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[发明专利]一种利用芜萍负载植物生长促进菌联合处理养殖尾水的原位修复方法-CN202310864281.4在审
发明人：郁二蒙;谢骏;江林源;文露婷;王广军;马华威;吕敏 -专利权人：中国水产科学研究院珠江水产研究所;广西壮族自治区水产科学研究院
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C02F3/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用芜萍负载植物生长促进菌联合处理养殖尾水的原位修复方法，属于养殖水体处理技术领域。所述修复方法为：以芜萍为载体，对植物生长促进菌进行负载，然后将其投放于养殖尾水中，即完成养殖尾水的原位修复。本发明的修复方法可以使养殖尾水中不同类型的污染物均得到原位净化，极大地提高了养殖尾水的净化效果和处理效率，同时在修复完成后对芜萍进行回收，收集的芜萍可进一步进行资源化利用。
一种利用负载植物生长促进联合处理养殖原位修复方法

[发明专利]原位生长负载层状氧化锰的碳纤维毡及其合成方法与应用-CN201710271860.2有效
发明人：阚晓天;王敏;张玲霞;施剑林 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B01J23/34 文献下载
摘要：本发明涉及原位生长负载层状氧化锰的碳纤维毡及其合成方法与应用，所述负载层状氧化锰的碳纤维毡材料，包括碳纤维毡、以及原位生长于所述碳纤维毡中碳纤维表面的δ相氧化锰纳米片，所述δ相氧化锰纳米片具有层状晶体结构本发明使用硝酸前处理碳纤维毡载体，再通过高锰酸钾溶液与活化后的碳纤维毡在酸性条件下反应，原位生成负载于碳纤维山的氧化锰材料，该方法具有简单易行，环境友好，成本低廉等特点。
原位生长负载层状氧化锰碳纤维及其合成方法应用

[发明专利]一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法-CN202010672178.6在审
发明人：潘东;刘磊;赵建华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： B82B3/00 文献下载
摘要：一种窄禁带半导体/超导体异质结纳米线的制备方法，包括：将衬底(10)放置于制备设备中，在衬底表面生长半导体纳米线(11)，以半导体纳米线(11)为内核，在半导体纳米线(11)的侧壁上原位外延生长窄禁带半导体纳米线壳层(12)，在窄禁带半导体纳米线壳层(12)表面原位外延生长超导体层(13)。
一种窄禁带半导体超导体异质结纳米制备方法

[发明专利]一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法-CN201310088301.X有效
发明人：李密锋;喻颖;贺继方;査国伟;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。
一种密度 inas 量子分子外延生长方法

[发明专利]一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法-CN201510040966.2在审
发明人：裴轶 -专利权人：苏州捷芯威半导体有限公司
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法，该晶体管包括：衬底；沟道层，位于衬底之上；势垒层，位于沟道层之上，势垒层与沟道层的交界面处形成有二维电子气；沟槽，位于势垒层之内；二次生长的半导体外延层，位于沟槽之上；原位介质层，位于二次生长的半导体外延层之上；栅极，位于原位介质层之上；源极，位于势垒层之上；漏极，位于势垒层之上。本发明所述的增强型高电子迁移率晶体管能够降低刻蚀引起的材料损伤及缺陷，降低沟槽和二次生长的半导体外延层的界面态密度以及原位介质层和二次生长的半导体外延层的界面态密度，降低栅极漏电，提高晶体管的击穿电压、
一种增强电子迁移率晶体管及其制作方法

[发明专利]一种含MIL型金属-有机骨架材料的聚酰胺反渗透复合膜及其制备方法-CN201510628343.7在审
发明人：王璐莹;雷建都;何静;刘静;邓立红 -专利权人：北京林业大学
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： B01D71/56 文献下载
摘要：本发明结合多次原位生长法和二次界面聚合法制备了聚酰胺/MIL功能皮层：多次重复原位生长制备过程，制得表面均匀生长有MIL型金属-有机骨架纳米粒子的底膜；将多次原位生长法制备的底膜经二次界面聚合使聚酰胺超薄皮层覆盖于
一种 mil 金属有机骨架材料聚酰胺反渗透复合及其制备方法

[发明专利]一种原位生长在碳布上的铬掺杂磷化钴纳米棒阵列的制备方法-CN202011313924.9在审
发明人：庄仲滨;张立鹏;张俊涛 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： B01J27/188 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种原位生长在碳布上的铬掺杂磷化钴纳米棒阵列的制备方法，具体步骤包括：先将碳布在硝酸中氧化以增强其亲水性，然后采用水热法在碳布上原位生长一层前驱体CrxCo1‑x(OH)F/CC，最后通过高温气相磷化法将生长在碳布上的前驱体转变为铬掺杂磷化钴CrxCo原位生长在碳布上的铬掺杂磷化钴纳米棒阵列分布均匀、排列紧密、棒状颗粒尺寸达到纳米级且粒径均一，铬掺杂降低氢吸附自由能的同时保留了
一种原位生长碳布上掺杂磷化纳米阵列制备方法

[发明专利]一种激光在铜金属基底镀镍表面原位生长石墨烯薄膜的方法-CN202210080945.3在审
发明人：叶晓慧;郑希;强豪;齐明;陈萌瑧 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： C23C16/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光在铜金属基底镀镍表面原位生长石墨烯薄膜的方法。通过在铜金属基底表面电化学镀一层金属镍形成铜镍合金涂层，在铜镍合金涂层上预涂不同固体碳源，然后采用激光辐照在铜镍合金涂层表面实现原位生长石墨烯薄膜。本发明激光原位生长使得石墨烯薄膜与铜金属基底间结合紧密，并且所生长的石墨烯薄膜具有优异的机械性能、耐电弧烧蚀能力及高导电性，可以对铜金属表面提供持久的抗电弧烧蚀保护，从而赋予铜金属优异的抗氧化性能和抗熔焊特性
一种激光金属基底表面原位生长石墨薄膜方法

[发明专利]铁掺杂四氧化三钴电极的制备方法及砷污染水体处理方法-CN202211054655.8在审
发明人：刘慧玲;刘承斌;唐艳红;魏元峰;韩京龙 -专利权人：湖南工商大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B01J23/75 文献下载
摘要：base:Sub>4F以及尿素溶解于水中，搅拌混合均匀得到混合溶液；将所述混合溶液转移至放置有基底的反应釜中，将反应釜加热到80℃~180℃进行反应，反应完毕后进行清洗、干燥，得到原位生长于基底上的氢氧化物前驱体；将原位生长于基底上的氢氧化物前驱体进行煅烧，获得铁掺杂四氧化三钴电极。采用本发明的技术方案，Fe‑Co3O4在基底上原位生长，与基底结合牢固，生长均匀，其作为阳极，对水中的三价砷具有高效的去除速率
掺杂氧化电极制备方法污染水体处理

[发明专利]具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制作方法-CN201410415562.2有效
发明人：张晓东;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制造方法。该器件包括形成于衬底上的AlGaN/GaN异质结构及源、漏和栅极，且该异质结构上还原位外延生长有用作栅介质的BN薄膜或者BAlN薄膜。该制造方法包括在衬底上生长形成AlGaN/GaN异质结构的操作，以及将该异质结构置入外延生长设备，并输入氮源与硼源以及作为可选原料的铝源，从而在该异质结构上原位生长形成用作栅介质的BN薄膜或者BAlN薄膜的操作
栅介质异质结构薄膜异质结器件衬底半导体电子器件电流崩塌效应外延生长设备介电常数介质结构器件材料器件结构原位生长原位外延栅漏电流无损伤生长氮源禁带可选铝源硼源置入制造制作

[发明专利]碳化硅静电感应晶体管以及用于制作碳化硅静电感应晶体管的工艺-CN201510142161.9有效
发明人： J·H·张;P·莫林 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：在碳化硅衬底的顶表面中的第一凹陷区域由原位掺杂有第二导电类型的外延生长栅极区域填充。原位掺杂有第一导电类型的外延生长沟道区域被定位在邻近的外延沟道区域之间。原位掺杂有第一导电类型的外延生长源极区域被定位在外延沟道区域上。碳化硅衬底的底表面包括与沟道区域纵向对准并且被硅化以支持形成漏极接触的第二凹陷区域。源极区域的顶表面被硅化以支持形成源极接触。栅极引线被外延生长并且电耦合到栅极区域，其中栅极引线被硅化以支持形成栅极接触。
碳化硅静电感应晶体管以及用于制作工艺

[发明专利]一种在陶瓷管上原位生长Fe2O3纳米针的方法-CN201710098112.9有效
发明人：徐红燕;翟婷;李文儒;曹丙强 -专利权人：济南大学
申请日： 2017-02-22 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： C01G49/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种在陶瓷管上原位生长Fe2O3纳米针的方法，属于纳米传感器的制备技术领域。本发明实现在陶瓷管上原位生长Fe2O3纳米针的关键之处在于反应原料，及水热反应条件的控制。本发明首次公开了在氧化铝陶瓷管上原位生长氧化铁纳米针状的方法。本发明的方法，无需事先制备出涂覆法所需粉末，无需手工涂覆；而是在氧化铝陶瓷管上直接生长出针状结构氧化铁。
陶瓷管原位生长纳米针氧化铝陶瓷管气敏陶瓷水热反应针状结构制备过程硫酸钠水热反应条件制备技术领域混合溶液中纳米传感器纳米氧化铁氧化铁纳米针状反应原料退火处理直接生长制备工艺氯化铁马弗炉涂覆法氧化铁省力省时涂覆制备耗时节约

[发明专利]碳化硅纳米线原位生长增韧陶瓷前驱体型高温胶制备方法-CN202010555018.3有效
发明人：王明超;张海军;周青军;罗星娜;冯兆杰 -专利权人：中国民航大学
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C09J183/16 文献下载
摘要：一种碳化硅纳米线原位生长增韧陶瓷前驱体型高温胶制备方法。本发明效果：该高温胶在1100℃可原位生长出碳化硅纳米线而得到强韧化，使其粘结性能在1100～1500℃范围内得到极大改善，尤其在1300℃后，该高温胶常温粘结强度比无纳米线生长的空白样提高59.2％。碳化硅纳米线原位生长后，该高温胶在常温和高温下都表现出较好的韧性，所粘结粘结件的断裂位移曲线上有明显的近似屈服阶段出现，充分表明该高温胶具有很高的使用安全性。
碳化硅纳米原位生长陶瓷前驱体型高温制备方法

[发明专利]一种金属基底上原位生长普鲁士蓝或普鲁士蓝类似物的衍生物电催化剂及其制备方法-CN201910652070.8有效
发明人：张进涛;王月青;马继臻;陈思 -专利权人：山东大学
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： B01J23/745 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属基底上原位生长普鲁士蓝或普鲁士蓝类似物的衍生物电催化剂及其制备方法，该方法将金属基底预处理后，浸入金属氰盐水溶液或金属氰盐醇溶液中，向体系中加入酸，得到生长普鲁士蓝或普鲁士蓝类似物的基底；将基底煅烧得到金属基底上原位生长普鲁士蓝或普鲁士蓝类似物的衍生物电催化剂，本发明的方法可以在多种金属基底上实现普鲁士蓝或普鲁士蓝类似物的衍生物的原位生长，调控金属氰根离子的种类，可以得到不同形貌、组成及物理化学性质的产品
一种金属基底原位生长普鲁士类似物衍生物催化剂及其制备方法

[发明专利]镁合金表面微弧氧化膜-ZIF-8-GO/LDHs膜的制备方法-CN202110624044.1有效
发明人：吴量;陈燕宁;姚文辉;吴嘉豪;陈勇花;潘复生 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C25D11/30 文献下载
摘要：而且添加了GO促使LDHs向任意方向生长，呈现出褶皱的边缘，ZIF‑8的原位生长填充了GO/LDHs本身存在的间隙，极大地提高了涂层的曲折度和致密性。通过原位生长的方式制备出来的具有有效封闭微弧氧化膜孔洞的ZIF‑8‑GO/LDHs防护膜，提高了防护膜层厚度，原位生长的方法得到的薄膜既耐蚀膜，又均匀致密，提高了耐腐蚀性。
镁合金表面氧化 zif go ldhs 制备方法