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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于连接探头卡和半导体检测装置的接口制造方法-CN202311119182.X在审
发明人：金秀学 -专利权人：江苏鹏利芝达恩半导体有限公司
申请日： 2023-09-01 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R3/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于连接探头卡和半导体检测装置的接口制造方法，涉及接口制造技术领域，包括：步骤S1，获取半导体检测装置中的IC芯片，记为晶圆芯片，获取探头卡中的基板，记为主基板；步骤S2，将主基板与晶圆芯片连接；步骤S3，使用粘合剂在主基板以及晶圆芯片上粘合垫片；步骤S4，在主基板以及晶圆芯片表面形成绝缘层；步骤S5，对晶圆芯片进行清洗，抛光垫片以及绝缘层并在绝缘层上进行电镀；本发明用于解决现有技术中缺少对探头卡和半导体检测装置之间的接口进行改进的有效方法
一种用于连接探头半导体检测装置接口制造方法

[发明专利]一种半导体晶圆金属电极保护液、其制备方法与用途-CN202310768833.1在审
发明人：侯军;任浩楠;吕晶;申海艳;隋新 -专利权人：浙江奥首材料科技有限公司
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23F11/10 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆金属电极保护液、其制备方法与用途，所述半导体晶圆金属电极保护液包括重量配比如下的各组分：聚合物0.1‑5份；肟类化合物0.05‑1份；pH调节剂0.1‑5份；润湿剂0.1‑3份；本发明还公开了所述半导体晶圆金属电极保护液的制备方法及其在半导体晶圆制造清洗领域的用途。本发明半导体晶圆金属电极保护液具有优异的保护性和稳定性，可在半导体晶圆经过剥离液清洗后直接使用，有效地保护金属电极，提高半导体器件的性能和可靠性，且清洗后无残留。
一种半导体金属电极保护制备方法用途

[发明专利]一种重型钢件加工方法-CN202310999341.3在审
发明人：马天成;汤进 -专利权人：马天成
申请日： 2023-08-09 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： B23D79/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种重型钢件加工方法，包括：以下步骤：S1、选择待加工的重型钢件，重型钢件的长度为2000‑3000mm，宽度为1000‑2000mm，厚度为500‑1500mm；S2、在上述重型钢件的中部切割出一个环形的径向圆槽，圆槽的深度为300‑600mm，宽度为180mm；S3、沿所述圆槽将所述重型钢件加工成曲柄或曲轴。本方法通过在重型钢件的中部切割环形径部圆，由此可提高重型钢件粗加工的加工速度，提高了这种厚钢件在中间或中心部位切割径项圆型的工作效率，节省了机床加工时间，为曲柄加工及曲轴加工提升了加工速度。
一种型钢加工方法

[发明专利]一种碳化硅材料杨氏模量的表征方法-CN202311078063.4在审
发明人：宋猛;王振行;赵树春;高超;宗艳民;潘亚妮;王宗玉;张红岩;宋建;杨晓俐;宋生;宁秀秀;刘欣 -专利权人：山东天岳先进科技股份有限公司
申请日： 2023-08-24 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：该表征方法首先利用X射线衍射仪，测试晶圆不同位置处的晶面衍射，根据晶体学中晶面间距公式计算晶体的a和c值，然后根据a和c值计算晶圆不同位置处的晶胞体积大小，通过第一性原理计算，得到晶胞大小与杨氏模量的关系，最后根据计算的晶胞体积值估算出整个晶圆杨氏模量的分布。本申请的碳化硅材料杨氏模量的表征方法不需破坏晶圆，只需测试晶胞体积，并根据理论计算结果，就能在无损状态下检测整个晶圆的杨氏模量分布，节约成本，快捷实用，适用于工业生产。
一种碳化硅材料杨氏模量表征方法

[发明专利]一种降低表面电场的抗辐射VDMOS器件制造方法-CN202310555807.0在审
发明人：徐政;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供包括衬底、缓冲层和外延层的硅晶圆；在进行JFET注入后，两次推结分别形成第一PWELL结和第二PWELL结；第一PWELL结和第二PWELL结位于所述硅晶圆内部；进行源极注入形成源区，并在硅晶圆表面制作栅氧和多晶；制作接触区、金属层间介质；在硅晶圆的正面制作源极金属、在硅晶圆背面淀积漏极金属。
一种降低表面电场辐射 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种用于大容量数据传输的宽带涡旋天线-CN202210343969.3在审
发明人：王博琛;钟斌;王彩芳;李宏强;邱启勇;吴上明;吕文智;曾房威 -专利权人：东莞天速通信技术有限公司;东莞同济大学研究院
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01Q7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于大容量数据传输的宽带涡旋天线，包括：宽带涡旋天线阵列和馈电网络；所述宽带涡旋天线阵列，包括N组同心圆天线阵列和位于圆心的单个天线单元；每组圆天线阵列包括在圆上均匀分布的8个天线单元；所述馈电网络，包括N个分别与N组同心圆天线阵列分别电连接的Butler矩阵，以及与位于圆心的天线单元电连接的馈电线；在所述馈电网络馈电后，使每组的同心圆天线阵列支持0、±1、±2五种模态的涡旋电磁波，使位于圆心的单天线单元支持
一种用于容量数据传输宽带涡旋天线

[发明专利]一种硅台面深槽结构的制备方法-CN202310784539.X在审
发明人：钟立志;刘学明;谢强;刘燕 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅台面深槽结构的制备方法，包括：将清洗后的硅晶圆的表面依次形成氧化硅膜和氮化硅膜，其中，氧化硅薄膜和氮化硅薄膜组成深槽腐蚀掩蔽膜；对形成深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行光刻工艺定义深槽结构区域；通过刻蚀工艺去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜；将去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行烘烤；将烘烤后的硅晶圆进行硅槽腐蚀；对硅槽腐蚀后的硅晶圆的深槽结构区域外的深槽腐蚀掩蔽膜进行腐蚀得到硅台面深槽结构
一种台面结构制备方法

[发明专利]一种晶圆载台装置-CN202210417221.3在审
发明人：桑康;胡冬冬;陈龙保;刘朋飞;王铖熠;程实然;郭颂;许开东 -专利权人：江苏鲁汶仪器股份有限公司
申请日： 2022-04-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开一种晶圆载台装置，包括：旋转台组件，包括支撑台和压接部，所述支撑台用于支撑晶圆，所述压接部用于压紧所述晶圆；磁流体轴，包括内轴和外轴，所述内轴和外轴之间设置有磁流体，所述内轴包括端部件和筒状件上述晶圆载台装置可以更为充分地对内轴的内部空间进行利用，以提高设备的结构紧凑性和集成度，能够有效地缩减晶圆载台装置的占用空间，以便于安装。
一种晶圆载台装置

[发明专利]摆脚式旱冰鞋-CN201510420715.7有效
发明人：庞明方 -专利权人：太仓市车中宝休闲用品有限公司;庞明方
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： A63C17/08 文献下载
摘要：一种新型工艺的摆脚式旱冰鞋，包括铝嵌件、面板、防磨底条、下轴承、上轴承、带嵌件的塑料轮叉、PU轮和嵌件圆盖，铝嵌件注塑于面板中，面板的前部呈杆形、前端呈圆柱形、后部呈扁圆柱形、后端呈圆柱形、中部呈圆片状，前后杆形面板前端和后端的上下侧各有一沉孔、上下沉孔连有通孔，面板圆片状底面有两椭圆孔，面板中部两侧底面连接防磨底条，上下轴承嵌于上下沉孔中，带嵌件的塑料轮叉连接PU轮，带嵌件的塑料轮叉的螺筒与上下轴承连接，通过嵌件圆盖定位，嵌件圆盖与上沉孔作无障碍旋转配合。
摆脚式旱冰鞋

[发明专利]具有快释机构的致动装置-CN201310089877.8有效
发明人：吴周欣 -专利权人：第一传动科技股份有限公司
申请日： 2013-03-20 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： F16H37/12 文献下载
摘要：本发明有关于一种具有快释机构的致动装置，包括基座、电动机、传动机构、快释机构、弹性组件及扳转机构，电动机和传动机构连接基座，电动机具有蜗杆；传动机构包含蜗轮构件、导螺杆及轴承，蜗轮构件成型有凸键；快释机构包含固接在导螺杆的第一圆筒体及第二圆筒体，第二圆筒体设有与凸键作嵌合传动或脱离传动的键槽；弹性组件夹设在蜗轮构件和第二圆筒体之间；扳转机构包含枢接在基座的旋动件，旋动件具有推开第二圆筒体脱离蜗轮构件的扭矩传送的拨动臂。
具有机构装置

[发明专利]一种安装换档机构中的自锁钢球的专用工具及安装方法-CN201510071797.9有效
发明人：范健文;熊维平;管箐;孟繁忠;张志宏 -专利权人：广西科技大学鹿山学院
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2015-06-10 - 主分类号： B25B27/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种安装换档机构中的自锁钢球的专用工具及安装方法，所述的安装换档机构中的自锁钢球的专用工具包括圆棒，所述的圆棒的长为50-60mm、直径为10mm，该圆棒的一端设有与斜面，所述斜面的倾斜角α为15-30°、高度H为4-6mm、深度W为5-8mm，所述的圆棒上斜面是具有椭圆弧线截面特征的曲面。本发明采用直径为12mm的圆棒通过车、铣两种加工方法加工而成的简易实用的装配工具；结构合理简单易造，使用方便快捷，提高了工作效率，适合广泛推广使用。
一种安装换档机构中的锁钢球专用工具方法

[发明专利]一种圆头蚊母树的扦插工艺及其培育装置-CN201510102615.X有效
发明人：徐杰;许平华;董毅;张龙翔 -专利权人：嘉兴欣盛园林绿化景观工程有限公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： A01G31/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种圆头蚊母树的扦插工艺及其培育装置，属于植物栽培技术领域。它解决了现有扦插工艺用于圆头蚊母树的扦插时，生根率很低，导致其生产成本较高等技术问题。本圆头蚊母树的扦插工艺，该工艺包括以下步骤A、选备圆头蚊母扦插枝条B、插条处理C、插条端部浸泡D、扦插E、生根条件以及用于扦插工艺的培育装置，本圆头蚊母树的扦插培育装置，该装置包括呈盒状的本体，本体内用于盛装扦插基质
一种圆头蚊母树扦插工艺及其培育装置

[发明专利]芯片倒装装置-CN201510159819.7有效
发明人：蒋永新;陈民杰;朱玉萍 -专利权人：嘉兴景焱智能装备技术有限公司
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路封装、检测分选技术领域，公开了一种芯片倒装装置，包括晶圆承载体和芯片受载体，所述晶圆承载体和芯片受载体面对面排列，在所述晶圆承载体和芯片受载体之间设置两个旋转机构，所述两个旋转机构的旋转中心的连线与所述晶圆承载体和芯片受载体垂直面对面设置的晶圆承载体和芯片受载体结构紧凑，运动行程短，减少了误差来源和提高了封装或分选效率。
芯片倒装装置

[发明专利]一种X射线圆偏振测距方法-CN201410500370.1有效
发明人：许录平;宋诗斌;张华;孙景荣;张航;阎博;申洋赫;简阅;吴超;金正灿 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： G01S11/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种X射线圆偏振测距方法，所述方法利用圆偏振调制技术调制测距信号，采用斯托克斯矢量和Mueller矩阵对测距过程中各阶段的偏振信号进行数学建模；基于信号模型描述了调制和解调过程中的偏振状态的转变，进而说明了左旋圆偏振光和右旋圆偏振光的检测和差分解调抑制噪声的原理；在接收站恢复测距码，通过再生测距码的措施来消减背景噪声提高信噪比。本发明中X射线的高能量、低传播损耗、高定向性的特点使其适合于自由空间中的测距，同时，圆偏振调制技术具有更强的抗干扰性能，适合于条件严酷的自由空间中的信息传输。
一种射线偏振测距方法

[发明专利]旋涂工艺的增厚阶段-CN201310582709.2有效
发明人：张浚威;林佳洁;王志谦;莫忘本;谢弘璋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供了用于执行与晶圆相关的旋涂工艺和在旋涂工艺期间控制光刻胶厚度的旋涂工艺的增厚阶段的一种或多种技术和系统。具体地，为了增加光刻胶的厚度，在旋涂工艺期间执行增厚阶段。例如，在增厚阶段期间，增加朝着晶圆提供的向下流动的气体的气体温度、向下流动的气体的流速和热量的热量温度。增加的向下流动的气体和热量增加了光刻胶的蒸发因素，这使得光刻胶的粘度和厚度增加。以这种方式，可以以相对较低的速度旋转晶圆，同时仍可获得期望的厚度。降低晶圆的转速允许稳定地旋转相对较大的晶圆。
工艺阶段

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