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[发明专利]内埋式线路结构工艺-CN200710136820.3有效
发明人：陈宗源;陈俊谦 -专利权人：欣兴电子股份有限公司
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H05K3/20 文献下载
摘要：该内埋式线路结构工艺包括叠压复合金属层、胶片、支撑板、另一胶片及另一复合金属层，其中每一复合金属层具有内金属层及与其相层叠的外金属层，而内金属层的外表面的粗糙度小于外金属层的外表面的粗糙度，且叠压之后这些外金属层的外表面暴露于外将两图案化光刻胶层分别形成于这些外金属层的外表面。将金属材料形成在这些外金属层的外表面未受这些图案化光刻胶层所遮盖的部分，以形成两图案化线路层。移除这些图案化光刻胶层以形成叠层结构。将与叠层结构相同的另一叠层结构经由介电层叠压至叠层结构，其中靠近介电层的这些图案化线路层埋入介电层内。
内埋式线路结构工艺

[外观设计]瓷砖（金属图案）-CN201730254197.6有效
发明人：李健 -专利权人：李健
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： 25-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称瓷砖（金属图案）。2．本外观设计产品的用途用于建筑内外装修的平板材料瓷砖。3．本外观设计产品的设计要点产品的颜色和图案。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。5．请求保护的外观设计包括颜色和图案。
瓷砖金属图案

[发明专利]增强光和/或激光烧结的缓冲层-CN201080015842.4有效
发明人： Z·雅尼弗;M·杨;P·B·莱克斯顿 -专利权人：应用纳米技术控股股份有限公司
申请日： 2010-03-26 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：在基板上形成图案化金属层，并且随后在图案化金属层和基板上涂敷具有低热导率的材料层。穿过具有低热导率的材料层形成通孔，由此露出图案化金属层的多个部分。导电墨膜随后被涂敷在具有低热导率的材料层上并进入通孔以由此涂敷图案化金属层的多个部分，并且随后被烧结。涂敷在图案化金属层的部分上的导电墨膜从烧结吸收的能量不如涂敷在具有低热导率的材料层上的导电墨膜所吸收的多。具有低热导率的材料层可以是聚合物，诸如聚酰亚胺。
增强光和激光烧结缓冲

[发明专利]以金属纳米线为基底的透明导电涂层-CN201910542227.1在审
发明人：杨希强;李英熙;黄永裕;克里斯托弗·S·斯库利;克利福德·M·莫里斯;阿加依·维尔卡 -专利权人： C3奈米有限公司
申请日： 2014-11-14 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： C09D11/08 文献下载
摘要：本申请涉及以金属纳米线为基底的透明导电涂层。已发现聚合物粘合剂(例如交联的聚合物粘合剂)在形成包含金属纳米结构化网络的高质量透明导电涂层或膜中为有效膜组分。所述金属纳米线膜可有效地图案化且所述图案化可以不同图案化区之间具有高度光学相似性进行。金属纳米结构化网络经由熔合(fusing)所述金属纳米线以形成导电网络来形成。用于图案化的方法包括例如使用交联辐射来使所述聚合物粘合剂进行图案交联。将熔合溶液施加到所述图案化膜可产生低电阻区和电阻区。熔合之后，所述网络可提供所要的低薄片电阻，同时保持良好光学透明度和低混浊度。
金属纳米线聚合物粘合剂透明导电涂层图案化熔合金属纳米结构基底交联聚合物外涂层光学透明度薄片电阻导电网络低电阻区高度光学光学作用交联辐射图案化膜图案化区网络导电膜电阻区混浊度有效地有效膜施加图案申请发现

[发明专利]具有半导体特性多阳离子氧化物通道的薄膜晶体管及制造方法-CN200580034168.3有效
发明人： R·霍夫曼;P·马迪洛维奇;H·姜 -专利权人：惠普开发有限公司
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：通过如下步骤制造薄膜晶体管(TFT)(10)：提供衬底(20)，沉积并图案化金属栅极(30)，将图案化的金属栅极阳极化以在金属栅极上形成栅极绝缘层(40)，在至少部分栅极绝缘层上沉积并图案化包括多阳离子氧化物的通道层(70)，以及沉积并图案化相互分离且均与通道层接触的导电源极(50)和导电漏极(60)。
具有半导体特性阳离子氧化物通道薄膜晶体管制造方法

[发明专利]一种过渡金属硫化物材料图案化的制备方法和产品-CN202110471438.8在审
发明人：张雪峰;杨鑫;张骐 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种过渡金属硫化物材料图案化的制备方法和产品，利用简单可控的磁控溅射镀膜法在衬底材料上直接制备出厚度均匀的过渡金属薄膜，再进行RIE反应离子刻蚀，利用具有化学反应性的气体与过渡金属薄反应，形成图案化的过渡金属薄膜，最后将图案化的过渡金属薄膜放入管式炉，利用硫粉升华与过渡金属发生反应进行硫化，最后生成图案化的硫化物，为二维材料在电子学与光电子学器件领域提供前瞻性工作。
一种过渡金属硫化物材料图案制备方法产品

[发明专利]金属导线的制作方法-CN200510106787.0无效
发明人：彭康嘉 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H05K3/24 文献下载
摘要：一种金属导线的制作方法。首先提供一基板。接着形成一第一金属层于基板表面。然后形成一图案化掩模层于基板上方并覆盖部分第一金属层，且图案化掩模层暴露出预备形成有至少一金属导线的第一金属层表面。接着利用一电镀工艺形成一第二金属层于第一金属层上方。然后移除图案化掩模层。最后利用第二金属层作掩模进行一蚀刻工艺，以移除部分第一金属层，以形成金属导线。
金属导线制作方法

[发明专利]微型化线路的制法及其制品-CN201810436928.2在审
发明人：曾彦豪;黄世颖;彭宥轩;徐伟智;王苇霖;黄文冠 -专利权人：希华晶体科技股份有限公司
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：微型化线路的制法包括：于基板沉积第一金属构成的金属层；于金属层形成具线路图案并裸露一部分金属层的光阻层；自裸露于线路图案外的金属层的部分形成第二金属构成的线路图案下层；于线路图案下层叠制由有别于第一金属的第三金属构成的线路图案上层；移除光阻层以裸露金属层的剩余部分；及以蚀刻剂蚀刻金属层的剩余部分令金属层成为线路图案底层并制得微型化线路。线路图案上、下层是经电镀或化镀所完成，蚀刻剂对第一金属的第一蚀刻速率远大于对第三金属的第二蚀刻速率，令湿式蚀刻反应一致反应在第一金属构成的金属层的剩余部分以降低湿式蚀刻反应在第三金属构成的线路图案上层并降低底切所致的断路问题
线路图案金属层金属蚀刻微型化下层裸露光阻层制法上层蚀刻剂蚀刻湿式蚀刻蚀刻剂电镀断路低湿底切叠制基板移除沉积

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201910801097.9有效
发明人：张竞予;许仲豪;王伟任;潘兴强;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种图案化制程。对光阻层进行图案化。通过金属氧化物的沉积制程，将至少部分的光阻层从有机材料转化为无机材料。全部或一些的图案化的光阻层可被转化成碳‑金属‑氧化物。可于图案化的光阻层上形成金属氧化物壳。在转化之后，图案化的光阻层作为蚀刻下层的蚀刻遮罩。
半导体装置形成方法

[发明专利]触摸面板、具有触摸面板的层压件及其制造方法-CN202111628170.0在审
发明人：鲁圣辰;朴基晙;李俊九 -专利权人：东友精细化工有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触摸面板的制作方法，包括以下步骤：在多室中在基体层上顺序地形成金属层和黑化层；将所述金属层和所述黑化层以网状图案进行图案化；以及蚀刻所述金属层和所述黑化层，以形成形成有所述黑化层的金属网状电极。
触摸面板具有层压及其制造方法

[发明专利]一种避免OLED显示设备中金属线路短路的方法-CN201310476928.2有效
发明人：柯凯元 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明涉及一种避免OLED显示设备中金属线路短路的方法，其包括以下步骤：在一基板上形成一无机层；在所述无机层上形成一图案化金属层，所述图案化金属层包括两条以上金属线路；在所述图案化金属层上形成一图案化有机层，所述图案有机层在其边缘于每相邻的两条金属线路之间具有高度较低的岛区；在所述图案化有机层上形成一ITO层。本发明通过在有机层边缘制作高度较低的岛区，使得沉积在有机层边缘处的ITO部分沉积在岛区上，岛区上的ITO在之后的光刻过程中能够被完全蚀刻去除，使得有机层边缘残留的ITO在相邻的两条金属线路之间不再连续，从而避免了相邻的两条金属线路因残留ITO而出现短路的情况。
一种避免 oled 显示设备金属线路短路方法

[发明专利]芯片堆栈结构及其形成方法-CN200810125048.X有效
发明人：黄成棠 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-06-25 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明是一种芯片的封装结构及其形成方法，封装结构包括：芯片，其主动面和背面分别配置有多个焊垫及黏着层；封装体，环覆芯片的四个面以曝露出芯片的多个焊垫且形成有多个贯穿孔；图案化的第一保护层，形成在封装体的部份表面及部份芯片的主动面上，且曝露出该多个焊垫及多个贯穿孔；金属层，覆盖于图案化的第一保护层的部份表面且与该多个焊垫形成电性连接且填满多个贯穿孔；图案化的第二保护层，覆盖于图案化的第一保护层及部份金属层上且曝露出金属层的部份表面；多个图案化的UBM层，形成在已曝露的金属层的部份表面及图案化的第二保护层的部份表面上，且与金属层形成电性连接；多个导电组件，形成在多个图案化的UBM层上且通过其与金属层形成电性连接。
芯片堆栈结构及其形成方法

[发明专利]磁性存储器件-CN202211067312.5在审
发明人：李俊明;金晥均;卢恩仙;申喜珠;郑峻昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：一种磁性存储器件可以包括堆叠在基板上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的覆盖图案、以及在自由磁性图案和覆盖图案之间的非磁性图案。自由磁性图案可以在隧道势垒图案和覆盖图案之间。非磁性图案可以包括第一非磁性金属和硼，覆盖图案包括第二非磁性金属。第二非磁性金属的硼化物形成能可以高于第一非磁性金属的硼化物形成能。
磁性存储器件

[发明专利]一种图案化金属电极及其制备方法-CN201310565869.6有效
发明人：刘云圻;王翰林;张磊;胡文平;于贵 -专利权人：中国科学院化学研究所
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2014-02-26 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案化金属电极及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：（1）在衬底上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯得到聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层；（2）通过喷墨打印腐蚀性溶剂，按照版图设计，在所述聚甲基丙烯酸甲酯抗蚀层的表面腐蚀出图案化的结构，即得到图案化的抗蚀层；（3）在所述图案化的抗蚀层的表面沉积金属得到导电层；然后将所述衬底与所述图案化的抗蚀层进行剥离，即得到图案化的金属电极。本发明所涉及的图案化金属电极对于衬底没有特殊要求，能够在绝大多数平面衬底上加工；本发明所涉及的方法具有价格低廉，金属分辨率和光刻工艺分辨率持平，沟道分辨率优于光刻工艺分辨率的优点。
一种图案金属电极及其制备方法

[发明专利]锂金属图案化和使用其的电化学装置-CN201780058174.5有效
发明人：蔡午秉;金银卿;禹相昱;曹根植;姜铢熙;崔希源 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01M4/08 文献下载
摘要：本发明通过在锂金属的表面上形成预定图案，能够一次大量制造图案化锂金属箔，本发明使用其中将锂金属物理压制在预先浮雕或凹雕有预定图案的硅晶片上的方法，或其中将液态锂涂布到同样的硅晶片上并随后冷却的方法。另外，本发明能够有利地在大面积上以多种形状进行图案化，并最小化可能由压制压力的不同引起的不均匀图案。这样图案化的锂金属与常规锂金属相比具有优异的可逆性，因此能够大幅改善电池的寿命。
金属图案使用电化学装置