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[发明专利]用不同金属二次浇铸形成图案的方法-CN200710017669.1无效
发明人：吕建新 -专利权人：吕建新
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： B22D19/16 文献下载
摘要：本发明给出了一种用不同金属二次浇铸形成图案的方法，它先根据金属物体的形状做出有图案凹槽的胎体模型，再将一种金属镕化后浇铸成留有图案凹槽的胎体；最后用一种以上不同颜色的金属镕化后注入胎体的图案凹槽中，形成金属物体上有不同金属颜色图案的金属物体用这种方法形成的图案永不脱落、不变形、耐磨损。
不同金属二次浇铸形成图案方法

[实用新型]非热电分离式金属基板及具有该金属基板的发光组件-CN201020275331.3有效
发明人：曾子章;李长明;刘文芳;余丞博 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种非热电分离式金属基板及具有该金属基板的发光组件。该非热电分离式金属基板用于降低一发热组件的温度，该非热电分离式金属基板包括一线路层、一介电层、一图案化金属板以及至少一导热孔，该介电层设置在该线路层的下方；该图案化金属板设置在该介电层的下方；且该至少一导热孔穿设该线路层及该介电层并与该图案化金属板相连接，该至少一导热孔设置一导热构件，且该导热构件与该图案化金属板接触。本实用新型当发热组件置于线路层的上方时，发热组件所产生的热可经由导热构件传导至图案化金属板，通过图案化金属板进行散热，以达到降低发热组件的温度的效果。
热电分离金属具有发光组件

[发明专利]可挠性电路板的制造方法-CN201710099995.5在审
发明人：陈巧珮;陈品璇;陈钰佩;洪宗泰;陈秋风 -专利权人：台虹科技股份有限公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：提供第一可挠性载板并在第一可挠性载板上形成第一金属层。图案化第一金属层，形成第一开口。形成第一图案化感光性绝缘层在第一金属层上，第一图案化感光性绝缘层具有暴露第一金属层的通孔。形成晶种层在第一图案化感光性绝缘层上并填入通孔，在通孔中形成导通孔。在晶种层上形成第二金属层，第二金属层具有暴露晶种层的第二开口。以第二金属层作为罩幕，图案化晶种层，暴露出部分的第一图案化感光性绝缘层。形成第二图案化感光性绝缘层在第二开口中。
图案化感光性绝缘层第一金属层晶种层可挠性电路板第二金属层通孔开口可挠性载板暴露制造导通孔填入

[发明专利]探针卡的制造方法-CN200610103270.0有效
发明人：王俊恒 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2006-07-24 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：在基板上依序形成第一钝化层、第一图案化光阻层与第一金属层。第一金属层具有多个第一贯孔，暴露出部分第一图案化光阻层。在第一金属层与第一图案化光阻层上依序形成第二钝化层与第二图案化光阻层。第二图案化光阻层具有多个第二贯孔，分别暴露出第一贯孔。在第一贯孔与第二贯孔内形成多个针体，并在第二图案化光阻层上形成第二金属层，且这些针体的一端与第二金属层连接。取出针体与第二金属层。图案化第二金属层，以形成多个顶部。
探针制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列制作方法-CN201210401021.5无效
发明人：江政隆;陈柏林 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管阵列制作方法，其包含下列步骤：在基板上形成图案化第一金属层；沉积第一绝缘层以覆盖图案化第一金属层；形成图案化氧化物半导体层于薄膜晶体管区的第一绝缘层上；在第一绝缘层与氧化物半导体层上形成第二绝缘层；蚀刻在薄膜晶体管区的第二绝缘层，裸露部分氧化物半导体层，同时蚀刻在讯号线区的第二绝缘层与第一绝缘层，裸露第一金属层；以及形成图案化第二金属层于薄膜晶体管区的图案化第二绝缘层上，使图案化第二金属层电性连接氧化物半导体层，同时形成图案化第二金属层于讯号线区的部分第一金属层上。
薄膜晶体管阵列制作方法

[发明专利]具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法-CN202010092018.4有效
发明人：阿韦季克·哈鲁特云岩 -专利权人：本田技研工业株式会社
申请日： 2020-02-14 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明题为“具有预定宽度的原子层金属二硫属元素化物的直接图案化生长方法”。本发明提供了一种生长金属二硫属元素化物原子层的图案的方法，该方法包括提供基底；在基底上提供碳纳米结构的对准图案；提供与碳纳米结构的图案的第一部分接触的第一金属部分和与碳纳米结构的图案的第二部分接触的第二金属部分；在基底和碳纳米结构的图案上沉积盐层；电阻加热碳纳米结构的图案以从基底去除碳纳米结构的图案和沉积在碳纳米结构的图案上的盐，其中从基底去除碳纳米结构的图案和沉积在碳纳米结构的图案上的盐在基底上提供盐图案；以及在盐图案上生长金属二硫属元素化物原子层，其中金属二硫属元素化物原子层以对准的图案提供，该对准的图案均具有预定宽度。本发明还公开了根据本公开的方法制备的金属二硫属元素化物原子层的图案。
具有预定宽度原子金属二硫属元素直接图案化生方法

[发明专利]一种纳米级图案化金属阵列及其制备方法-CN202210093832.7在审
发明人：张小平;张梦雨;王逸松;李铭晖 -专利权人：清华大学
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米级图案化金属阵列及其制备方法，涉及光学器件技术领域，该纳米级图案化金属阵列包括硅基衬底和纳米级图案化金属颗粒阵列；所述纳米级图案化金属颗粒阵列包括多个纳米级金属颗粒，且所有所述纳米级金属颗粒按照周期排列在所述硅基衬底上；从俯视角度出发，所述纳米级图案化金属颗粒阵列中的纳米级金属颗粒的形状为正方形、长方形、三角形、L形、U形中的一种或多种。
一种纳米图案金属阵列及其制备方法

[发明专利]显示阵列基板及显示阵列基板的制造方法-CN201410126304.2有效
发明人：施博理;高逸群 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2014-04-01 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示阵列基板的制造方法，该制造方法包括：于一基板上沉积第一金属层，并定义像素区域与周边区域；在周边区域的第一金属层上涂布图案化光阻层；利用图案化光阻层为屏蔽阳极化处理该第一金属层形成第一金属氧化物层；图案化该像素区域的第一金属氧化物层形成栅极绝缘层，并移除图案化光阻层曝露出该第一金属层；于栅极绝缘层上形成沟道层；及沉积第二金属层，并图案化像素区域的第二金属层形成源极与漏极。
显示阵列制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110096448.8在审
发明人：李承晋;李劭宽;黄心岩;陈海清;眭晓林 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供半导体装置的制造方法，用于形成无阻障互连层的方法及结构，包含将设置于基底上方的金属层图案化，以形成图案化金属层，图案化金属层包含一个或多个沟槽。在一些实施例中，此方法还包含在一个或多个沟槽中选择性沉积阻障层于图案化金属层的金属表面上。在一些范例中，在选择性沉积阻障层之后，在一个或多个沟槽中沉积介电层。之后，可移除选择性沉积的阻障层，以在图案化金属层与介电层之间形成空气间隙。
半导体装置制造方法

[发明专利]图案化线路的制作方法-CN202210124818.9在审
发明人：蔡汉龙 -专利权人：业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H05K3/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种图案化线路的制作方法，该图案化线路的制作方法包括：在基材的一侧表面上形成完全覆盖基材的金属层；对金属层和基材进行切削，以在金属层上形成图案化线路。上述的图案化线路的制作方法在基材的一侧表面上形成金属层后，对金属层和基材进行切削，通过切削直接在金属层表面形成图案化线路，由于切削工艺使用更加灵活，不存在加工盲区，因此，该制作方法的适用场景范围更大。
图案线路制作方法

[发明专利]电子装置的天线设计-CN200510120292.3无效
发明人：林永森 -专利权人：宏碁股份有限公司
申请日： 2005-11-09 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种具有天线的电子装置，包括一壳体以及一图案化金属薄膜，此图案化金属薄膜形成于壳体上。其中，此图案化金属薄膜的一部分为一天线，用以处理无线电信号。
电子装置天线设计

[发明专利]图案化金属氧化物层的制作方法-CN200810094824.4无效
发明人：杨明桓;宋兆峰;陈文隽;李裕正;郑兆凯 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化金属氧化物层的制作方法，其是先提供基板。然后，对此基板进行表面改性步骤。接着，对基板进行数字打印步骤，于预形成图案化金属氧化物层的区域涂布催化剂。之后，进行低温化学镀膜步骤，以于基板上的预形成图案化金属氧化物层的区域，沉积图案化金属氧化物层。
图案金属氧化物制作方法

[发明专利]一种高精度图案化可拉伸电极及其制备方法-CN201910091971.4有效
发明人：赵晓丽;汤庆鑫;童艳红;杨硕;孙子晶 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2019-01-30 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度图案化可拉伸电极及其制备方法。所述高精度图案化可拉伸电极，为贴附于弹性基底上的图案化电极；图案化电极为连接碳纳米管的金属电极；金属电极为金电极；金属电极通过巯基乙胺与所述碳纳米管连接。所述高精度图案化可拉伸电极按照包括如下步骤的方法制备：在设有电极图案的衬底上蒸镀金属得到金属电极；在金属电极的表面喷涂碳纳米管；在碳纳米管的表面上制备弹性基底，从衬底上剥离后即得。本发明提供的图案化可拉伸电极，结合传统金电极电导率高和碳纳米管高纵横比，比表面积大的优点，充分实现了优势互补，制备出高拉伸性能兼具良好导电性的高精度图案化可拉伸电极。
一种高精度图案拉伸电极及其制备方法

[发明专利]可调双频太赫兹吸收器-CN201910346269.8有效
发明人：李九生;陈旭生;李达 -专利权人：中国计量大学上虞高等研究院有限公司
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01Q17/00 文献下载
摘要：它包括二硒化钨图案、二硒化钨线、金属电极、介质层和金属基底；二硒化钨图案、二硒化钨线和金属电极处于顶层，二硒化钨图案由四个样式相同但尺寸依次增大的十字图案以2×2阵列形式排列组成，每个十字图案由两个相同的椭圆同心十字交叉而成；十字图案通过二硒化钨线连接，十字图案被二硒化钨线分为两组，每组连接不同的金属电极，两组之间相互独立，二硒化钨图案的下层为介质层，介质层的下层为金属基底，金属电极和金属基底通过电压源相连。通过外加电场调节二硒化钨的费米能级，从而改变吸收峰的中心频率和吸收效率，实现可调谐太赫兹波双频带吸收。
可调双频赫兹吸收

[发明专利]集成电路以及其制作方法-CN201710628490.3在审
发明人：邱久容;林宏展;陈禹钧 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该集成电路包括第一绝缘层、底板、第一图案化介电层、中板、第二图案化介电层与上板。第一图案化介电层设置于底板上。中板设置于第一图案化介电层上。部分的底板、至少部分的第一图案化介电层与至少部分的中板设置于贯穿第一绝缘层的第一沟槽中。底板、第一图案化介电层与中板构成第一金属‑绝缘层‑金属电容器。第二图案化介电层设置于中板上。上板设置于第二图案化介电层上。中板、第二图案化介电层与上板构成第二金属‑绝缘层‑金属电容器，且底板与上板电连接。
图案化介电层底板绝缘层上板集成电路金属电容器板设置金属电连接制作贯穿