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[发明专利]用于MOS控制的功率半导体器件的单元设计-CN202210325388.7在审
发明人： T·库兹曼;C·P·桑多;T·索尔拉德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：IGBT（1）包括：第一导电类型的漂移区（100）；多个沟槽（14，16），其横向限制出具有相应的源极区（101）和相应的本体区（102）的第一类型台面（17）和第二类型台面（18）两者。屏蔽区（103）例如不与第二类型台面（18）横向重叠，而是仅与第一类型台面（17）横向重叠。
用于 mos 控制功率半导体器件单元设计

[发明专利]竖向功率半导体器件和制造方法-CN202110526626.6在审
发明人： F·D·普菲尔施;C·P·桑多;D·韦伯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了竖向功率半导体器件和制造方法。竖向功率半导体器件包括半导体本体，其具有第一主表面和第二主表面。第一导电类型的本体区直接邻接栅极沟槽结构。第二导电类型的源极区直接邻接栅极沟槽结构。第二导电类型的漂移区被布置在本体区和第二主表面之间。本体接触结构包括被沿着第一横向方向以第一横向距离间隔开的第一本体接触子区和第二本体接触子区。第一本体接触子区和第二本体接触子区中的每个直接邻接栅极沟槽结构并且具有比本体区大的掺杂浓度。在第一本体接触子区和第二本体接触子区之间的沟道区中，本体接触结构具有沿着垂直于第一横向方向的第二横向方向到栅极沟槽结构的第二横向距离。第一横向距离等于或小于第二横向距离的两倍。
竖向功率半导体器件制造方法

[发明专利]具有降低的正向恢复电压的反向导通绝缘栅双极晶体管-CN202110295500.2在审
发明人： C·P·桑多;M·戴内塞;W·勒斯纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了具有降低的正向恢复电压的反向导通绝缘栅双极晶体管。根据功率半导体器件的实施例，器件包括：半导体衬底，半导体衬底包括具有IGBT的IGBT区和具有二极管的二极管区。IGBT区包括垂直于半导体衬底的第一主表面延伸的多个第一沟槽。二极管区包括垂直于半导体衬底的第一主表面延伸的多个第二沟槽。第二沟槽中的相邻的第二沟槽之间的平均横向间隔大于第一沟槽中的相邻的第一沟槽之间的平均横向间隔。如描述对应的生产方法那样，在此描述了附加的功率半导体器件实施例。
具有降低正向恢复电压向导绝缘双极晶体管

[发明专利]反向导通绝缘栅双极晶体管-CN202110286628.2在审
发明人： F·D·普菲尔施;E·格里布尔;V·拉皮杜斯;A·毛德;C·P·桑多;A·韦莱 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了反向导通绝缘栅双极晶体管。一种RC IGBT(1)，其在有源区(1‑2)中包括IGBT区段(1‑21)和至少三个二极管区段(1‑22)。二极管区段(1‑22)的布置服从一设计规则。
向导绝缘双极晶体管

[发明专利]包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件-CN202011402792.7在审
发明人： C·P·桑多;W·勒斯纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：公开了包括绝缘栅双极晶体管的半导体器件。提出了一种半导体器件(100)。半导体器件包括在半导体本体(106)的IGBT部分(104)中的IGBT(102)。半导体器件(100)进一步包括在半导体本体的二极管部分(110)中的二极管(108)。二极管包括第一导电类型的阳极区(132)。阳极区(132)是由沿着第一横向方向(x1)的二极管沟槽(134)界定的。每个二极管沟槽(134)包括二极管沟槽电极(136)和二极管沟槽电介质(138)。第一接触凹槽(140)从半导体本体(106)的第一表面(122)沿着竖向方向(y)延伸到阳极区(132)中。第一导电类型的阳极接触区(148)邻接第一接触凹槽(140)的底部侧。第二导电类型的阴极接触区(128)邻接半导体本体(106)的与第一表面(122)相对的第二表面(126)。
包括绝缘双极晶体管半导体器件

[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管-CN202110052644.5在审
发明人： A·毛德;F-J·尼德诺施泰德;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中；引导区域，电连接到所述第一负载端子。
具有完全耗尽沟道功率半导体晶体管

[发明专利]具有结构化的阻挡区的二极管-CN202010978933.3在审
发明人： J·G·拉文;R·巴布斯克;A·菲利波;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了具有结构化的阻挡区的二极管。一种功率半导体器件，包括：具有二极管区段的有源区；围绕有源区的边缘终止区；半导体本体；在半导体本体前侧处的第一负载端子和在半导体本体背侧处的第二负载端子；第一导电类型的漂移区，其被形成在半导体本体中并且延伸到二极管区段中；多个沟槽，其被布置在二极管区段中；第二导电类型的本体区；第一导电性的阻挡区，其中与漂移区的平均掺杂剂浓度相比阻挡区具有至少100倍大的掺杂剂浓度并且阻挡区具有比本体区的掺杂剂剂量大的掺杂剂剂量。阻挡区具有横向结构，二极管区段中的本体区的至少50%被至少借助于阻挡区耦合到漂移区；以及二极管区段中的本体区的至少5%在没有阻挡区的情况下耦合到漂移区。
具有结构阻挡二极管

[发明专利]具有IGBT区段和二极管区段的RC-IGBT-CN202010981151.5在审
发明人： J·G·拉文;R·巴布斯克;F·D·普菲尔施;A·菲利波;C·P·桑多 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：公开了具有IGBT区段和二极管区段的RC IGBT。提供了一种RC IGBT(1)，其在二极管区段(1‑22)和IGBT区段(1‑21)之间的过渡区段(1‑23)中具有n阻挡区(107)。
具有 igbt 区段二极管 rc