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- [发明专利]一种高效的花叶扶芳藤再生培养基组-CN201710673368.8在审
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文锦欢;萧洪东;王惠珍;邓日烈
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佛山科学技术学院
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2017-08-08
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2017-11-03
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A01H4/00
- 本发明公开了一种高效的花叶扶芳藤再生培养基组,由愈伤组织继代培养基、诱导芽生长培养基、再生苗继代培养基和再生苗生根培养基组成。其中所述愈伤组织继代培养基中含有0.5mg/L的NAA和1~1.5mg/L的BA;所述诱导芽生长培养基中含有0.1mg/L的NAA和0.5mg/L的BA;所述再生苗继代培养基中含有0.05mg/L的NAA所述再生苗生根培养基中含有0.6mg/L的NAA。本发明培养基组中的愈伤组织继代培养基可以让花叶扶芳藤愈伤组织较快生长,培养具有良好分化,诱导能力的愈伤组织,而诱导芽生长培养基对花叶扶芳藤不定芽诱导率高达16.7%,且再生苗继代培养基对花叶扶芳藤再生苗生长具有显著的促进作用,后再生苗生根培养基使花叶扶芳藤具有良好的生根效果。
- 一种高效花叶扶芳藤再生培养基
- [发明专利]一种大功率紫外LED的外延生长方法-CN202110163226.3有效
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王晓波
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西安瑞芯光通信息科技有限公司
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2021-02-05
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2022-02-08
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H01L33/00
- 本发明公开的属于半导体电子信息技术领域,具体为一种大功率紫外LED的外延生长方法,采用蓝宝石作为生长基底,进行异质外延生长,运用MOCVD技术来完成整个外延过程,在蓝宝石上生长一层低温AlN层,继续生长一层高温AlN层,接着生长一层低温BAlN,再生长一层高温BAlN层,然后再生长几个周期BAlN/BAlGaN超晶格结构,继续生长一层n型掺杂的AlGaN,接着生长一层AlGaN/BAlN量子阱结构有源区,接着生长一层p型BAlGaN层,再生长一层p型BAlN层,继续生长一层超薄的p型BN,生长一层p型BAlN层,继续生长一层超薄的p型BN,有效提高了发光效率、降低了制备成本和难度,提高了成品率。
- 一种大功率紫外led外延生长方法
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