“早野胜也”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法-CN202010891721.1在审
发明人：安达俊;三浦阳一;高见泽秀吉;早野胜也;大川洋平;渡边浩司;谷绚子 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：一种相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法，是应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，该相移掩模具有透明基板和半透光膜图案，该半透光膜图案形成于所述透明基板上且仅包含Si及N或者仅包含Si、N以及O，该半透光膜图案在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，膜厚为57nm～67nm的范围内，该半透光膜图案具有被晶片解析的主图案和辅助所述主图案的解析而不被晶片解析的辅助图案，所述辅助图案为凸状图案且具有60nm以下的宽度或深度。
相移使用图案形成制造方法

[发明专利]掩模坯料、带有负型抗抗蚀膜的掩模坯料、相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法-CN201480045458.7有效
发明人：安达俊;三浦阳一;高见泽秀吉;早野胜也;大川洋平;渡边浩司;谷绚子 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2014-08-21 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明通过提供如下掩模坯料而解决上述课题，该掩模坯料，其特征在于，用于制造应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，具有透明基板与半透光膜，该半透光膜形成于上述透明基板上且仅包含Si及N或仅包含Si、N、及O的半透光膜，且上述半透光膜，其在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，进而膜厚为57nm～67nm的范围内。
坯料带有负型抗抗蚀膜相移使用图案形成制造方法

[发明专利]掩模坯料、相位位移掩模及其制造方法-CN201580015667.1有效
发明人：渡边浩司;早野胜也;高见泽秀吉;大川洋平;安达俊;谷绚子;三浦阳一 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：本发明提供一种掩模坯料，其具有透明基板、形成于所述透明基板上的半透明层、形成于所述半透明层上的中间层、和形成于所述中间层上的遮光层，所述遮光层由不含过渡金属的单一金属材料构成，所述遮光层的膜厚为40nm以下，层叠有所述半透明层、所述中间层、所述遮光层的3种层的层叠体相对于曝光光的光学密度，为作为遮光区域发挥功能的值以上；因此，其可用于制造即使遮光图案膜减薄仍具有高遮光性，可减小EMF偏差值，图案加工性、耐光性、耐药品性优异，适合于晶圆上的半间距40nm以下的光刻技术的半色调型相位位移掩模。
坯料相位位移及其制造方法

[发明专利]光掩模、光掩模的制造方法及修正方法-CN201080007022.0有效
发明人：长井隆治;高见泽秀吉;毛利弘;森川泰考;早野胜也 -专利权人：大日本印刷株式会社
申请日： 2010-02-04 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：提供一种使用在以ArF准分子激光为曝光光源的、基于变形照明的投影曝光中、能够确保作为辅助图案的焦点深度放大效果、同时在不使辅助图案发生析像的情况下形成主图案的高对比度的转印图像的具有辅助图案的半色调掩模及其制造方法。光掩模是在设有通过投影曝光而向转印对象面转印的主图案和形成在主图案的附近且不转印的辅助图案的光掩模，其特征在于，主图案和辅助图案通过由同一材料形成的半透明膜构成，使透过主图案的光与透过透明基板的透明区域的光产生180度的相位差，且使透过辅助图案的光与透过透明基板的透明区域的光产生70度～115度范围的规定的相位差。
光掩模制造方法修正

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200510075134.0无效
发明人：长谷川昇雄;早野胜也 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-06-08 - 公布日： 2005-12-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用能以简化了的工序制造的高精度的光掩模，在晶片上形成所要的图形。在石英玻璃基板(1)的主面上，形成宽度相对较窄的沟图形(5a)和宽度比沟图形(5a)宽的沟图形(5b)，在宽度相对较宽的沟图形(5b)内，形成由例如抗蚀剂膜构成的遮光膜(6)。该掩模的具体的制造方法是：在石英玻璃基板(1)上涂敷了抗蚀剂膜之后，通过进行曝光和显影处理进行图形化。并以图形化了的抗蚀剂膜为掩膜，在石英玻璃基板(1)上形成沟图形(5a、5b)。接着，在除去图形化了的抗蚀剂膜之后，涂敷新的抗蚀剂膜。然后，通过进行图形化，仅在沟图形(5b)内形成遮光膜(6)。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200510000231.3无效
发明人： 早野胜也;长谷川升雄 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2005-01-05 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，能缩短半导体器件的交货期。在掩模基板(2)的主面上形成由抗蚀剂膜构成的遮光膜(5)、以及通过使该遮光膜(5)的一部分形成开口而形成的光透射图形(6a)，覆盖该遮光膜(5)地形成平坦性膜(8)，然后，在该平坦性膜(8)的平坦的上面上形成由抗蚀剂膜构成的移相器(7a)。在曝光时，采用相同的尺寸、形状和配置的掩模图形，将使移相器反转地配置的多个转印区域在同一位置上进行重叠曝光。由此，把线图形转印到半导体晶片上的正性的抗蚀剂膜上。
半导体器件制造方法

[发明专利]掩模的制造方法和半导体集成电路器件的制造方法-CN03103366.0无效
发明人：长谷川昇雄;早野胜也;久保真二;古泉裕弘;高谷洋宣;法元盛久 -专利权人：株式会社日立制作所;大日本印刷株式会社
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2003-11-12 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：课题在于缩短掩模的制作时间。在用光刻胶膜构成遮光体的掩模RM的缺陷检查中，采用使用异物检查装置CIS，读取对照射到掩模RM上的检查光的反射光、透过光或这两方的光学信息的办法，检查掩模RM上边的光刻胶图形的卷边、膜减薄、异物等这样的缺陷的有无。就是说，在掩模RM的检查中，可以不进行要求多的测定时间和高级技术的比较检查来进行缺陷检查。因此，可以简化掩模RM的检查工序，还可以缩短掩模的检查时间。
制造方法半导体集成电路器件

[发明专利]光掩模及其制造方法-CN02149933.0无效
发明人：长谷川升雄;寺泽恒男;福田宏;早野胜也;今井彰;茂庭明美;冈崎信次 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-06-28 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模,该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低,或防止产生不需要的投影像,且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形,通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。
光掩模及其制造方法

[发明专利]光掩模及其制造方法-CN95107777.5无效
发明人：长谷川升雄;寺泽恒男;福田宏;早野胜也;今井彰;茂庭明美;冈崎信次 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-06-28 - 公布日： 2003-05-28 - 主分类号： G03F1/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种光掩模，该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低，或防止产生不需要的投影像，且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形，通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。
光掩模及其制造方法

1
共 9 条