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[发明专利]一种具有分压层的抗辐照功率半导体器件-CN202210765330.4在审
发明人：黄铭敏;马瑶;杨治美 -专利权人：四川大学
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件在耐压层与底部区之间含有中间层和分压层，所述中间层起到截止电场的作用，所述分压层能在所述半导体器件处于截止态下遭受高能粒子辐照时起到承受外加电压的作用，从而避免所述耐压层的动态雪崩击穿。所述半导体器件具有抗辐照特性和高可靠性。
一种具有分压层辐照功率半导体器件

[发明专利]一种含有高阻p-top区的逆导型超结IGBT-CN202110351484.4在审
发明人：马瑶;黄铭敏;杨治美 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型超结IGBT（Reverse Conducting Superjunction Insulated Gate Bipolar Transistor，逆导型超结绝缘栅双极型晶体管）器件，其超结耐压层中的第二导电类型的半导体区的上方有一个电阻率较高的第二导电类型的顶部区，并且含有侧面被第二导电类型的浮空区包围和顶部被第一导电类型的截止环包围的背面槽型绝缘介质区。该器件有较低的导通压降并且能消除电压随电流的折回现象。
一种含有 top 逆导型超结 igbt

[发明专利]基准电压电路及其设计方法-CN202111285077.4有效
发明人：胡蓉彬;朱璨;王建安;陈光炳;付东兵;张正平;俞宙;杨治美;龚敏 -专利权人：重庆吉芯科技有限公司
申请日： 2021-11-01 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种基准电压电路及其设计方法，在通过主放大单元对基准核单元形成反馈的基础上，通过前馈放大单元对主放大单元形成前馈，通过基准核单元、主放大单元与前馈放大单元形成三阶负反馈环路，相较于主放大单元与基准核单元形成的二阶负反馈环路，三阶负反馈环路的增益更高，基于三阶负反馈环路中主放大单元与前馈放大单元两个较大的增益对电源电压波动的衰减缓冲，基准电压受电源电压的波动影响十分微弱，呈现出较好的电源抵制能力；同时，基于该三阶负反馈环路结构的创新，相比目前技术，在电源电压变化时，主放大单元两个输入端的电压差保持相对稳定，从而使得基准电压也保持相对稳定。
基准电压电路及其设计方法

[发明专利]一种浮空p柱的槽栅超结IGBT-CN202110355018.3有效
发明人：马瑶;黄铭敏;杨治美 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其耐压层中的第二导电类型的半导体区浮空并且其槽型栅极结构的底部被重掺杂的第二导电类型的半导体区包围，其具有低导通压降，并且槽型栅极结构底部的重掺杂的第二导电类型的半导体区能显著降低空穴流经槽型栅极结构底部时的碰撞电离，避免击穿电压的降低。
一种槽栅超结 igbt

[发明专利]一种浮空p柱的逆导型槽栅超结IGBT-CN202110373827.7有效
发明人：马瑶;黄铭敏;杨治美 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型超结IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）器件，其超结耐压层中的第二导电类型的半导体区浮空且其槽型栅极结构的底部被重掺杂的第二导电类型的半导体区包围，并且含有侧面被第二导电类型的浮空区包围和顶部被第一导电类型的截止环包围的背面槽型绝缘介质区。该器件有较低的导通压降，能消除电压随电流的折回现象，且能避免击穿电压的降低。
一种逆导型槽栅超结 igbt

[发明专利]带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法-CN202111459150.5在审
发明人：胡蓉彬;朱璨;王健安;陈光炳;付东兵;张正平;俞宙;杨治美;龚敏 -专利权人：重庆吉芯科技有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供一种带隙基准电压电路及带隙基准电压的补偿方法，所述带隙基准电压电路包括：一阶温度补偿带隙基准单元，输出具有一阶温度补偿的带隙基准电压；二阶温度补偿单元，接一阶温度补偿带隙基准单元，向一阶温度补偿带隙基准单元输出具有二阶正温度系数的补偿电流，对带隙基准电压进行二阶温度补偿。本发明通过一阶温度补偿带隙基准单元产生具有一阶温度补偿的带隙基准电压，通过二阶温度补偿单元产生具有二阶正温度系数的补偿电流，再把具有二阶正温度系数的补偿电流作用到带隙基准电压上，有效实现了输出带隙基准电压的二阶温度补偿。
基准电压电路补偿方法

[发明专利]一种含有浮空区包围背面槽栅的逆导型IGBT-CN201911185204.6在审
发明人： 杨治美;黄铭敏;刘薇 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明提供了一种逆导型绝缘栅双极型晶体管（Reverse Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor，RC‑IGBT）器件，其含有背面槽型栅极结构。所述背面槽型栅极结构与第一导电类型的漂移区通过第二导电类型的浮空区间接接触。所述浮空区与所述漂移区的内建电势差使两个所述浮空区之间的漂移区耗尽，从而抑制折回（snap‑back）现象。
一种含有浮空区包围背面逆导型 igbt

[发明专利]Si基“反向外延”3C-SiC单晶薄膜及其制备方法-CN201010227102.9无效
发明人： 杨治美;龚敏;孙小松 -专利权人：四川大学
申请日： 2010-07-15 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种Si基上碳往Si中扩散，并与Si反应形成Si基上“反向外延”生长的立方碳化硅(3C-SiC)单晶薄膜及其制备方法，属于Si基新型宽禁带半导体材料制作领域。该方法是采用低压化学气相沉积法，简称LPCVD，在高温下利用甲烷分解，碳向Si中扩散，有效地置换出Si，由“反向外延”生长机制形成化学计量比为1∶1的3C-SiC单晶薄膜、其厚度可以达到微米级、室温下电子霍尔迁移率达到1.22×103cm2/(V·s)和液氮中电子霍尔迁移率达到2.06×103cm2/(V·s)。本发明制备的3C-SiC单晶薄膜的杂质浓度和导电类型可以通过单晶硅衬底的杂质浓度和导电类型来控制，并且薄膜中杂质浓度比较均匀。本发明能够获得低应力、高质量的Si基反向外延3C-SiC薄膜材料。
si 反向外延 sic 薄膜及其制备方法