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[发明专利]利用编码孔径进行的阴影掩模的对准-CN201610520508.3在审
发明人：田村信彦 -专利权人：阿德文泰克全球有限公司
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：在一种阴影掩模‑衬底对准的方法中，提供了一种衬底，其包括具有多个相互隔开的条块的格栅，还提供了一种阴影掩模，其包括具有多个相互隔开的条块的格栅。还提供了一种光源‑光接收器对，该光源‑光接收器对在其间限定了一条光路径。将衬底的格栅和阴影掩模的格栅置于光路径中。此后，调整衬底、阴影掩模或二者的方位，以调整衬底的格栅、阴影掩模的格栅或二者的位置，直到光路径上预定的光量或预定量范围的光通过所述格栅，并被光接收器接收。
利用编码孔径进行阴影对准

[发明专利]利用编码孔径进行的阴影掩模的对准-CN201180027618.1有效
发明人：田村信彦 -专利权人：阿德文泰克全球有限公司
申请日： 2011-05-23 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C16/00 文献下载
摘要：在一种阴影掩模-衬底对准的方法中，提供了一种衬底，其包括具有多个相互隔开的条块的格栅，还提供了一种阴影掩模，其包括具有多个相互隔开的条块的格栅。还提供了一种光源-光接收器对，该光源-光接收器对在其间限定了一条光路径。将衬底的格栅和阴影掩模的格栅置于光路径中。此后，调整衬底、阴影掩模或二者的方位，以调整衬底的格栅、阴影掩模的格栅或二者的位置，直到光路径上预定的光量或预定量范围的光通过所述格栅，并被光接收器接收。
利用编码孔径进行阴影对准

[发明专利]远紫外光掩模以及制造远紫外光掩模的方法和装置-CN200910253239.9有效
发明人：张日容;禹相均;许圣民 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2009-12-11 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供远紫外光掩模以及制造远紫外光掩模的方法和装置，其中制造光掩模的方法包括：在光掩模基板上形成上层，并且图案化该上层，以形成具有倾斜侧壁的上图案，其中图案化上层包括利用带电粒子各向异性蚀刻上层，该带电粒子平行于第一方向移动
紫外光以及制造方法装置

[发明专利]带膜部件的光掩模及膜部件-CN200610093119.3无效
发明人：大田黑竜 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2006-06-21 - 公布日： 2006-12-27 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供可以解决在伴随着光掩模的大尺寸化而要求膜部件大尺寸化时所产生的问题、并实现了大尺寸的带膜部件的光掩模。所述带膜部件的光掩模中，安装在光掩模(4)表面上的膜部件(1)的膜(3)由具有透光性的刚性材料构成，所述膜(3)的尺寸为表面积大于等于4000cm²。
部件光掩模

[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法和电子器件的制造方法-CN201910992027.6在审
发明人：小林周平 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供光掩模、光掩模的制造方法和电子器件的制造方法，课题在于提供一种能够使用接近式曝光装置进行高分辨率的光刻的光掩模。光掩模(10)为一种接近式曝光用的光掩模，其具备对形成在透明基板(21)上的透射控制膜进行图案化而成的转印用图案，其中，上述转印用图案包含：透射控制部(36)，其为宽度10μm以下的线状，是在上述透明基板上述透射控制部(36)相对于对上述光掩模(10)进行曝光的曝光光具有大于180度的相移量。
光掩模制造方法电子器件

[实用新型]紫外光掩模板检测系统-CN201320080236.1有效
发明人：刘海龙 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种紫外光掩模板检测系统，该系统包括：设备机架、构台、图像采集装置、发光装置和感光装置，所述设备机架两侧设置有机架导轨，所述构台底端两侧与所述机架导轨滑动连接，所述发光装置和感光装置对应设置在所述构台上采用本实用新型的紫外光掩模板检测系统，无需人员对紫外光掩模板检测，降低了对检测人员的危害，提高了紫外光掩模板检测的准确率和精确度，检验范围内无死角，并且避免了人工方式检查对紫外光掩模板造成的伤害，提高了紫外光掩模板检测的效率
紫外光模板检测系统

[实用新型]一种光掩模装片匣的支架-CN201720131760.5有效
发明人：李勇;成立炯;胡平 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2017-02-14 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光掩模装片匣的支架，所述支架包括第一板材及第二板材，所述第一板材及第二板材呈60~120°夹角设置，所述第一板材与水平面的夹角为15~45°，所述第二板材与水平面的夹角为45~75°。本实用新型通过设计一个可以使光掩模装片匣倾斜放置的支架，通过倾斜的方式插入光掩模时，不容易造成光掩模胶面的划伤，并且可以避免手上或者衣袖上的灰尘落入光掩模表面的问题，大大提高了光掩模的质量。
一种光掩模装片匣支架

[发明专利]利用脚本剖析工具自动生成和/或处理光掩模订单的系统和方法-CN200580051043.1无效
发明人：丹尼尔·J.·卡哈兰;查尔斯·E.·克罗克;爱德华·J.·萨蒂尔 -专利权人：美商福昌公司
申请日： 2005-05-31 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G06Q30/00 文献下载
摘要：一种生成光掩模订单(255)的方法，包括：生成通用信息用户界面(210)，其提示用户输入关于发出该订单的客户的通用数据(217)；以及生成特定订单用户界面(220)，其提示该用户基于该通用数据(217)和/或先前输入的确定数据(222)来输入完成该光掩模订单(255)所需的确定数据(222)。利用命令脚本文件(237)生成光掩模订单(255)。另一实施例利用通用信息(217)和特定信息(222)输入界面来收集关于新的或潜在的光掩模客户的信息，从而为光掩模订单(255)处理系统生成配置文件(237)。另一实施例生成关于该光掩模制造过程的消息。
利用脚本剖析工具自动生成处理光掩模订单系统方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110315285.4有效
发明人：张海洋;沈满华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有介质层、第一掩模层和第二掩模层；在所述第二掩模层的侧面形成侧墙；形成图形化的光掩模层，覆盖所述第二掩模层、侧墙和第一掩模层；以所述图形化的光掩模层为掩模，依次刻蚀所述第二掩模层、第一掩模层和介质层。
半导体器件制造方法

[发明专利]一种解决拆分冲突的光掩模修正方法-CN202310515060.6在审
发明人：杨聆雪;任堃;高大为 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种解决拆分冲突的光掩模修正方法。获取光掩模版图，将所述光掩模版图按照拆分规则进行拆分，得到两个掩模版子图；对两个掩模版子图提取所有三角矛盾拆分冲突图形区域；将上述所有冲突图形区域复制到两个掩模版子图上，得到两个新的掩模版子图；分别对两个新的掩模版子图在各自光罩可制造性规则不受限所有方向上进行OPC修正；对两个OPC修正后的掩模版子图进行曝光，在一片晶圆上形成双重曝光，经过叠加，还原预期的曝光目标轮廓。本发明提出在两个掩模版子图上均放置所有三角矛盾图形区域，可降低生产成本，减少工艺热点数量，提高OPC修正的有效性。
一种解决拆分冲突光掩模修正方法

[发明专利]EUV掩模缺陷检测系统及方法-CN202010024305.1在审
发明人：刘立拓;周维虎;余晓娅;吴晓斌;陈晓梅;王宇;石俊凯;黎尧 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-01-09 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：一种EUV掩模缺陷检测系统及方法，其中EUV掩模检测系统包括：极紫外光束，所述极紫外光束斜射入一待测掩模表面；反光杯，用于收集并反射因待测掩模表面缺陷引起的散射光；传输部件，用于将所述反光杯发出的反射光进行传输；探测器，用于接收所述传输部件传输的光信号，获取待测掩模表面缺陷信息。本发明设计将极紫外光束斜射入待测掩模，允许反光杯作为收集部件更加靠近待测掩模表面，进而增大了收集部件NA，提高缺陷引起的散射光收集效率。
euv 缺陷检测系统方法

[发明专利]掩模的制造方法和半导体集成电路器件的制造方法-CN03103366.0无效
发明人：长谷川昇雄;早野胜也;久保真二;古泉裕弘;高谷洋宣;法元盛久 -专利权人：株式会社日立制作所;大日本印刷株式会社
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：课题在于缩短掩模的制作时间。在用光刻胶膜构成遮光体的掩模RM的缺陷检查中，采用使用异物检查装置CIS，读取对照射到掩模RM上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的办法，检查掩模RM上边的光刻胶图形的卷边、膜减薄、异物等这样的缺陷的有无就是说，在掩模RM的检查中，可以不进行要求多的测定时间和高级技术的比较检查来进行缺陷检查。因此，可以简化掩模RM的检查工序，还可以缩短掩模的检查时间。
制造方法半导体集成电路器件

[发明专利]X射线图像分割方法及终端-CN202010040502.2有效
发明人：蓝重洲;刘德建;李华勇;叶超;成富平 -专利权人：深圳市安健科技股份有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： G06T7/11 文献下载
摘要：射线图像分割方法及终端，方法包括：获取X射线空气图；计算所述X射线空气图的噪声层级比例系数；获取X射线临床图像；根据所述X射线临床图像和噪声层级比例系数计算得到CNR图像；对所述CNR图像进行二值化处理，得到CNR图像掩模；根据所述CNR图像计算得到边界抑制掩模；根据所述X射线临床图像分别计算得到空气区域掩模和束光器边缘抑制掩模；对所述CNR图像掩模、边界抑制掩模、空气区域掩模和束光器边缘抑制掩模作与计算，得到组织区域掩模本发明可以有效避免空气区域和束光器区域对人体组织区域的干扰，得到清晰的人体组织区域图像。
射线图像分割方法终端

[发明专利]用于测量晶片上的图案布置误差的方法和系统-CN201810353449.4在审
发明人：金庆燮 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G03F1/76 文献下载
摘要：一种用于测量晶片上的图案布置误差(PPE)的方法包括接收光掩模图案。一个或多个单位单元图案被添加到光掩模图案。每个单位单元图案包括至少一个参考设计图案和至少一个PPE检查设计图案。光掩模由其上添加有一个或多个单位单元图案的光掩模图案制造。使用所制造的光掩模对晶片进行图案化。获取图案化晶片的显微镜图像。
设计图案图案布置光掩模图案测量晶片单元图案多个单位光掩模图案化晶片显微镜图像单位单元掩模图案参考接收光图案化晶片制造测量检查图案

[发明专利]减小光掩模的劣化和/或修改光掩模的特征尺寸的方法-CN200910175689.0有效
发明人： P·H·巴特劳;T·B·福尔;A·瓦格纳 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-05-26 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于减小光掩模的劣化和/或修改光掩模的特征尺寸的方法。光掩模包括透射光的基板和邻近所述基板的吸收体层。所述吸收体层包括被构图成多个特征的硅化物，例如钼硅化物。当用于制造集成电路而将所述掩模暴露于光时，控制周边环境以防止由所述吸收体层的氧化而导致的不希望的生长。在另一方面，当将所述掩模暴露于光时，控制周边环境以促进由所述吸收体层的氧化而导致的希望的生长。
减小光掩模修改特征尺寸方法