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[发明专利]GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法-CN201510175330.9有效
发明人：徐建星;査国伟;张立春;魏思航;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2015-04-14 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L31/119 文献下载
摘要：一种GaAs基二维电子气等离子体震荡太赫兹探测器的方法，包括：制作光刻掩模板，共四块，该光刻掩模板包括蝴蝶结天线；在GaAs衬底上制作外延片；在外延片的表面蒸镀SiO₂薄膜；在SiO₂薄膜上制作图形；在第二GaAs层上制作图形；腐蚀；在暴露的第二GaAs层和SiO₂薄膜上制作图形；蒸镀Au/Ge/Ni金属，剥离，形成源和漏电极；退火；通过光刻将第四光刻掩模板的图形转移到外延片暴露的第三AlGaAs层上；在外延片的表面蒸镀Ti/Au金属，剥离，在第三AlGaAs层上形成栅电极；在电极上接出引线，完成制备。本发明通过改变偏压大小，即可影响频率共振的范围，从而调节不同频率的响应增益，所以具有可调响应频率的特性。
gaas 二维电子等离子体震荡赫兹探测器方法

[发明专利]利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统-CN201310594552.5有效
发明人： 査国伟;牛智川;倪海桥;尚向军;贺振宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统，该系统包括：一与其他真空生长设备相兼容的超高真空室；一原子力显微镜，其固定在超高真空室的底部；一衬底托固定装置，其固定在原子力显微镜的上面，该衬底托固定装置的中间有一孔洞；一衬底托，其位于衬底托固定装置中间的孔洞上面；一机械臂，其固定在超高真空室的上面，用于衬底托的传递；一探针置换腔，其固定在超高真空室的侧壁上，用于原子力显微镜探针的更换；一监控系统，用于原子力显微镜制备压印图形的控制。本发明具有图形精度高(高于50nm)、外延损伤小和利于制备高集成度阵列光电子器件等特点。
利用 afm 探针制备图形衬底定位纳米压印系统

[发明专利]采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法-CN201310594632.0无效
发明人： 査国伟;牛智川;倪海桥;尚向军;贺振宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种采用AFM纳米压印图形衬底生长定位量子点的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在衬底上生长缓冲层；步骤3：利用带有纳米压印功能的原子力显微镜，在缓冲层上制备周期阵列的纳米孔洞；步骤4：在周期阵列的纳米孔洞和缓冲层上生长纳米缓冲层；步骤5：在纳米缓冲层上对应纳米孔洞的位置生长定位量子点；步骤6：在定位量子点和纳米缓冲层上生长盖层，完成制备。本发明具有图形精度高、机械损伤小、量子点光电学性质好的特点。
采用 afm 纳米压印图形衬底生长定位量子 mbe 方法

[发明专利]一种提高光栅结构均匀度的电子束曝光方法-CN201310510519.X有效
发明人：王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高光栅均匀度的方法。该方法包括：在晶片上涂覆电子束胶；将涂覆电子束胶的晶片放在烘箱内进行前烘；利用版图设计工具在光栅结构周围排列梯形补偿图形；对晶片进行电子束曝光和显影，以完成包含梯形补偿图形的光栅结构。该方法利用补偿的图形，减弱了电子束曝光中邻近效应的影响，增加了纳米量级光栅曝光的均匀度。本发明不是通过改变图形本身的曝光剂量和尺寸来减少邻近效应，而是在图形四周增加补偿图形来达到减弱邻近效应，以提高光栅曝光均匀度。
一种提高光栅结构均匀电子束曝光方法

[发明专利]基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法-CN201310503797.2有效
发明人：喻颖;李密锋;贺继方;査国伟;徐建星;尚向军;王莉娟;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种基于分叉纳米线的多端量子调控器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：取一Si衬底，该Si衬底的表面存在自然形成的二氧化硅薄层；步骤2：对Si衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，对该GaAs纳米线选择性进行N型或P型掺杂；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的顶端VLS生长；步骤5：在低As压的环境中，在GaAs纳米线的侧壁上低速淀积InAs量子点；步骤6：在InAs量子点上生长GaAs层，形成分叉结构基片；步骤7：在分叉结构基片上覆盖AlGaAs势垒层；步骤8：在AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，进行工艺制备形成可调控多端量子器件，完成制备。
基于分叉纳米多端量子调控器件制备方法

[发明专利]基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法-CN201310509314.X有效
发明人：王莉娟;喻颖;査国伟;徐建星;倪海桥;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于高折射率对比度光栅结构的单光子发射器及其制作方法。该单光子发射器包括：GaAs衬底；在该GaAs衬底上制备的外延片，该外延片由下至上依次包括GaAs缓冲层(1)、DBR(4)和(6)、InAs量子点有源区(5)和高折射率对比度光栅(低折射率(7)和高折射率材料(8))。在该外延片上采用标准光刻技术及ICP技术刻蚀露出GaAs缓冲层作为N型欧姆欧姆接触层，然后分别在高折射率材料和GaAs缓冲层上蒸发合金作为P型电极和N型电极。利用电子束曝光和ICP刻蚀技术在高折射率材料上制作亚微米级光栅，利用腐蚀液选择性腐蚀光栅下层的材料，得到低折射率的空气层。
基于折射率对比度光栅结构光子发射器及其制作方法

[发明专利]制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法-CN201310503124.7有效
发明人：喻颖;査国伟;徐建星;尚向军;李密锋;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：一种制备六棱柱纳米微腔中的量子点单光子源的方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底，在该半导体衬底上生长二氧化硅层，该二氧化硅层上含有氧化孔洞；步骤2：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤3：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长GaAs纳米线，该GaAs纳米线的顶端形成一Ga液滴；步骤4：采用高As压处理消耗GaAs纳米线顶端的Ga液滴，抑制GaAs纳米线的轴向VLS生长，形成六棱柱状结构；步骤5：在六棱柱状结构的侧壁淀积第一AlGaAs势垒层，在AlGaAs势垒层的表面低速淀积GaAs量子点；步骤6：在GaAs量子点上覆盖第二AlGaAs势垒层；步骤7：在第二AlGaAs势垒层的表面生长GaAs保护层，完成制备。
制备棱柱纳米中的量子光子方法

[发明专利]在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法-CN201310290299.4无效
发明人： 査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种在GaAs纳米线侧壁利用纳米环作为掩膜生长量子点的方法，包括：取一半导体衬底；在该半导体衬底上生长二氧化硅层；对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有Ga液滴；采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；在As环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成纳米环；利用纳米环作为掩膜生长量子点，并生长盖层。本发明首次实现纳米线侧壁图形化生长量子点，实现了对单根纳米线上量子点数量的定量控制，在纳米线基单光子源方面具有重要的应用前景。
gaas 纳米侧壁利用作为生长量子方法

[发明专利]基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备-CN201310280782.4无效
发明人：倪海桥;丁颖;徐应强;李密锋;喻颖;査国伟;徐建新;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-07-05 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于半导体超短脉冲激光器的太赫兹源设备，其包括：半导体超短脉冲激光器，其用于产生超短脉冲激光束；半导体光放大器，其用于放大所述超短脉冲激光束；光电导天线或电光晶体，其用于在收到所述放大后的超短脉冲激光束激发后产生太赫兹波。本发明将半导体超短脉冲激光器和半导体光放大器以及光电导天线或电光晶体结合在一起，搭建出有效的太赫兹源。和传统的太赫兹源设备相比，体积大大缩小，成本降低，转换效率提高，可以解决太赫兹源的微型化和普及化的问题。
基于半导体超短脉冲激光器赫兹设备

[发明专利]一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法-CN201310291215.9无效
发明人： 査国伟;牛智川;倪海桥;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;贺振宏 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-07-11 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法，该方法包括：在光电子器件表面预涂一层光刻胶；利用光刻技术在光电子器件表面形成对准孔阵列；在光纤的端部剥去涂覆层露出光纤内芯；在显微镜及位移平台的辅助下将光纤端部露出的光纤内芯插入对准孔内，并用胶体固定。本发明特别适用于如单光子源等出光面积小、需要空间隔离的光电子器件的光纤耦合输出，具有空间分辨率高和技术简单可靠的优点。
一种光纤光电子器件垂直耦合方法

[发明专利]一种低密度InAs量子点的分子束外延生长方法-CN201310088301.X有效
发明人：李密锋;喻颖;贺继方;査国伟;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-19 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种低密度InAs量子点的生长方法，该方法包括：步骤1：生长InAs有源层量子点前插入InAs牺牲层量子点；步骤2：原位高温退火使InAs牺牲层量子点完全解吸附；步骤3：微调InAs牺牲层量子点二维到三维转化的临界生长参数，生长InAs有源层量子点。原位获取的InAs量子点二维到三维转化的临界生长参数有效的减小了系统随机误差带来的影响，使得临界参数附近InAs量子点的低密度具有较高的重复性，有效提高了低密度InAs量子点生长的成功率。原子力显微镜图显示密度在108/cm2，微区光致光谱的尖锐峰进一步表明量子点的密度很低，该方法生长的低密度量子点适用于单光子源器件的制备。
一种密度 inas 量子分子外延生长方法

[发明专利]在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法-CN201310079069.3有效
发明人： 査国伟;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;倪海桥;贺振宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-03-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种在GaAs纳米线侧壁生长同质量子结构的MBE方法，包括如下步骤：步骤1：取一半导体衬底；步骤2：在该半导体衬底上生长二氧化硅层；步骤3：对生长有二氧化硅层的半导体衬底进行清洗；步骤4：采用自催化的方法，在二氧化硅层上生长纳米线，该纳米线的顶端有一Ga液滴；步骤5：采用高As压处理消耗纳米线顶端的Ga液滴，抑制顶端的纳米线的VLS生长，形成基片；步骤6：在低As压的环境中，在基片上淀积Ga液滴；步骤7：在As的环境中，在基片上纳米线的侧壁上，As与Ga液滴结合晶化形成量子环或者量子点。
gaas 纳米侧壁生长同质量子结构 mbe 方法

[发明专利]自组织单量子点的定位方法及装置-CN201310056260.6有效
发明人：尚向军;倪海桥;査国伟;喻颖;李密峰;王莉娟;徐建星;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种自组织单量子点的定位装置和方法，其装置包括：激光器，其用于产生激发光，激发量子点样品中的量子点产生荧光光束；紫外光源装置，其用于产生紫外光，对单量子点微区光刻胶曝光；显微物镜，其用于汇聚所述激发光和紫外光到所述量子点样品表面微区，并收集所述微区中量子点的荧光光束，其还用于扫描样品表面；光谱仪，其用于表征所述荧光光束，得到荧光光谱；其方法是：在所述荧光光谱找到单量子点对应的分立谱线后停止扫描，打开所述紫外光对当前扫描的样品表面微区光刻胶曝光，以定位单量子点。本发明避免了平面阵列版图工艺在定位单量子点微区上的盲目性，达到了原位准确定位单量子点的目的，提高了单光子源器件的成品率。
组织量子定位方法装置

[发明专利]制备微透镜阵列的方法-CN201210505204.1无效
发明人： 査国伟;喻颖;李密峰;王莉娟;倪海桥;贺正宏;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种制备微透镜阵列的方法。该方法包括：在镓系半导体衬底上制备腐蚀掩模图形，该腐蚀掩模图形上分布若干的圆孔阵列，该圆孔阵列与待制备微透镜阵列在位置与形状上相对应；在低温下，将具有腐蚀掩模图形的镓系半导体衬底平放入可生成Br2的腐蚀液中进行腐蚀，其中，该腐蚀液的溶质为可生成Br2的反应物，溶剂为低熔点辅助溶剂；以及去除镓系半导体衬底上的腐蚀掩模图形，形成微透镜阵列。本发明采用低温腐蚀溶液，有效地降低了腐蚀过程中的侧向钻蚀效应，能够有效地限定微透镜的横向尺寸。
制备透镜阵列方法

[发明专利]多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构-CN201210333043.2无效
发明人：倪海桥;丁颖;李密锋;喻颖;査国伟;牛智川 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-09-10 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：一种多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，包括：一衬底；一N型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在衬底上；一多周期下量子点层，其制作在N型掺杂的光学兼载流子限制层上；一隧道结中的P型重掺杂层，其生长在多周期下量子点层上；一隧道结中的N型重掺杂层，其生长在隧道结中的P型重掺杂层上；一多周期上量子点层，其制作在隧道结中的N型重掺杂层上；一P型掺杂的光学兼载流子限制层，其生长在多周期上量子点层上。本发明提供的用于宽谱光放大的多层量子点隧道结串联的有源区宽带增益结构，可以很好的解决量子点层数受限制的问题。
多层量子隧道串联有源宽带增益结构

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