总缺供电量。
  • 一种考虑电压质量配电网台区缺供电量预测方法
  • [发明专利]异质掩埋激光器的制作方法-CN201010196147.4有效
  • 王宝军;朱洪亮;赵玲娟;王圩;潘教青;陈娓兮;梁松;边静;安心;王伟 - 中国科学院半导体研究所
  • 2010-06-02 - 2010-11-17 - H01S5/227
  • 一种异质掩埋激光器的制作方法,包括如下步骤:步骤1:在衬底上生长有源层,作为激光器件的发射;步骤2:在有源层的表面生长SiO2层,在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用;步骤3:光刻,在SiO2层表面的两侧,将SiO2层和有源层刻蚀掉,使中间形成微米级脊型台面,光刻后的有源层成为激光器件的发射;步骤4:用MOCVD技术,在脊型台面的两侧依次生长本征InP层、反向P-InP结电流限制层和N-InP结电流限制层,使脊型台面上形成沟道;步骤5:去掉脊型台面表面上的SiO2层;步骤6:用MOCVD技术,在沟道内、去掉SiO2层的脊型台面上及N-InP结电流限制层的表面生长P-InP电流注入层,完成器件的制作。
  • 掩埋激光器制作方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top