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[发明专利]一种扩散用硼铝源及其配置方法-CN201811587334.8有效
发明人：谢依烨;梁效峰;徐长坡;陈澄;杨玉聪;李亚哲;黄志焕;陈凯;荣希印 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明提供一种扩散用硼铝源，包括重量百分比为8‑30％的硼源，重量百分比为1‑5％的铝源，其余为溶剂。本发明还提供了一种配置扩散用硼铝源的方法，将硼源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得过饱和的硼源溶液；将铝源原料和所述溶剂放入同一容器中，制得铝源溶液；将所述过饱和的硼源溶液与所述铝源溶液混合。本发明提供的扩散用硼铝源的配置方法简单易操作，并且使用该硼铝源进行扩散，可有效降低硅片两面的方阻，降低正向压降并提高硅片的Trr(反向恢复时间)值，硅片扩散合格率高，有效提升硅片性能质量。
一种扩散用硼铝源及其配置方法

[发明专利]硼扩散源片的制备和检测补源方法-CN201110056260.7有效
发明人：谢晓东;邓爱民;保爱林;朱建华 -专利权人：绍兴旭昌科技企业有限公司
申请日： 2011-03-09 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/228 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼扩散源片的制备和检测补源方法。其制备方法为：将硼扩散源粉末均匀分散于醇类或醚类或酯类有机溶剂中，然后将分散均匀的液态扩散源均匀涂抹在硅基片表面，烘干后形成用于硼扩散的硼扩散源片。其检测补源方法为：通过检测确定是否对硼扩散源片进行补源，如需补源，其方法是：在硼扩散源片表面重新涂覆所述的液态扩散源，烘烤干燥后即可继续使用。本发明具有成本低廉、操作简单、可多次重复使用且适用于大批量硼扩散作业等优点。
扩散制备检测方法

[发明专利]含缓释和速释硼源的肥料-CN201880026558.3在审
发明人： M·麦克劳克林;J·德格里斯;R·贝尔德;R·C·达席尔瓦;K·弗里曼;T·福莱 -专利权人：美盛公司
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C05G3/00 文献下载
摘要：一种粒状肥料产品，所述粒状肥料产品具有至少两种具有不同溶解度的硼源，以在植物的整个生长季节期间定制硼利用度，同时减少硼毒性的风险。第一硼源可以包括钠基或高水溶性硼化合物，例如四硼酸钠和/或硼酸，而第二硼源可以包括钙基硼化合物，例如硬硼钙石(CaB₃O₄(OH)₃.(H₂O))(例如，当载体肥料是N或K基时)和/或磷酸硼(BPO₄)(例如，当载体肥料是P基时)。所述第一硼源的溶解度高于所述第二硼源的溶解度，使得所述硼源向土壤中的释放速率不同。
硼源溶解度粒状肥料硼化合物载体肥料基时硼酸高水溶性生长季节四硼酸钠硬硼钙石磷酸硼钙基钠基释放土壤

[发明专利]一种硼扩散源组合物、硼扩散源及其制备方法和应用-CN202211180979.6在审
发明人：李海龙;于朴凡;董艺萌;杨长青;杨晓东 -专利权人：北京化学试剂研究所有限责任公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B31/08 文献下载
摘要：本申请涉及半导体的技术领域，具体公开了一种硼扩散源组合物、硼扩散源及其制备方法和应用。本申请公开了一种硼扩散源组合物，包括以下重量份的组分：硼源1‑6份；聚乙烯醇树脂5‑8份；乙二醇单甲醚70‑80份；水20‑30份；乙酸乙酯0.5‑5份；所述硼扩散源组合物还包括酸类物质；所述乙酸乙酯与所述酸类物质的重量比为本申请还公开了利用上述组合物制备的硼扩散源及其制备方法。本申请利用上述硼扩散源组合物和制备方法，获得了具有优异粘度性的硼扩散源，且该硼扩散源物应用于制造半导体元件中能够达到均匀分布和深度扩散的优异性能。
一种扩散组合及其制备方法应用

[发明专利]一种掺硼金刚石电极及其制备方法、制备装置-CN202211152909.X在审
发明人：王玉宝;徐金昌;赵小玻;王晓玲;曹延新;张敬群;张鑫维;刘明昭;潘信君;訾蓬;魏华阳;陈豆豆 -专利权人：山东欣远新材料科技有限公司;中材人工晶体研究院（山东）有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺硼金刚石电极及其制备方法、制备装置。所述的制备方法包括以下步骤：将硼源与溶剂混合，得到含硼溶液；将载气通过所述含硼溶液，得到含硼气体；将所述含硼气体通入化学气相沉积炉进行化学气相沉积；其中，所述溶剂包括第一溶剂，所述第一溶剂为甲醇、乙醇、正丁醇中的一种或多种；所述硼源包括第一硼源和/或第二硼源，所述第一硼源为硼酸，所述第二硼源为氧化硼、硼氢化钠、四硼酸钠中的一种或多种。本发明的制备方法成本低、毒害小、污染少，且便于控制硼掺杂浓度，硼掺杂均匀性好。
一种金刚石电极及其制备方法装置

[发明专利]一种硼铝扩散源及其制备方法-CN202211378504.8在审
发明人：董艺萌;于朴凡;杨长青;王连旺;孟宪冬 -专利权人：北京化学试剂研究所有限责任公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本申请涉及半导体硅片制造技术领域，尤其涉及一种硼铝扩散源及其制备方法。一种硼铝扩散源，硼铝扩散源中金属杂质含量20ppm；其中钠离子含量15ppm；硼铝扩散源组分包括硅酸酯15‑35%、水2‑5%、低碳醇25‑35%、醚类25‑35%、硼源2‑12%、铝源5‑20%、酸0.01其制备方法包括：1）硼源、铝源、醚类混合溶解；2）硅酸酯加水混合水解缩聚；3）共混。本申请控制硼铝扩散源中金属杂质含量20ppm，其中钠含量15ppm，可有效提升芯片的电参数TRR值；对于硼铝扩散源中金属杂质含量和钠含量的控制还可以改善烘膜工序中成膜不均匀、不平整的问题，制得产品的方块电阻和
一种扩散及其制备方法

[发明专利]硅片硼扩散用可喷涂硼源及其应用-CN202110251406.7有效
发明人：杨立功;王小军;邓舜 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C08F130/06 文献下载
摘要：本发明公开了提供一种硅片硼扩散用可喷涂硼源，该硼源为硼改性丙烯酸酯类聚合物，其合成方法为：以（取代）硼酸和（α‑取代）丙烯酸羟烷基酯为原料，在阻聚剂和带水剂存在下进行酯化反应得到含硼的（α‑取代）丙烯酸酯单体本发明还提供该硼源的应用。本发明硼源可溶于乙醇或乙醇与水的混合液，从而形成适于喷涂和喷墨打印的硼源溶液，且可提高硼源喷涂的均匀性。
硅片扩散喷涂及其应用

[发明专利]一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法-CN201910925306.0有效
发明人：朱嘉琦;姚凯丽;代兵;谭小俊;杨磊;赵继文;舒国阳;韩杰才 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种利用固态掺杂源制备掺硼金刚石的方法，它涉及一种制备掺硼金刚石的方法。本发明要解决现有掺硼金刚石薄膜的制备方法中气体硼源不安全，对设备有腐蚀性的问题。制备方法：一、掺杂源的制备；二、掺硼金刚石薄膜的制备。本发明用于利用固态掺杂源制备掺硼金刚石。
一种利用固态掺杂制备金刚石方法

[发明专利]一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺-CN201710615682.0在审
发明人：李亚哲;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;黄志焕;杨玉聪;李丽娟;钟瑜 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提供一种采用丝网印刷技术进行硅片涂源工艺，包括以下步骤：硅片双面减薄：使用腐蚀液对硅片进行双面腐蚀，去除表面损伤层；扩散前处理：对减薄后的硅片依次进行碱处理、溢水清洗、酸清洗、溢水清洗、甩干；印刷扩散源：采用丝网印刷工艺对处理后的硅片一面印刷磷扩散源，另一面印刷硼扩散源或硼铝扩散源；叠片装舟：将硅片硼源面或硼铝源面与硼源面或硼铝源面相对，将磷源面与磷源面相对进行叠片，叠片后放入碳化硅舟中，在前后位置放置挡片本发明的有益效果是使得在硅片上涂覆扩散源的工艺更加简单，能够实现硅片扩散源涂覆的自动化，节省劳动力，提高了扩散源涂覆的工作效率，且磷源和硼源在硅片上的涂覆一致性好，安全环保。
硅片扩散源叠片磷源硼源涂覆丝网印刷技术硼铝源印刷减薄涂源溢水清洗丝网印刷工艺表面损伤层涂覆一致性安全环保工作效率硅片扩散硅片双面硼铝扩散前后位置双面腐蚀碳化硅舟腐蚀液碱处理磷扩散硼扩散前处理酸清洗挡片放入甩干去除自动化扩散

[发明专利]方法-CN202080084215.X在审
发明人： A.阿纳斯塔索普洛斯;B.E.海登;C.李;D.劳曼;D.史密斯;G.阿雷斯塔;L.特纳;S.盖林 -专利权人：伊利卡科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供用于制备无定形的硼硅酸锂或掺杂硼硅酸锂化合物的气相沉积方法，该方法包括：提供化合物的各组成元素的蒸气源，其中该蒸气源包括至少锂源、氧源、硼源和硅源、以及任选地至少一种掺杂剂元素的源；输送所述锂、所述氧、所述硼和所述硅、以及任选地所述掺杂剂元素的物流；和将来自蒸气源的组成元素共沉积在基底上，其中组成元素在该基底上反应以形成无定形化合物；其中无定形的硼硅酸锂或掺杂硼硅酸锂化合物具有在40‑65原子％范围内的锂含量，基于锂、硼和硅的组合的原子百分数计。
方法

[发明专利]六方氮化硼薄膜及其制备方法-CN201910116301.3在审
发明人：赵昱;王浩;杨晓霞;王文龙;白雪冬 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2019-02-15 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供一种制备六方氮化硼薄膜的方法，包括如下步骤：(1)将硼源置于衬底中；(2)在惰性气体气氛下，将所述硼源升温至硼源熔融；(3)然后，通入气相氮源进行反应；(4)反应完成后，除去未反应的硼源，得到六方氮化硼薄膜同时，本发明还提供本发明的制备方法制得的六方氮化硼薄膜。本发明制备六方氮化硼薄膜的方法简单易操作，且通过本发明的制备方法制得的六方氮化硼薄膜宏观上连续、均匀、面积大又平整。
氮化薄膜及其制备方法

[发明专利]硼磷硅酸盐玻璃沉积的方法和设备-CN02817621.9无效
发明人： K·穆卡伊;S·钱德拉恩 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2002-07-16 - 公布日： 2004-12-08 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：在半导体晶片上沉积硼磷硅酸盐玻璃膜过程中，控制掺杂浓度以减少所述半导体晶片上氮化物消耗的一种方法和装置。在本发明的一个实施例中，首先，所述方法将具有氮化物层的基片放置在反应室中(502)，并且向所述反应室提供硅源、氧源和硼源，但向反应室延迟提供磷源，以便在所述氮化物层上形成硼硅酸盐玻璃层(504)。然后，所述方法通过向所述反应室提供所述硅源、氧源、硼源和磷源，以在硼硅酸盐玻璃层上形成硼磷硅酸盐膜。
硅酸盐玻璃沉积方法设备

[发明专利]一种硼发射极及其制备方法、N型晶体硅电池-CN202310254755.3在审
发明人：张薛丹;沈健锋;赵福祥 -专利权人：韩华新能源（启东）有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硼发射极及其制备方法、N型晶体硅电池，制备方法包括如下步骤：对制绒抛光及清洗后的硅片在特气气氛中进行PECVD沉积，在所述硅片表面形成掺硼沉积层，再将具有掺硼沉积层的硅片放入管式扩散炉管中进行高温退火，将硼源推进至硅基体内，形成所述硼发射极。本发明的一种硼发射极及其制备方法，通过PECVD沉积硼源，再通过高温退火将硼源推进硅基体内形成硼发射极，能够使硼源均匀地覆盖在硅片表面，有利于硼原子进入硅片表面，不会产生富硼层，减少俄歇复合，有效地提高了电池效率；还可避免使用传统的BCl3和BBr3作为硼源，不会产生有害副产物，不会对设备和管路造成不可逆的损坏，降低了生产成本。
一种发射极及其制备方法晶体电池

[发明专利]N型太阳能电池的选择性掺杂方法-CN202010609725.6有效
发明人：奚琦鹏;潘琦;史卓群;杨立功 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/0288 文献下载
摘要：本发明公开了一种N型太阳能电池的选择性掺杂方法，采用硼浆作为重掺区扩散源，采用气相硼源作为轻掺区扩散源；印刷硼浆前先在硅片表面覆盖第一氧化层，再在印刷的硼浆上覆盖第二氧化层，通过两层氧化层阻挡，达到即减少硼浆外扩，又可降低轻掺杂区掺杂量；且在高温推进时，采用差异化推进的方式，先推进以硼浆为硼源的重掺区，然后再通气相硼源，并共同推进重掺区和轻掺区，实现重轻掺杂差异化明显分布。
太阳能电池选择性掺杂方法

[实用新型]一种淡硼预扩散工艺石英舟-CN202320437368.9有效
发明人：刘燕;钟立志;王倚天;李红歌 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：一种淡硼预扩散工艺石英舟，所述石英舟呈半圆柱体，圆柱体的内壁开有槽，槽内放有用于进行淡硼预扩散工艺的硅片和硼源片，且放置的硅片和硼源片均与水平面成5°的仰角。本实用新型石英舟旁边摆放隔热挡片，解决了以往淡硼预扩散工艺过程中固体硼源片易变形、硼预扩散过程中硅片与硼源片间距不一致导致硼预扩散后硅片方阻均匀性和批次间一致性较差的问题。
一种淡硼预扩散工艺石英

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