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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光刻胶作为多光谱滤光器阵列上的不透明孔掩模-CN201880073328.2在审
发明人：凯文·R·唐宁 -专利权人：美题隆公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：设备(例如，多光谱滤光器阵列、光学晶片、光学部件)具有直接印刷在其上的孔掩模，该孔掩模包含正性或负性光刻胶。该设备包括基底，该基底具有印刷在基底的光入射面或光出射面中的至少一个上的孔掩模，以在基底的一部分上方提供孔。形成孔掩模的光刻胶是可光定义的或不可光定义的，并且被沉积/印刷，以在基底上形成孔掩模。
光刻作为光谱滤光阵列不透明孔掩模

[发明专利]刻蚀远紫外光(EDV)光掩模的方法-CN200710140139.6有效
发明人：吴半秋;马德哈唯·R·钱德拉乔德;阿杰伊·库玛 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明提供了刻蚀EUV光掩模的方法的实施方式。在一个实施方式中，刻蚀远紫外光掩模的方法包括提供光掩模，所述光掩模依次包括衬底、多材料层、覆盖层和多层吸收层，所述多层吸收层包括在体吸收层上沉积的自掩模层，其中所述自掩模层包括钽和氧而所述体吸收层包括钽且基本不含氧；使用第一刻蚀工艺刻蚀自掩模层；以及使用不同于第一刻蚀工艺的第二刻蚀工艺刻蚀所述体吸收层，其中在第二刻蚀工艺期间所述体吸收层的刻蚀速率大于所述自掩模层的刻蚀速率。
刻蚀紫外光 edv 光掩模方法

[实用新型]一种曝光用掩模板-CN201821793927.5有效
发明人：刘威;吴德生 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种曝光用掩模板，属于掩模板技术领域，该曝光用掩模板包括掩模板，所述掩模板顶面设置有上膜面，底面设置有下膜面，所述掩模板上方设置有透镜，所述透镜上方设置有光源，所述掩模板下方设置有涂覆光阻的待曝光物，解决了现有的掩模板光容易产生偏离，曝光精度有待提高的问题，提高了曝光精度。
掩模板曝光透镜本实用新型曝光物底面顶面光阻上膜涂覆下膜光源偏离

[发明专利]光掩模坯料、光掩模和制造方法-CN201210329820.6有效
发明人：稻月判臣;五十岚慎一;西川和宏;吉川博树 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中，硬掩模膜为多层膜，该多层膜包括含有20-60原子％氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子％铬和小于20原子％氧的铬衬底料的第二层具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。
光掩模坯料制造方法

[发明专利]图形的制备方法及半导体器件的制造方法-CN03134814.9无效
发明人：酒井隆行;大岩德久;岐部正信 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-09-24 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图形的制备方法，包括：在下层的至少一部分上绘制掩模图形；蚀刻部分掩模图形；将入射光照射在进行蚀刻的掩模图形上，当入射光透过掩模图形之后检测反射入射光产生的反射光；得到反射的干涉光谱；以及使用反射的干涉光谱的数据计算掩模图形的图形宽度，反射的干涉光谱的波长范围不小于两倍的掩模图形的间距。
图形制备方法半导体器件制造

[发明专利]一种基于TFT光掩膜的DNA合成装置-CN202211716140.X在审
发明人：张会刚 -专利权人：杭州联川生物技术股份有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于TFT光掩膜的DNA合成装置，涉及涉及DNA光学合成仪组件。包括合成基板，设置若干呈阵列分布的合成位点；TFT光掩模，包括呈阵列分布的光掩模像素通道，光掩模像素通道与合成位点一一对应；对应每一光掩模像素通道设置有控制其开闭的TFT晶体管；光源，设置于TFT光掩模上方；上位机，用于输出TFT晶体管的通断信号，当TFT晶体管导通时，光掩模像素通道打开，光源发出的光线照射到对应的合成位点，该合成位点完成脱DMT过程以完成对应碱基的合成；当TFT晶体管断电时，光掩模像素通道关闭
一种基于 tft 光掩膜 dna 合成装置

[发明专利]光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法-CN200810135751.9有效
发明人：林本坚;李信昌;姚铭峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-07-11 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法，该光罩保护膜系统包括透明基板；预定义图案，形成于上述透明基板上；保护膜，靠近于上述透明基板；保护膜框架，用以固定上述保护膜；吸震物该集成电路的制造方法包括：提供基板，其上具有辐射能感应镀膜；提供光掩模保护膜系统，包括光掩模，其上具有图案；保护膜框架，设置于上述光掩模和保护膜之间，且固定上述保护膜；吸震物，设置于上述保护膜框架和光掩模之间，且附着至上述保护膜框架，上述吸震物用以降低上述光掩模的压力；于微影工艺中，利用上述光掩模，在上述基板上形成集成电路图案。
光掩模保护膜系统集成电路制造方法

[发明专利]利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法-CN201811376093.2在审
发明人：罗志勋;李东根;金熙范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：提供了一种利用具有补偿的光信号来执行掩模图案测量的系统和方法，所述系统包括：板，构造为用于在其上安装反射极紫外(EUV)掩模；以及波带片，构造为将EUV光分为零级光和第一级光，并构造为使零级光和第一级光传输到反射EUV掩模。系统还包括：检测器，构造为接收由反射EUV掩模反射的EUV光，并包括构造为产生第一图像信号的零级光检测区域和构造为产生第二图像信号的第一级光检测区域；以及计算器，构造为从第一图像信号和第二图像信号产生补偿的第三图像信号第三图像信号可以用于确定反射EUV掩模的掩模图案之间的距离。
图像信号反射掩模图案第一级零级光测量检测器图像信号产生光检测区域计算器检测区域波带片反射极光传输掩模

[发明专利]光掩模以及显示装置的制造方法-CN202110274446.3在审
发明人：小林周平 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明提供光掩模以及显示装置的制造方法，具有通过使用中紫外曝光用光进行曝光，从而在被转印体上转印微细的孔图案的优异的转印性能。一种光掩模，光掩模是显示装置制造用的光掩模，光掩模用于在被转印体上使用中紫外曝光用光形成尺寸为Dp且Dp≤3μm的孔图案，在透明基板上具有包含孔图案的转印用图案，转印用图案中的孔图案由被半调区域包围的透光部构成，对于用于对光掩模进行曝光的中紫外曝光用光中包含的基准波长的光，透光部与半调区域的相位差θ大致为180度，并且半调区域对于基准波长的光的透射率T为10％≤T≤35％。
光掩模以及显示装置制造方法

[发明专利]图案缺陷检查装置、图案缺陷检查方法及光掩模的制造方法-CN200710089091.0无效
发明人：山口升 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：一种图案缺陷检查装置(10)，其检查表面具备单位图案规则排列而构成的重复图案的光掩模(50)的所述重复图案上产生的缺陷，所述图案缺陷检查装置(10)具有：光源装置(12)，其以期望的入射角向光掩模(50)的分割检查区域(58)照射光；载物台，其具备支承所述光掩模的支承面；观察装置(13)，其接受来自所述光掩模的重复图案的n次衍射光；旋转装置(16)，其为了从不同的方向向所述光掩模照射光，而使光源装置的准直透镜
图案缺陷检查装置方法光掩模制造

[发明专利]半导体装置的制作方法-CN201810570106.3在审
发明人：黄世钧;叶雅雯;沈育佃;赖建文;林纬良;张雅惠;严永松;林进祥;刘如淦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：半导体装置的制作方法包括形成硬掩模层于基板上。多层光致抗蚀剂形成于硬掩模层上。蚀刻多层光致抗蚀剂，形成多个开口于多层光致抗蚀剂中，以露出部分硬掩模层。依角度方向性地提供离子至多层光致抗蚀剂，使离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。在一实施例中，通过依角度导向的蚀刻离子，可方向性地蚀刻多层光致抗蚀剂，且蚀刻离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。在另一实施例中，通过依角度导向的注入离子，可方向性地注入多层光致抗蚀剂，且注入离子主要接触多层光致抗蚀剂中的开口侧壁而非硬掩模层。
光致抗蚀剂多层硬掩模层蚀刻离子开口侧壁半导体装置角度导向注入离子基板制作开口

[发明专利]光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法-CN201210105308.3有效
发明人：土屋雅誉;池边寿美 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G03F1/38 文献下载
摘要：本发明提供光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法，在进行接近式曝光时，提高保持区域附近的图案转印精度。一种光掩模用基板，其用于在第1主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，在四边形的第1主表面上的形成有转印用图案的图案区域之外，在第1主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持光掩模时
光掩模用基板光掩模以及图案方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202010884286.X有效
发明人：张俊学;李东;吴智勇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成浅沟槽隔离结构，并在所述衬底上依次形成多晶硅层、硬质掩模层、抗反射层和图形化的光阻层；对所述图形化的光阻层的表面进行硬化处理；在所述图形化的光阻层的表面形成氧化层并进行硬化处理，并重复若干次；以所述图形化的光阻层作为掩模刻蚀所述抗反射层，以形成图形化的抗反射层；以所述图形化的光阻层作为掩模刻蚀所述硬质掩模层，以形成图形化的硬质掩模层，并去除所述图形化的光阻层；以所述图形化的硬质掩模层作为掩模本发明以保证硬质掩模层具有一定的厚度和完整的顶部样貌。
半导体结构制备方法

[发明专利]降低光掩模板条纹的方法及装置-CN201410211411.5有效
发明人：邓振玉;张沛;李跃松 -专利权人：深圳清溢光电股份有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G03F1/72 文献下载
摘要：本发明适用于光掩模生产领域，尤其涉及降低光掩模板条纹的方法及装置，所述方法包括下述步骤设计制作光掩模检测板；根据划分间隔通过光掩模检测板对光掩模板的涂胶或不同区域的光强度进行矩阵测量，测量每个矩阵点，得到每个矩阵点的偏差本发明通过对产生光掩模板条纹的原因，对光掩模板进行光刻前光刻采用的图形进行反补，使得光刻后反补的效果抵消了由于误差导致的出现条纹的情况，使得降低光掩模板出现条纹的情况。
降低模板条纹方法装置

[发明专利]制作光掩模版的方法及图案化的方法-CN200710171088.3有效
发明人：王谨恒 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：所述附加图形将所述相对布局线相连；提供用于去除所述附加图形的第二布局图形；分别对第一布局图形和第二布局图形进行光学邻近修正形成第一布局修正图形和第二布局修正图形；分别将第一布局修正图形和第二布局修正图形转移至两块光掩模版上，形成第一掩模图形和第二掩模图形；依次将第一光掩模版和第二光掩模版上的掩模图形转移至晶圆上。本发明还公开了一种制作光掩模版方法。所述制作光掩模版及图案化的方法能够避免光学邻近修正过度的情况。
制作模版方法图案

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