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[发明专利]一种降低表面电场的抗辐射VDMOS器件制造方法-CN202310555807.0在审
发明人：徐政;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种降低表面电场的抗辐射VDMOS器件制造方法，属于功率开关器件领域。提供包括衬底、缓冲层和外延层的硅晶圆；在进行JFET注入后，两次推结分别形成第一PWELL结和第二PWELL结；第一PWELL结和第二PWELL结位于所述硅晶圆内部；进行源极注入形成源区，并在硅晶圆表面制作栅氧和多晶；制作接触区、金属层间介质；在硅晶圆的正面制作源极金属、在硅晶圆背面淀积漏极金属。本发明通过二次注入和推结，把栅极下方PWELL与JFET结电场峰值由表面推到体内，提高了器件结构的单粒子烧毁和单粒子栅击穿性能。
一种降低表面电场辐射 vdmos 器件制造方法

[发明专利]一种利用HPLC检测蛋黄中α-香附酮的富集量的方法-CN202210016731.X有效
发明人：张桂贤;牛瑾;樊玮鑫;王文玲;唐新宇;张延利;周千;张超士 -专利权人：山西农业大学
申请日： 2022-01-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01N30/02 文献下载
摘要：本发明公开了食品技术领域的一种利用HPLC检测蛋黄中α‑香附酮的富集量的方法，该利用HPLC检测蛋黄中α‑香附酮的富集量的方法包括如下步骤：将煮好的鸡蛋的蛋黄与蛋清分离，准确称取蛋黄，对其进行皂化；在皂化后的样品内添加石油醚，制取石油醚提取液；在石油醚提取液中添加甲醇进行溶解，制得浓缩液，提取溶液进行过滤冷藏，待高效液相色分析；取α‑香附酮标准品溶液和浓缩液进行专属性、线性关系、精密度以及重复性试验，本发明通过高效液相色谱法可以检测到蛋黄中有α‑香附酮的富集，该方法操作简单，结果准确误差小，通过对鸡蛋进行食品加工，提高了鸡蛋的附加值，通过检测蛋黄中α‑香附酮的富集量，也为功能性鸡蛋研发提供预试验。
一种利用 hplc 检测蛋黄香附富集方法

[发明专利]一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法-CN202310739767.5在审
发明人： 唐新宇;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;廖远宝 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法，属于半导体功率器件领域。在外延材料上生长栅氧化层，淀积多晶硅栅；光刻后对多晶硅栅和栅氧化层进行刻蚀，做出合适的图形；进行离子注入并退火形成阱、源极区；在表面依次生长氧化层、淀积氮化硅、TEOS；进行SPACER腐蚀，以氮化硅作为停止层形成侧墙，并将接触孔底部露出的氮化硅腐蚀去除；在表面形成介质层，通过光刻和腐蚀工艺，做源极和阱区的接触孔；溅射金属并利用光刻腐蚀做出源极和栅极引出。本发明利用SPACER腐蚀，形成左右两边对称的侧墙结构，以此来定义接触孔的位置，保证接触孔能对称覆盖两侧的源极区域，避免光刻精度不足引起的接触孔左右偏移，从而优化了VDMOS器件的电流均匀性和可靠性。
一种电流均匀 vdmos 器件制造方法

[发明专利]投加式SCR催化剂及其在水泥窑预热器系统的使用方法-CN202310362541.8在审
发明人： 唐新宇;范道荣;任鹏;赵志国 -专利权人：天津中材工程研究中心有限公司;天津水泥工业设计研究院有限公司
申请日： 2023-04-06 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： B01J23/34 文献下载
摘要：本发明属于脱硝技术领域，特别是涉及一种投加式SCR催化剂及其在水泥窑预热器系统的使用方法。该催化剂为均一粒径的球状颗粒，且粒径在10μm以下；所述投加式SCR催化剂的成分包括质量占比大于50％的五氧化二钒，还包括二氧化锰、二氧化钛、三氧化钨，三氧化钼中的任意一种或几种的组合；水泥窑预热器系统包括依次连接的C2旋风筒、C1旋风筒、余热发电锅炉、生料磨以及收尘器，还包括生料库和生料提升机；C1、C2旋风筒之间连接有C2‑C1风管。投加式SCR催化剂的投加方式是在生料提升机、生料磨、生料库或三者之间加入到生料粉中，与生料粉一起进入水泥窑预热器系统。并不需要设置SCR塔，阻力近似于0，降低了运行成本。
投加式 scr 催化剂及其水泥预热器系统使用方法

[发明专利]一种食品安全用杀菌消毒装置-CN202310903540.X在审
发明人：董文甫;李艳红;唐新宇;李艳军;董千里 -专利权人：太原旅游职业学院
申请日： 2023-07-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： A23P30/00 文献下载
摘要：本发明涉及杀菌消毒设备技术领域，尤其涉及一种食品安全用杀菌消毒装置，包括底座，底座底部两端均固定连接有承重块，承重块底部两端内壁均连接有转向滚轮，底座两侧外壁均固定连接有支撑板，本发明中通过设置挡板，可以将打包完成的食品进行单独放置，不仅让杀菌消毒范围更加全面，同时也避免出现食品堆积在一起和遗漏的情况，通过设置雾化喷头，可以将杀菌消毒试剂均匀地喷出，有利于提高食品的杀菌消毒效果，同时也大大节省了劳动人员的时间和体力，通过设置紫外线杀菌灯，可以对每个打包完成的食品进行杀菌消毒处理，有利于提高整个装置的工作效率，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
一种食品安全杀菌消毒装置

[发明专利]一种食品安全检测自动筛选装置-CN202310903529.3在审
发明人：李艳红;唐新宇 -专利权人：太原旅游职业学院
申请日： 2023-07-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B07C5/342 文献下载
摘要：本发明涉及食品安全技术领域，尤其涉及一种食品安全检测自动筛选装置，包括底座，底座两侧外壁均固定连接有承重块，承重块底部两端内壁均连接有螺纹轴，螺纹轴底部均连接有转向滚轮，本发明中通过设置颜色识别传感器，可以对比色试纸上产生的颜色进行识别，当样品放置皿中的混合物存在安全问题时，比色试纸会产生异色，此时第二控制模块会自动开启电源块，随后电动升降杆与推板结构便会将存在安全问题的样品放置皿推出放置框，此时检测人员便可以快速将有安全问题的样品放置皿取下来，这一过程不仅节省了检测人员的时间，同时也加快了食品安全检测工作的进度，从而有效的解决了现有装置中出现的问题和不足。
一种食品安全检测自动筛选装置

[实用新型]一种带熔断功能的光伏直流集电线束-CN202321169996.X有效
发明人：郭浪;刘成;周根远;唐新宇 -专利权人：小牛电气（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01R13/68 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带熔断功能的光伏直流集电线束，其包括主支线束和分支线束，主支线束包括主支连接模块和主支线缆；分支线束包括分支连接模块、分支线缆、熔断模块和连接器插头，分支连接模块与对应的主支连接模块连接。此集电线束能够在同一主支集成多个汇流点，在同一汇流点接入多路分支，实现光伏系统大批量分支的汇流；当电压不稳定、电流瞬间过大到一定程度时可以实现自动切断电源，避免局部过热，提高产品在使用时的安全性能；线束装配过程简单、便捷，便于光伏线缆快速、有效地布线，缩短组装时间，降低能量在传输中的物理损耗；分支线缆尾部的连接器插头可与光伏组件中的连接器插头对插使用，装配快捷，通用性强，使用范围广。
一种熔断功能直流电线

[发明专利]差压铸造机-CN202310507483.3有效
发明人：徐佐;赵永刚;任彦朝;马向前;朱志华;焦阳;唐新宇;路鹏;费佳欢;杨光;鲁德谦;王德壮;张景伟;尹志高;乔侠 -专利权人：中信戴卡股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B22D18/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种差压铸造机，包括：机体框架，包括从下至上依次布置且连接的底板总成、下支撑柱、中间板总成、上支撑柱和顶板总成，中间板总成上设有第一安装孔；下模具安装总成，嵌设于第一安装孔，下模具安装总成相对中间板总成可升降运动；上模具安装总成和下模具安装总成限定出可开合的型腔，上模具安装总成与顶板总成传动连接，以在顶板总成的驱动下做升降运动；保温炉，包括炉体和炉盖；上模具安装总成设有提拉机构，下模具安装总成设有提拉锁止机构，在打开炉盖时，提拉机构与提拉锁止机构锁止配合，上模具安装总成通过提拉机构提拉下模具安装总成，以使炉盖与炉体分离。根据本发明的差压铸造机，可以完成铸件以及炉盖和炉体的更换。
压铸

[外观设计]低压铸造机-CN202330382136.3有效
发明人：杨光;刘双勇;赵永刚;曾昭军;唐新宇;路鹏;姜舟 -专利权人：秦皇岛信越智能装备有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：低压铸造机。2.本外观设计产品的用途：用于配合模具进行铝合金车轮毛坯的铸造。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
低压铸造

[发明专利]一种轮毂表面二维码的激光刻录读取设备与方法-CN202010015250.8有效
发明人：秦余超;李红波;贾庆业;赵永刚;孙岩;肖国新;唐新宇;董彦武;路鹏;綦闯 -专利权人：秦皇岛信越智能装备有限公司
申请日： 2020-01-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： B25J11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种轮毂表面二维码的激光刻录与读取设备，包括电气控制柜、工业机器人、视觉系统、激光刻录器、用于居中定位、顶升、旋转的机械部件。首先对轮毂进行居中定位，顶起，旋转，3D识别相机采集旋转的轮毂表面字符信息，控制系统判断轮毂的轮型信息。机器人夹取轮毂对轮毂内法兰盘进行拍照，通过特征点与标准位置进行比较计算出旋转角度，机器人带动轮毂旋转，确定二维码刻录位置。激光刻录器开始对轮毂进行二维码的刻录，读码相机对刻录的二维码进行识别，输出识别结果完成设备工作。本发明具有稳定性好、识别率高、适用于不同轮型轮毂二维码刻录读取，可以满足轮毂生产厂对轮毂生产过程的监管与轮毂信息的可追溯性的要求。
一种轮毂表面二维码激光刻录读取设备方法

[发明专利]一种桥梁横向调位机构及其使用方法-CN201810778053.4有效
发明人：叶智威;王阳建;叶俊贤;郑浩楠;邱友海;杨雄;刘谨源;卢建新;刘爽;李星宇;唐新宇;王攀 -专利权人：深圳市路桥建设集团有限公司
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： E01D19/00 文献下载
摘要：本发明涉及桥梁技术领域，具体提供一种桥梁横向调位机构及其使用方法，桥梁横向调位机构包括调位装置，调位装置包括连接组件和两个可伸缩调节的支撑杆，两支撑杆沿着箱梁横向分设于墩柱的两侧，支撑杆具有下支撑端部和上支撑端部，支撑杆的下支撑端部铰接于墩柱，支撑杆的上支撑端部抵顶于箱梁的底面，连接组件连接两上支撑端部且通过收紧和放松连接组件以调节两上支撑端部之间的距离；各支撑杆的上支撑端部具有在支撑杆伸长时偏离原抵顶位向远离墩柱方向移位的初调位状态，各支撑杆的上支撑端部还具有在连接组件收紧调节时沿着连接组件的长度方向朝向墩柱移位且直至上支撑端部抵于原抵顶位的顶升状态。
一种桥梁横向机构及其使用方法

[实用新型]一种电石炉分体式称量斗-CN202320699054.6有效
发明人：齐晓虎;黄建章;李旭;邓富勤;石战龙;王伟;孙刚;梁万换;孔明;楚玉良;张浩;孔兵;唐新宇;王明明;查波;王建军;赵辰 -专利权人：新疆金晖兆丰能源股份有限公司
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： F27B3/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及电石炉生产设备技术领域，具体公开了一种电石炉分体式称量斗，包括：上称量斗：上称量斗顶部设有端盖，上称量斗的侧壁均匀设有若干吊耳；下称量斗：下称量斗与上称量斗连接且下称量斗与上称量斗内部之间形成连通的容腔，下称量斗的底部设有与容腔连通的出料口；连接组件：连接组件用于连接上称量斗与下称量斗，采用上称量斗与下称量斗的结构形式，根据称量斗实际的使用情况，使得在进行检修时仅需要对下称量斗进行维护或者更换，不仅可以缩短检修的时间和人力成本，并且可以减少更换的设备成本，降低了相关操作人员的工作风险，减少了检修的频次，缩短了检修的时间，减少了物料的消耗，保障了人员安全，同时极大提高了工作效率。
一种电石体式称量

[实用新型]一种用于滑轨顶推的夹轨反力座及滑轨顶推系统-CN202223501734.7有效
发明人：黄伟强;杨雄;李会超;柳黎;廖文龙;徐建华;刘谨源;吴明海;唐新宇;程建光 -专利权人：深圳市路桥建设集团有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： E04G21/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于滑轨顶推的夹轨反力座及滑轨顶推系统，用于滑轨顶推的夹轨反力座包括：侧板、中板、夹板、洞孔、螺母、螺栓；侧板具有两块；中板连接在两块侧板之间；夹板具有两块并对应固定在两块侧板内侧；洞孔设置在中板上；螺母固定在中板上且螺母的孔对应所述洞孔；螺栓对应连接在螺母上；滑轨顶推系统包括临时支撑钢板、顶推千斤顶、顶推千斤顶伸长端限位装置、顶推加肋板、被移物。解决了在土建工程中整体平移物体时，不需要复杂的机械结构，利用夹轨反力座和顶推千斤顶可以根据任意移动的物体的位置，加工简单，成本低廉，具有很好的实用性。
一种用于滑轨夹轨反力座系统

[发明专利]一种高密度trench型MOSFET的制造方法-CN202310582828.1在审
发明人：廖远宝;徐政;徐海铭;唐新宇;张庆东 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种高密度trench型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域。在沟槽前先实现阱区注入，沟槽刻蚀的硬掩蔽层采用外延硅‑氧化硅‑氮化硅结构，此膜层结构一直保留至多晶刻蚀；多晶刻蚀后对硬掩膜层中第二氧化硅层和第一氮化硅层进行SPACER刻蚀处理，在多晶两侧形成SPACER侧墙；介质孔腐蚀后，在孔打开区域形成氮化硅硬掩蔽层，实现硅孔自对准腐蚀，保证硅孔始终处于沟槽与沟槽之间的中心位置。本发明通过优化工艺步骤和工艺流程加工顺序，不需要增加额外的光刻层次，在工艺难度和制造成本增加有限的情况下，可以有效提升产品可靠性。
一种高密度 trench mosfet 制造方法

[发明专利]一种SGT型MOSFET的制造方法-CN202310688194.8在审
发明人：廖远宝;洪根深;谢儒彬;张庆东;徐海铭;徐政;唐新宇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种SGT型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明针对SGT性栅源两层多晶采用上下结构的组合方式，SGT型MOSFET器件主要分为两个部分，上半部分为场氧和源极多晶的形成；下半部分为栅氧化层和栅多晶。这两个部分需要用氧化层进行隔离。本发明的方法利用氮化硅侧墙效应，打开源极多晶顶部实现氧化隔离，有效降低导通电阻和栅漏电容，提升器件产品的性能，并且降低工艺成本和工艺难度，制造出高性能SGT型MOSFET产品。
一种 sgt mosfet 制造方法

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