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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202210172793.X在审
发明人： 光心君;林孟佑;郑存甫;吴忠纬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体装置如纳米片多通道装置，半导体装置具有额外间隔层与硬掩模层。额外间隔层可提供最顶部的通道上的内侧间隔物所用的空间。硬掩模层可在金属栅极回蚀刻时作为蚀刻停止层，以改善栅极高度的控制。
半导体装置

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202010082088.1在审
发明人： 光心君;余宗兴;许义明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，其包括衬底和部分设置在衬底中的外延区域。外延区域包括晶格常数大于衬底的晶格常数的物质。外延区域中的物质的浓度分布从外延区域的底部到外延区域的顶部单调增加。外延区域的第一层具有为约2的高度与宽度比。第一层是紧挨衬底设置的层，并且第一层具有的物质的平均浓度为从约10％至约40％。第二层设置在第一层上方。第二层具有底部，底部具有的物质浓度为从约20％至约50％。本发明涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510093212.3有效
发明人： 光心君;王薏涵;余宗兴;许义明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-02 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件，包括：栅极结构，位于衬底上；以及凸起的源极/漏极区，邻近栅极结构。界面位于栅极结构和衬底之间。凸起的源极/漏极区包括：应力源层，向栅极结构下面的沟道提供应变；以及硅化物层，位于应力源层中。硅化物层从凸起的源极/漏极区的顶面延伸并且终止于界面下方的预定深度处。预定深度允许应力源层保持沟道的应变。本发明还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于集成电路的结构和方法-CN201410436389.4有效
发明人： 光心君;余宗兴;许义明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供了一种IC器件的诸多不同实施例。IC器件包括设置在衬底的表面上方的栅叠件和沿着栅叠件的侧壁设置的间隔件。间隔件具有面向衬底的表面同时朝向栅叠件形成锥形的锥形边缘。因此，锥形边缘相对于衬底的表面呈一角度。本发明还提供了一种制造半导体集成电路(IC)器件的方法。
用于集成电路结构方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510288803.6有效
发明人： 光心君;余宗兴;许义明;李俊毅;刘佳雯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，包括衬底和再生长区域。衬底由具有第一晶格常数的第一材料制成，并且再生长区域由第一材料和第二材料制成，具有不同于第一晶格常数的晶格常数。再生长区域部分地位于衬底中。再生长区域具有从衬底的表面处到再生长区域的最宽处的顶点处垂直测量的“尖端深度”，并且尖端深度小于10nm。再生长区域还包括基本由第一材料制成的顶层，并且所述顶层基本具有第一晶格常数。本发明还提供了一种用于制造半导体结构的方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]金属栅极结构及其制造方法-CN201510104089.0有效
发明人： 光心君;余宗兴;许义明;李俊毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：设置在衬底上方的栅极结构，其中，栅极结构包括：高k介电层和功函结构。高k介电层包括基部和侧部，侧部从基部的端部延伸，侧部基本上垂直于基部。功函结构包括：设置在高k介电层上方的第一金属；和设置在第一金属上方并且包括底部和从底部的端部延伸的侧壁部分的第二金属，其中，第一金属包括与第二金属不同的材料，并且侧壁部分和底部之间的界面的长度与位于高k介电层内的底部的长度呈预定比率。本发明涉及金属栅极结构及其制造方法。
金属栅极结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201510252597.3在审
发明人： 光心君;余宗兴;许义明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-05-18 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的一些实施例提供了一种半导体结构，其包括衬底和部分设置在衬底中的外延区域。外延区域包括晶格常数大于衬底的晶格常数的物质。外延区域中的物质的浓度分布从外延区域的底部到外延区域的顶部单调增加。外延区域的第一层具有为约2的高度与宽度比。第一层是紧挨衬底设置的层，并且第一层具有的物质的平均浓度为从约10％至约40％。第二层设置在第一层上方。第二层具有底部，底部具有的物质浓度为从约20％至约50％。本发明涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

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