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[发明专利]用于检查和判定光掩模坯或其中间体的方法-CN201010158156.4有效
发明人：稻月判臣;金子英雄;吉川博树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：公开了一种用于检查和判定光掩模坯或其中间体的方法。通过下述步骤来检查衬底上有膜的光掩模坯：(A)测量具有待检查应力的膜的光掩模坯的表面形貌，(B)从所述光掩模坯去除所述膜以提供经处理的衬底，(C)测量去除所述膜之后经处理的衬底的表面形貌，以及(D)比较光掩模坯或中间体的表面形貌和经处理的衬底的表面形貌
用于检查判定光掩模坯中间体方法

[发明专利]光掩模及光掩模承载平台的维护方法-CN201711069037.X有效
发明人：王宏祺;杨盛华 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2017-11-03 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开一种光掩模及光掩模承载平台的维护方法，该光掩模可置放于曝光装置中的光掩模承载平台上，此光掩模包括一基板以及一反射结构。
光掩模承载平台维护方法

[实用新型]光掩模贴膜工序用的板夹-CN201320411185.6有效
发明人：成立炯;俞子华 -专利权人：上海凸版光掩模有限公司
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： B25B9/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种光掩模贴膜工序用的板夹。所述光掩模贴膜工序用的板夹至少包括：具有三条边的框体，其两自由端分别设置有夹持光掩模的夹持部件，且在该框体的一边角设置有手持部件。由于夹持部件设置在边角，既可满足目检时的夹持要求，亦可有效防止将光掩模放入贴膜机时所带来的灰尘坠落问题，进而有效提高光掩模产品的成品率。
光掩模贴膜工序

[发明专利]包括遮光层的光掩模及利用其形成图案的方法-CN201811155357.1有效
发明人：郑守镜 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： G03F1/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种光掩模和利用所述光掩模形成图案的方法。所述光掩模包括掩模主体，所述掩模主体包括图案区域和外围区域，并且具有第一表面和第二表面。掩模图案设置在与所述掩模主体的第一表面的图案区域重叠的部分上。遮光层设置在所述外围区域中。
包括遮光光掩模利用形成图案方法

[发明专利]混合式光掩模的照相腐蚀制造方法-CN02156383.7有效
发明人：林金隆;杨春晖;洪文田 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-12-18 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种使用无铬膜与相转移混合式光掩模的照相腐蚀制造方法，其首先提供一光掩模，其中此光掩模上形成有一栅极图案，且此栅极图案的一关键尺寸处形成有一180度的相转移层。之后，进行一曝光制造过程，以将光掩模上的栅极图案转移至一光致抗蚀剂层。
混合式光掩模照相腐蚀制造方法

[发明专利]使用双重图案化技术在副轴上形成CMOS栅极的方法-CN201410764481.3有效
发明人：格雷戈里·查尔斯·鲍德温;斯科特·威廉·耶森 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2014-12-11 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：通过经由包含核心晶体管栅极及加大的I/O晶体管栅极的栅极图案光掩模暴露栅极蚀刻掩模层堆叠而形成含有核心晶体管及垂直于所述核心晶体管定向的I/O晶体管的集成电路。由所述栅极图案光掩模界定核心晶体管栅极长度。第一栅极硬掩模蚀刻过程移除经暴露区域中的所述栅极硬掩模层。所述过程继续经由栅极修整光掩模暴露栅极修整掩模层堆叠。由所述栅极修整光掩模界定I/O栅极长度。第二栅极硬掩模蚀刻过程移除经暴露区域中的所述栅极硬掩模层。栅极蚀刻操作移除由所述栅极硬掩模层暴露的多晶硅以形成所述核心晶体管及所述I/O晶体管的栅极。所述集成电路还可包含平行于所述核心晶体管定向的具有由所述栅极图案光掩模界定的栅极长度的I/O晶体管。
使用双重图案技术副轴上形成 cmos 栅极方法

[发明专利]光掩模坯、光掩模及半导体器件的制造方法-CN202210433715.0在审
发明人：李乾坤;崔石荣;李亨周;孙晟熏;金星润;郑珉交;申仁均 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：实施例涉及光掩模坯、光掩模、半导体器件的制造方法等，提供光掩模坯等，上述光掩模坯包括：透光基板，以及多层的遮光膜，配置于上述透光基板上；上述遮光膜包括：第一遮光层，具有第一硬度，以及第二遮光层，具有第二硬度实施例的光掩模坯、光掩模等具有提高的耐缺陷性能，在半导体器件的制造方法中，通过高的精密度进一步减少缺陷的产生。
光掩模坯光掩模半导体器件制造方法

[发明专利]一种光掩模基板外形尺寸测量系统及方法-CN202211255841.8在审
发明人：刘经纬;欧阳琛;朱继红;顾立新;张欣;李金祥;黄群亮 -专利权人：长飞光纤光缆股份有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种光掩模基板外形尺寸测量系统及方法，属于半导体和显示面板光掩模基板制造领域，该系统包括：样品转移单元、样品运动单元及光学测量系统；样品转移单元，用于将被测光掩模基板在待检区域和测试区域间进行转移；样品运动单元，用于配合光学测量系统调整被测光掩模基板的俯仰角度、旋转角度和高度；光学测量系统，用于测量被测光掩模基板的外形尺寸。通过本发明提供一种精度高、重复性高、无损伤、性价比高的光掩模基板外形尺寸测量系统及方法。
一种光掩模基板外形尺寸测量系统方法

[发明专利]光掩模的保管箱-CN201911070920.X有效
发明人：李铉万 -专利权人：全球株式会社
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本发明涉及光掩模的保管箱，具体地说，涉及光掩模的保管箱，其包括：下框，其内部具有用于放置光掩模的支撑部；上框，其与下框连接；以及，固定部，其设置在下框的内侧边缘且用于固定被放置在下框的支撑部的光掩模；其中，固定部是在本体上利用螺栓部件将旋转罩部件向前后移动，此时压入到旋转罩部件的加压固定部件是在不旋转的状态前进，从而防止光掩模微粒的产生，并且在加压固定部件的前面形成曲面部，从而防止因加压固定部件的表面而在光掩模产生微粒
光掩模保管箱

[发明专利]精细掩模及使用精细掩模形成掩模图案的方法-CN200810211058.5无效
发明人：李峻硕 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-08-20 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：在半导体技术中，本发明公开一种用于半导体的精细掩模及使用该精细掩模形成掩模图案的方法。为了在形成半导体晶片图案中提高线宽分辨率和光学分辨率的精确性，精细掩模包括第一掩模和第二掩模。第一掩模包括第一掩模原始板、在第一掩模原始板上形成的第一光阻挡垫图案、在第一光阻挡垫图案上形成的包括多个第一透光区的第一主图案，以及在第一透光区之间和第一掩模原始板最外部的包括多个相移区的第一子图案。第二掩模包括第二掩模原始板、在第二掩模原始板上形成的第二光阻挡垫图案、在第二光阻挡垫图案上形成的包括多个第二透光区的第二主图案，以及在第二透光区之间的包括多个相移区的第二子图案。
精细使用形成图案方法

[实用新型]胶片曝光装置-CN201220408290.X有效
发明人：金尾正康;佐藤敬行;冨塚吉博 -专利权人：株式会社V技术
申请日： 2012-08-17 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种胶片曝光装置，向胶片状的被曝光体上曝光掩模图形，通过抑制曝光面上产生的褶皱，而在曝光面上形成高精度的图形。确保用于配置对准摄像机的空间。胶片曝光装置(1)包括：胶片运送部(2)；光掩模(3)；掩模保持部(4)，将光掩模(3)保持在被曝光体F的曝光面a上；以及光照射部(5(5A、5B))，向光掩模(3)的掩模图形照射光。光掩模(3)具有沿被曝光体F的运送方向配置的第1掩模图形(31)和第2掩模图形(32)。胶片运送部(2)具有与第1掩模图形(31)和第2掩模图形(32)的位置对应而配置的一对支承辊(21、22)，用一对支承辊(21、22)支持曝光第1掩模图形(31)和第2掩模图形(32)的曝光面a的相反一侧的面
胶片曝光装置

[发明专利]光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法-CN202010249419.6在审
发明人：刘子汉;温志伟;林重宏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明实施例涉及光掩模、制造光掩模的方法与使用光掩模制造半导体结构的方法。本发明实施例涉及一种光掩模，其包含：前侧，其具有图案化层；后侧，其与所述前侧相对；侧壁，其连接所述前侧与所述后侧；反射层，其在所述前侧与所述后侧之间；及聚合物层，其在所述光掩模的所述后侧上。
光掩模制造方法使用半导体结构

[发明专利]制作光掩模版及图形化的方法-CN200710094459.2有效
发明人：刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种制作光掩模版的方法，包括：测量光掩模版的厚度；将厚度代入高斯函数进行计算，得到厚度系数；用厚度系数补偿光掩模版效应后，进行光学近距修正；将修正后的布局图形转移至光掩模版上，形成掩模版图形。
制作模版图形方法

[发明专利]用两种状态的掩模提高分辨率的光刻方法和结构-CN201410441988.5有效
发明人：卢彦丞;游信胜;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-09-02 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：光刻系统中的光刻工艺包括加载掩模，该掩模包括限定集成电路(IC)图案的两种掩模状态。IC图案包括多个主要多边形，其中，将相邻的主要多边形分配至不同的掩模状态；以及背景，包括两种掩模状态中的一种中的场和两种掩模状态中的另一种中的多个亚分辨率多边形。该光刻工艺还包括配置照明器以在光刻系统的照明光瞳面上产生照明图案；利用根据照明图案确定的过滤图案在光刻系统的投影光瞳面上配置光瞳滤波器；以及利用照明器、掩模、和光瞳滤波器对靶实施曝光工艺。曝光工艺在掩模后面产生衍射光和非衍射光并且光瞳滤波器去除大部分的非衍射光。本发明还涉及用两种状态的掩模提高分辨率的光刻方法和结构。
用两种状态提高分辨率光刻方法结构

[发明专利]光掩模坯料、制造光掩模的方法和光掩模-CN201910460886.0在审
发明人：稻月判臣;笹本纮平 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模坯料、制造光掩模的方法和光掩模。具体提供一种光掩模坯料，其在基板上包括加工膜和由含铬材料制成的膜，所述由含铬材料制成的膜形成为与加工膜接触并具有第一、第二和第三层的三层结构，所述第一、第二和第三层的每个层都含铬、氧和氮，其中第一层的铬含量为
第三层光掩模坯料含铬材料光掩模三层结构第一层膜接触膜形成含铬基板加工制造

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