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[发明专利]一种高介电聚丙烯微发泡材料及其超临界流体模压发泡制备方法-CN202211613057.X在审
发明人：姜田;陈平;谭睿阳;樊迪刚 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C08L23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电聚丙烯微发泡材料及其超临界流体模压发泡制备方法。该方法包括：1）将聚丙烯粒子与分散助剂混匀，得到预混料A；2）将表面改性的高介电填料、成核助剂、抗氧剂混匀，得到预混料B；3）将所述预混料A和预混料B混匀，得到预混料C；4）将所述预混料C挤出，切粒，得到改性高介电塑料粒子；5）将所述改性高介电塑料粒子制成块体，进行超临界流体模压发泡，泄压完成发泡，得到所述高介电聚丙烯微发泡材料。本发明可以高效制备出力学强度和耐温耐湿性能良好，同时兼具高介电常数、低介电损耗特性的聚丙烯微发泡材料。
一种高介电聚丙烯发泡材料及其临界流体模压制备方法

[发明专利]环氧改性低介电含氟聚苯醚涂层及其制备的高频高速覆铜板-CN202010231891.7有效
发明人：刘锋;陈燕舞;洪丹;叶瑞庭 -专利权人：顺德职业技术学院
申请日： 2020-03-27 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种环氧改性低介电含氟聚苯醚涂层及其制备的高频高速覆铜板，特点是环氧改性低介电含氟聚苯醚涂层包括低分子量的含氟聚苯醚结构环氧树脂、环氧树脂、稀释剂、固化剂、增韧剂、促进剂、阻燃剂、硅烷偶联剂、本发明提供的环氧改性低介电含氟聚苯醚涂层制备的高频高速覆铜板，具有低介电、高Tg、超低收缩率、低吸水率及易加工特点，可用于5G线路板领域。
改性低介电含氟聚苯醚涂层及其制备高频高速铜板

[发明专利]一种可设计的聚合物基多层介电复合材料的制备方法-CN201310295759.2有效
发明人：沈佳斌;郭少云;朱家铭;赵文鹏 -专利权人：四川大学
申请日： 2013-07-15 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： B32B27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种可设计的聚合物基多层介电复合材料的制备方法。该方法是将聚合物基导电复合体系与聚合物介电体系经熔融共挤出制备得到导电层和介电层交替排布的聚合物基多层介电复合材料。该材料具有各向异性的电性能，在平行层方向表现为高导电性，在垂直层方向表现为高介电性。其介电性能可通过层数、导电层和介电层的层厚比、单层厚度、温度、频率、施加应力进行设计和调控。本发明所涉及的设备简单，模具加工容易，易于组装，制造成本低，清理和维护都十分方便，且加工过程能耗低、效率高、易于操作，可连续、大规模生产。制得的多层介电复合材料可以是片状、膜状、条状、纤维状、粒状。
一种设计聚合物基多层介电复合材料制备方法

[发明专利]抗冲击高介电聚苯醚复合材料及其制备方法-CN202211091721.9在审
发明人：张金娜;左玉伟;杨树娥;麻炳辉;边亚微;李健;徐兴亮;孙权;齐皓琰 -专利权人：天津长芦海晶集团有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种抗冲击高介电聚苯醚复合材料及其制备方法，所述复合材料由聚苯醚、聚苯乙烯、增韧剂、增强填料、介电填料和助剂按比例混合组成；所述材料的制备方法包括原料混合；熔融、挤出；冷却；切粒和干燥等步骤本发明提供的抗冲击高介电聚苯醚复合材料的缺口冲击强度≥16KJ/m2，具有良好的介电性能，介电常数为≥4，机械性能优良，热稳定性好；且自制介电填料添加量少，其制备工艺流程简单，设备投资低，收益大；制备方法流程简单，设备投资低，收益大。
冲击高介电聚苯醚复合材料及其制备方法

[发明专利]覆铜板用高耐热、低介电、低介损、韧性好的MDI改性环氧树脂、组合物及其制备方法-CN202111165143.4在审
发明人：叶伦学;支肖琼;唐文东;黄杰 -专利权人：江苏东材新材料有限责任公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： C08G59/14 文献下载
摘要：本发明公开了覆铜板用高耐热、低介电、低介损、韧性好的MDI改性环氧树脂、组合物及其制备方法，它涉及有机化合物环氧树脂合成改性与应用技术领域。本发明的优点在于：可得到一种综合性能好的覆铜板用高耐热、低介电、低介损、韧性好的异氰酸酯改性环氧树脂及组合物，制备的覆铜板高耐热、低介电、低介损，钻孔面光滑，覆铜板在应用钻孔时韧性好、不开裂掉粉，阻燃性好
铜板耐热低介电低介损韧性 mdi 改性环氧树脂组合及其制备方法

[发明专利]形成介电结构的方法以及半导体结构-CN200810005454.2无效
发明人：陈奕伊;蔡方文;吴振诚;包天一;郑双铭;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以移除第一及第二成孔剂，使产生第一孔隙度于低介电系数介电层中，及第二孔隙度于低介电系数帽盖层中。优选地，低介电系数介电层及低介电系数帽盖层包含一组共同的前趋物及成孔剂，且原位进行。
形成结构方法以及半导体

[发明专利]一种氰乙基纤维素基高介电纳米复合膜及其制备方法-CN201610290761.4在审
发明人：王飞俊;王明华;邵自强;周家贵;范宗清;王亚龙;刘川渟;刘燕华;周振文 -专利权人：北京理工大学;北京北方世纪纤维素技术开发有限公司;湖北金汉江精制棉有限公司
申请日： 2016-05-04 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C08L1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种氰乙基纤维素基高介电纳米复合膜及其制备方法；目的是提供一种具有高介电常数、低介电损耗、良好机械性能和热性能的可降解的高介电柔性纳米复合膜及其制备方法。采用本发明方法制备的高介电柔性纳米复合膜制备氰乙基纤维素是可再生资源，复合膜的介电性能较高，介电损耗较低，可以应用于电子、电机和电缆行业，并且在人工肌肉、吸波材料和药物缓释等领域也有一定的应用前景，且生产方法安全，流程简单，生产成本低，故市场前景良好。
一种乙基纤维素基高介电纳米复合及其制备方法

[发明专利]一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法-CN202310075467.1在审
发明人：刘国隆;徐哲 -专利权人：浙江中科玖源新材料有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明提出了一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法，所述高介电聚酰亚胺薄膜的制备方法包括：将二胺单体和二酐单体在极性溶剂中进行缩聚反应，得到聚酰胺酸溶液；将所述聚酰胺酸溶液与表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯混合，再进行热亚胺化反应并成膜，即得到所述高介电聚酰亚胺薄膜。本发明提出的一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法，通过在聚酰亚胺中引入表面接枝聚偏氟乙烯的石墨烯，使所得聚酰亚胺薄膜在获得高介电常数的同时，还具有高击穿强度和低介电损耗。
一种高介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

[发明专利]半导体结构和形成方法-CN201010227409.9有效
发明人： S·A·科恩;A·格里尔;T·J·小黑格;刘小虎;S·V·源;T·M·肖;H·肖芭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-07-12 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：提供一种具有低于4.2的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对UV和/或E束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层中的至少一层具有良好的抗氧化性，对导电金属扩散有抵抗性，并且在至少UV固化时呈现高机械稳定性。该低k介电帽盖层还包括含氮层，该含氮层包含电子施主和双键电子。该低k介电帽盖层还呈现高压缩应力和高模量，且在沉积后的固化处理之下稳定，这导致较少的膜和器件开裂以及改善的器件可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种高介电性能钛酸锶钡、其制备方法及采用其制备的介电陶瓷-CN201611159230.8有效
发明人：陈艳平;李强;杨晓峰;李启寿;唐贤臣;谢金华;蔡勇军 -专利权人：中国工程物理研究院材料研究所
申请日： 2016-12-15 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电性能钛酸锶钡、其制备方法及采用其制备的介电陶瓷，目的在于解决现有介电陶瓷材料，介电常数越高，耐电强度越低，且其温度稳定性和电场稳定性也越差的问题。本发明从ABO3型钙钛矿晶体结构、介电微观机制出发，优化了高介电性能钛酸锶钡陶瓷的成分设计，通过改进原料粉末的制备方法、陶瓷试样的显微组织调控与性能优化，实现了制备的原料粉末均质、细晶，具备了较高的烧结活性本发明提供兼具高的介电常数、低的介质损耗的BST介电陶瓷及其制备方法，其制备工艺简单，成本较低，周期短，适合大批量生产，能够满足工业化应用的需求，其提供的材料能够用于高功率微波器件系统中，满足实际应用需要
一种高介电性能钛酸锶钡制备方法采用陶瓷

[发明专利]触控装置及其制造方法-CN201510395280.5有效
发明人：张恪维;孟红伟;程炮;何伟庆 -专利权人：宸鸿科技（厦门）有限公司
申请日： 2015-06-28 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：承载结构包括一薄膜层以及一第一介电结构。第一介电结构由溅镀技术制作，并具有相互叠置的一低折射率层及一高折射率层。低折射率层设置于该薄膜层，并具有小于该高折射率层的折射率；高折射率层设置于低折射率层，并与薄膜层分别位于低折射率层的两相反侧。触控感应结构设置于第一介电结构，并与该薄膜层位于该第一介电结构的两相反侧。
装置及其制造方法

[实用新型]触控装置-CN201520486654.X有效
发明人：张恪维;孟红伟;程炮;何伟庆 -专利权人：瑞世达科技(厦门)有限公司
申请日： 2015-06-28 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：承载结构包括一薄膜层以及一第一介电结构。第一介电结构由溅镀技术制作，并具有相互叠置的一低折射率层及一高折射率层。低折射率层设置于该薄膜层，并具有小于该高折射率层的折射率；高折射率层设置于低折射率层，并与薄膜层分别位于低折射率层的两相反侧。触控感应结构设置于第一介电结构，并与该薄膜层位于该第一介电结构的两相反侧。
装置

[发明专利]一种高介电常数低模量介电弹性体材料及其制备方法-CN201010222160.2有效
发明人：张立群;杨丹;田明;成煜民;伍社毛;于迎春;刘浩亮 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2010-07-09 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： C08L15/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数低模量介电弹性体材料及其制备方法。采用高介电常数的液体以液滴或分子水平分散在橡胶基体中，显著降低介电弹性体的模量，同时提高弹性体的介电常数，以解决介电弹性体中低模量与高介电常数不能兼顾的问题。
一种介电常数低模量介电弹性体材料及其制备方法

[发明专利]正方晶格二维光子晶体-CN200510086975.1有效
发明人：龚春娟;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-24 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G02B1/02 文献下载
摘要：与通常人工设计的光子晶体原胞有所不同，原胞被分割为10×10个包含高折射率和低折射率介电材料的正方形象素结构，高折射率介电材料和低折射率介电材料以一定的规律分布在原胞的象素中，具体为：其中1代表高折射率介电材料，0代表低折射率介电材料。
正方晶格二维光子晶体

[发明专利]一种高介电常数羧基丁腈橡胶介电弹性体复合材料及其制备方法-CN201910231392.5在审
发明人：王明路;郭芹;周金丽 -专利权人：青岛海湾化工设计研究院有限公司
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C08L13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数羧基丁腈橡胶介电弹性体复合材料及其制备方法，包括羧基丁橡胶基体、石墨烯包覆碳纳米管和水合肼，石墨烯包覆碳纳米管介电填料是由氧化石墨烯包覆碳纳米管后经过水合肼还原成为石墨烯包覆碳纳米管填料，石墨烯包覆碳纳米管填料均匀分散在羧基丁腈橡胶基体中，形成片层状石墨烯包覆碳纳米管包裹胶乳粒子的隔离结构，本发明涉及介电弹性体技术领域。该高介电常数羧基丁腈橡胶介电弹性体复合材料及其制备方法，特别氧化石墨烯包覆碳纳米管经水合肼还原后，导电能力增强介电损耗降低，能够有效降低填料添加份数，从而能够得到高介电常数、高击穿强度、低模量、低介电损耗的介电弹性体复合材料
碳纳米管包覆介电弹性体羧基丁腈橡胶高介电常数复合材料石墨烯水合肼制备氧化石墨烯还原低介电损耗层状石墨导电能力隔离结构胶乳粒子介电损耗介电填料填料添加橡胶基体低模量击穿羧基