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[实用新型]非易失性存储结构、存储单元、存储器及电子标签-CN201720070415.5有效
发明人：刘岩;熊立志;武岳山 -专利权人：深圳市远望谷信息技术股份有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非易失性存储结构，包括两个控制场效应管、两个隧穿场效应管和两个浮栅场效应管；第一或第二控制场效应管、第一或第二隧穿场效应管和第一或第二浮栅场效应管的栅极连接在一起，形成第一浮栅或第二浮栅；两个控制场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起后并接在数据输入端；两个隧穿场效应管的源极、漏极和衬底连接在一起后并接在隧穿电压输入端；所述第一浮栅场效应管和所述第二浮栅场效应管的源极和漏极分别连接在读使能信号输入端和数据输出端
非易失性存储结构单元存储器电子标签

[发明专利]石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的确定方法-CN201811177495.X有效
发明人：胡光喜;鲍佳睿;胡淑彦;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种石墨烯隧穿场效应管量子隧穿系数和电流的确定方法。本发明通过对隧穿场效应器件的隧穿系数进行建模，通过隧穿系数与电荷通量乘积积分得到齐纳击穿电流解析表达式。该电流表达式形式简洁、物理概念清晰，为电路模拟软件在研究石墨烯隧穿场效应管时提供一种快速电路仿真工具。本发明所涉及的隧穿场效应管，以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p+‑i‑n+结。仿真结果表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的应用基础
石墨烯隧穿场效应量子系数电流确定方法

[发明专利]一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法-CN201310574815.6在审
发明人：俞文杰;刘畅;赵清太;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明提供一种基于隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述生物传感器的制备方法至少包括步骤：首先，制备一隧穿场效应晶体管作为转换器；然后采用表面修饰剂对所述隧穿场效应晶体管中的沟道表面进行活化修饰；制备隧穿场效应管的具体步骤包括：提供一SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、埋氧层和底层硅；在所述顶层硅表面形成栅介质层；采用离子注入工艺对所述栅介质层两侧的顶层硅进行离子注入，形成源极和漏极，所述栅介质层下未进行离子注入的顶层硅定义为沟道本发明的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。
一种基于场效应晶体管生物传感器及其制备方法

[发明专利]缓存器件及制作方法-CN202010701234.4有效
发明人：毕冲;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本公开提供了一种缓存器件及制作方法，应用于缓存技术领域，包括：包括依次连接设置的第一场效应管、磁性隧道结、电极以及第二场效应管；第一场效应管，配置为提供写入电流，并通过栅极控制写入电流的通断；磁性隧道结包括依次设置的非铁磁层、第一铁磁层、隧穿层、第二铁磁层以及钉扎层；非铁磁层，配置为提供写入电流输入的横向通道；第一铁磁层，配置为基于类场自旋矩，产生可变的第一磁化方向；隧穿层，配置为位于第一铁磁层和第二铁磁层之间；第二铁磁层，配置为具有固定的第二磁化方向；钉扎层，配置为保持第二磁化方向；电极，配置为连接磁性隧道结与第二场效应管；第二场效应管，配置为通过栅极控制第二场效应管的通断，以读取阻态。
缓存器件制作方法

[发明专利]一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管-CN201810525728.4有效
发明人：胡光喜;鲍佳睿;胡淑彦;刘冉;郑立荣 -专利权人：复旦大学
申请日： 2018-05-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06F30/367 文献下载
摘要：本发明属于集成电路半导体技术领域，具体为一种高性能硅基椭圆栅隧穿场效应晶体管。这种场效应管以横向隧穿为主要隧穿机制，可看做一个栅控的p‑i‑n结。仿真软件仿真表明，该隧穿场效应管具有良好的亚阈值特性，最小亚阈值摆幅可以低至20 mV/dec，比传统MOSFET的最小亚阈值摆幅60 mV/dec还要小三倍，为此类隧穿器件的实际开发和应用提供了很好的设计基础
一种性能椭圆栅隧穿场效应晶体管

[发明专利]一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法-CN201310574812.2有效
发明人：俞文杰;刘畅;赵清太;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： G01N27/414 文献下载
摘要：本发明提供一种基于硅纳米线隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述方法包括步骤：步骤一、制备具有硅纳米线沟道的隧穿场效应晶体管作为转换器；步骤二、采用表面修饰剂对所述硅纳米线沟道表面进行活化修饰。所述步骤一中制备硅纳米线隧穿场效应管的具体步骤包括：提供包括顶层硅、埋氧层和底层硅的SOI衬底；刻蚀所述顶层硅形成硅纳米线沟道，在所述沟道表面沉积栅介质层；采用离子注入工艺对所述顶层硅进行离子注入，在所述沟道两端形成源极和漏极本发明的基于硅纳米线的隧穿场效应管具有更加陡峭的亚阈值斜率，对沟道表面电荷的变化相应更加灵敏，从而使生物传感器可以对生物分子进行高灵敏的检测。
一种基于纳米线隧穿场效应晶体管生物传感器及其制备方法

[发明专利]基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管-CN201910482541.5在审
发明人：吉娜;程庆苏;渠开放;王伟 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，由顶栅、底栅、上层二氧化硅、黑亚磷、源极、漏极、下层二氧化硅组成；所述的顶栅位于上层二氧化硅上端，底栅位于下层二氧化硅下端，黑亚磷同质结位于上层二氧化硅与下层二氧化硅之间，源极及漏极分别位于上层二氧化硅与下层二氧化硅区间的左侧和右侧；垂直黑亚磷隧穿场效应管不但能满足国际半导体技术发展路线图低于10nm规模的高功耗的要求，也能满足低功耗应用的要求，并加速基于分层黑亚磷同质结二维隧穿场效应管的实际应用
二氧化硅亚磷下层同质结上层场效应管底栅顶栅漏极隧穿源极垂直二氧化硅组成路线图低功耗应用国际半导体隧穿晶体管技术发展高功耗上端二维分层下端应用

[发明专利]有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法-CN201310629215.5有效
发明人：刘超;丁毅岭;方娜;田犁;汪宁;章琦;汪辉;封松林 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法，该驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、驱动晶体管、补偿电容和有机发光二极管，其中，所述驱动晶体管具有一内嵌隧穿场效应管，通过该隧穿场效应管可以改变该驱动晶体管的阈值电压，进而改变驱动电流的大小，从而不仅补偿了各个像素驱动晶体管阈值电压间的不均匀性，也减小了单个像素的面积，有利于开口率的提高。
有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其方法

[发明专利]一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法-CN201310573864.8有效
发明人：赵清太;俞文杰;刘畅;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种基于垂直结构隧穿场效应晶体管的生物传感器及其制备方法，所述制备方法至少包括以下步骤：步骤一、制备垂直结构的隧穿场效应晶体管作为转换器，所述隧穿场效应晶体管中的沟道悬空，所述沟道与源极、漏极形成垂直结构本发明提供的生物传感器由于作为转换器的隧穿场效应晶体管中的源极、沟道和漏极采用了垂直结构，且沟道为悬空结构，使器件的亚阈斜率更加陡峭，因此，器件对沟道表面电荷的变化感应也更加的灵敏，从而提高生物传感器的工作性能
一种基于垂直结构场效应晶体管生物传感器及其制备方法

[发明专利]有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法-CN201310630148.9有效
发明人：刘超;丁毅岭;方娜;田犁;汪宁;章琦;汪辉;封松林 -专利权人：中国科学院上海高等研究院
申请日： 2013-11-29 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G09G3/3233 文献下载
摘要：本发明提供有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其驱动方法，该驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、驱动晶体管、补偿电容和有机发光二极管，其中，所述驱动晶体管包括内嵌隧穿场效应管，通过该隧穿场效应管可以改变该驱动晶体管的阈值电压，进而改变驱动电流的大小，从而不仅补偿了各像素驱动晶体管阈值电压间的不均匀性，也减小了单个像素的面积，有利于开口率的提高。
有源矩阵有机发光二极管像素驱动电路及其方法

[发明专利]垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法-CN201310084972.9有效
发明人：黄如;吴春蕾;黄芊芊;王超;王佳鑫;王阳元 -专利权人：北京大学
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：一种垂直非均匀掺杂沟道的短栅隧穿场效应晶体管及制备方法。所述短栅隧穿场效应晶体管具有垂直沟道并且沟道区掺杂为缓变非均匀掺杂，沟道掺杂浓度沿垂直方向呈高斯分布并且靠近漏端处沟道掺杂浓度较高，靠近源端处沟道掺杂浓度较低；另外，在垂直沟道两侧具有双控制栅并且控制栅为与现有的TFET相比，本发明所述短栅隧穿场效应晶体管，有效抑制了漏端电场对源端隧穿结处隧穿宽度的影响，弱化了输出隧穿电流对漏端电压的超e指数关系，显著改善了器件输出特性。同时，该隧穿场效应晶体管也有利于增大器件导通电流，获得更陡直的亚阈值斜率。
垂直均匀掺杂沟道短栅隧穿场效应晶体管制备方法

[发明专利]一种梯度掺杂异质材料栅结构的石墨烯隧穿型效应管-CN201810384089.4在审
发明人：王伟;李伟阳;沈志豪 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-10-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种梯度掺杂异质材料栅结构的石墨烯隧穿型效应管，沟道分为多个部分，包括梯度掺杂区域。本发明采用量子力学模型，运用非平衡格林函数林函数和泊松（Poisson）方程的自洽求解法，构建了新型多层次梯度掺杂异质金属栅结构隧穿型场效应管的输运模型，利用该模型比较分析梯度掺杂，异质栅结构，隧穿型场效应管的电学特性
梯度掺杂栅结构隧穿沟道开关电流比亚阈值摆幅场效应管截止频率异质材料石墨烯效应管量子力学模型电学特性电压增益仿真研究关态电流模型比较泄漏电流异质金属电场非平衡求解法栅电容迟滞格林构建输运异质分析研究

[发明专利]一种由隧穿场效应晶体管组成的光探测器及其制造方法-CN201110094530.3有效
发明人：王鹏飞;林曦;王玮;刘晓勇;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2011-04-15 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明属于光互连技术领域，具体涉及一种由隧穿场效应晶体管（TFET）组成的光探测器。本发明将隧穿场效应晶体管和光纤整合在一起，采用垂直沟道的隧穿场效应晶体管作为探测器来对光进行检测，所需偏压低，降低了能耗，并且提高了光探测器的输出电流和灵敏度。同时，本发明还公开了一种采用自对准工艺来制造由隧穿场效应晶体管组成的光探测器的方法，使得制程更加稳定，降低了生产成本。
一种场效应晶体管组成探测器及其制造方法

[发明专利]一种有表面电子态区域的基于过渡金属硫化物的隧穿场效应管及其制备方法-CN202310562966.3在审
发明人：李元;李鑫鸣;陈杰智 -专利权人：山东大学
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种有表面电子态区域的基于过渡金属硫化物的隧穿场效应管及其制备方法，包括：沟道：在过渡金属硫化物的薄膜上制备有栅极和氧化层，氧化层和栅极覆盖的区域为沟道；沟道两端的电极：分别为源极和漏极；以及表面电子态区域本发明在过渡金属硫化物界面的悬挂键上吸附不同原子或基团，有利于增大隧穿场效应晶体管的隧穿概率，从而增大其开态电流，对于未来微电子器件中的低功耗隧穿场效应晶体管的应用有重大指导意义。
一种表面电子区域基于过渡金属硫化物场效应及其制备方法

[发明专利]一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管-CN201310141991.0有效
发明人：王伟;王燕;闫帅军 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种双材料栅线性掺杂的石墨烯场效应管。基于量子力学非平衡格林函数理论框架，通过自洽求解泊松（Poisson）和薛定谔（Schr?dinger）方程，构建了适用于石墨烯场效应管的输运模型，并利用该模型分析计算单一材料栅和双材料异质栅策略对石墨烯场效应管(GNRFET)电学特性的影响。通过与采用双材料栅的输出特性、转移特性、开关电流比等电学特性对比，发现这种双材料异质栅underlap线性掺杂策略结构的石墨烯场效应管具有更大的开关电流比、更小的亚阈值摆幅和阈值电压漂移，即表明双材料异质栅underlap线性掺杂具有更好的栅控能力，能够有效的抑制短沟道效应，带带隧穿和热载流子效应。
一种材料线性掺杂石墨场效应

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