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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计-CN201710653173.7在审
发明人：章鑫;陈新瑜;蔡方文;林俊成;邱文智;郑心圃;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明公开了一种装置，包括机械臂、以及多个导销，该多个导销安装在机械臂上。多个导销中的每个都包括位于不同层上的多个晶圆支撑件，多个晶圆支撑件中的每个都配置为支撑和居中晶圆，剩下的多个晶圆支撑件配置为支撑和居中与上述晶圆尺寸不同的晶圆。本发明还公开了一种用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计。
用于尺寸不同居中可重构导销设计

[实用新型]一种以生物质颗粒为燃料的炉子-CN201520302164.X有效
发明人：吴晓辉;蔡方文 -专利权人：青岛简洁家居有限公司
申请日： 2015-05-12 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： F24B7/06 文献下载
摘要：一种以生物质颗粒为燃料的炉子，包括炉体，所述炉体内设置有炉膛，还包括至少一个燃料仓，所述燃料仓通过落料管与炉膛连通、并且所述燃料仓内的燃料在重力作用下沿着落料管进入炉膛。本炉子结构简单，利用燃料自身的重力作用进入炉膛，取消了机械或者电气控制的落料系统，大大降低成本。
一种生物颗粒燃料炉子

[发明专利]硅通孔结构和方法-CN201110446671.7有效
发明人：余振华;郑心圃;邱文智;蔡方文;蔡承佑 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及硅通孔结构和方法，公开了用于制造硅通孔的系统和方法。一个实施例包括：形成具有从衬底突出的衬里的硅通孔。钝化层形成在衬底和硅通孔的上方，并且钝化层和衬里从硅通孔的侧壁开始凹陷。然后，导电材料可以形成为与硅通孔的侧壁和顶面接触。
硅通孔结构方法

[发明专利]用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计-CN201110381697.8在审
发明人：章鑫;陈新瑜;蔡方文;林俊成;邱文智;郑心圃;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-11-23 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种装置，包括：机械臂、以及多个导销，该多个导销安装在机械臂上。多个导销中的每个都包括位于不同层上的多个晶圆支撑件，多个晶圆支撑件中的每个都配置为支撑和居中晶圆，剩下的多个晶圆支撑件配置为支撑和居中与上述晶圆尺寸不同的晶圆。本发明还公开了一种用于将尺寸不同的晶圆居中的可重构导销设计。
用于尺寸不同居中可重构导销设计

[发明专利]具有基板通孔(TSV)的基板中的对准标记-CN201110258788.2有效
发明人：章鑫;蔡方文;林俊成;邱文智;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种装置，其包括基板和对准标记，所述对准标记包括穿透所述基板的导电基板通孔(TSV)。本发明还公开了一种形成该器件的方法。通过本发明的方法和器件，基板上的基板通孔对准的准确度高。
具有基板通孔 tsv 中的对准标记

[发明专利]具有对准标记的结构及堆叠装置的制造方法-CN201010597701.X有效
发明人：蔡承祐;王势辉;邱建明;陈嘉和;蔡方文;吴文进;林俊成;邱文智;郑心圃;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明揭示一种具有对准标记的结构及堆叠装置的制造方法，该结构包括：一基底，具有一第一区及一第二区。一基底通孔电极(through substrate via，TSV)，位于基底内且穿过基底的第一区。一隔离层，位于基底的第二区，隔离层具有一凹口。一导电材料，位于隔离层上并顺应凹口内的隔离层，隔离层设置于导电材料与基底之间。本发明可防止对准标记内金属的扩散。
具有对准标记结构堆叠装置制造方法

[发明专利]集成电路装置及其制造方法-CN201110025101.0有效
发明人：林俊成;黄雅希;陈新瑜;蔡柏豪;林彦甫;黄震麟;蔡方文;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-01-20 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路装置及其制造方法。本发明的集成电路装置的工作件(work piece)包括具有上表面和侧壁的铜凸块。在铜凸块的侧壁上形成保护层，但其上表面没有保护层。保护层包括铜的化合物和聚合物，且为介电层。本发明提供的集成电路装置及其制造方法，在裸片对晶片接合工艺中，即使工作件的温度高时，保护层也可避免铜凸块的氧化。
集成电路装置及其制造方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN201010192827.9有效
发明人： 蔡方文;黄靖宇;林舜武;陈立勋;许光源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供集成电路的制造方法，在一实施例中，此方法包括提供基底，于基底之上形成硬掩模层，于硬掩模层之上形成图案化光致抗蚀剂层，使得部分的硬掩模层暴露出来，以干蚀刻工艺移除暴露出来的硬掩模层，使用氮气等离子体灰化与氢气等离子体灰化其中至少一种方式移除图案化光致抗蚀剂层，以及用湿蚀刻工艺移除剩余的硬掩模层。本发明使用含有硅氧烷高分子的硬掩模层可改善间隙填充能力和/或光致抗蚀剂附着力。含有硅氧烷高分子的硬掩模层不需要实施氧气等离子体处理去提升蚀刻选择比，或不需要使用含氟的湿蚀刻溶液，即可以被移除。可以避免高介电常数介电质以及金属栅极受到损坏，避免层间介电层的介电常数降低，和避免层间介电层损失。
集成电路制造方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN200910246511.0有效
发明人： 蔡方文;叶明熙;王明俊;林舜武;陈启群;魏正泉;陈其贤 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L21/70 文献下载
摘要：本发明揭露一种制造具有改善的性能的集成电路的方法。此方法包含：提供一基材；形成一硬掩膜层于此基材上；形成此硬掩膜层的多个被保护的部分和多个未被保护的部分；进行一第一蚀刻制程、一第二蚀刻制程和一第三蚀刻制程于硬掩膜层的未被保护的部分上，其中第一蚀刻制程部分地去除硬掩膜层的未被保护的部分，第二蚀刻制程处理硬掩膜层的未被保护的部分，第三蚀刻制程去除硬掩膜层的其余的未被保护的部分；以及进行一第四蚀刻制程，以去除硬掩膜层的被保护的部分。
集成电路制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200910173524.X有效
发明人：叶明熙;蔡方文;陈启群 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2009-09-15 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括：提供一半导体基底，其具有第一栅极堆叠于第一区、第二栅极堆叠于第二区，其各自包含一虚置栅极；从第一栅极堆叠与第二栅极堆叠中去除虚置栅极，以形成一沟槽；形成一金属层填入部分沟槽；形成一氧化层于金属层上，且填满沟槽的其余部分；对氧化层进行第一处理；形成一图案化光致抗蚀剂层于第一区上的氧化层；对第二区上的氧化层进行第二处理；蚀刻第二区上的氧化层；蚀刻第二区上的金属层；去除图案化光致抗蚀剂层；以及，去除第一区上的氧化层。本发明提供的半导体装置的制造方法能够避免在图案化金属层时残留光致抗蚀剂和侧向蚀刻的问题。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200810086241.7有效
发明人： 蔡方文;王冠程;林耕竹;林志隆;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-03-24 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置，适用于先进内连线的超低介电常数介电膜层结构，其包括：具有不同折射率的一上层ELK介电层及一下层ELK介电层。上层ELK介电层的折射率大于下层ELK介电层的折射率。本发明提供一种应用于先进内连线的内层金属介电层的超低介电常数介电膜层。超低介电常数介电膜层包括在相同UV光波长测量下具有不同折射率的双膜层，以防止后续UV烘烤期间UV光穿透至下方膜层，进而提高UV烘烤效率并节省UV光的使用。
半导体装置

[发明专利]形成介电结构的方法以及半导体结构-CN200810005454.2无效
发明人：陈奕伊;蔡方文;吴振诚;包天一;郑双铭;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2008-02-04 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种形成介电结构的方法以及半导体结构。形成介电结构的方法包含提供基材；沉积包含第一成孔剂的低介电系数介电层于基材上；沉积包含第二成孔剂的低介电系数帽盖层于低介电系数介电层上；以及同时熟化低介电系数介电层及低介电系数帽盖层，以移除第一及第二成孔剂，使产生第一孔隙度于低介电系数介电层中，及第二孔隙度于低介电系数帽盖层中。第二孔隙度优选地小于第一孔隙度。优选地，低介电系数介电层及低介电系数帽盖层包含一组共同的前趋物及成孔剂，且原位进行。
形成结构方法以及半导体

[发明专利]集成电路及其制作方法-CN200710137031.1无效
发明人：王冠程;吴振诚;蔡方文;罗义兴;陈奕伊;包天一;郑双铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种集成电路及其制作方法。上述集成电路，包含蚀刻停止层，形成于基底上；起始层，形成于该蚀刻停止层上，且该起始层具有高消光系数；低介电常数的介电层，形成于该起始层的上方；以及形成金属线于该低介电常数的介电层之中。本发明可降低在固化步骤所引起的应力转变，因此蚀刻停止层可以是具有较低介电常数的介电材料，而且也会降低晶圆龟裂的可能。
集成电路及其制作方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构-CN200610150312.6有效
发明人： 蔡方文;陈奕伊;吴振诚;林志隆;包天一;郑双铭;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-10-26 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，包括：提供一半导体基底；形成一介电层于该半导体基底上；通过化学气相沉积法形成一附着层于该介电层上，其中该附着层包括一过渡层形成在该介电层上，且该过渡层至少具有一自该过渡层的底部至顶部逐渐改变的特性；形成一低介电常数介电层于该附着层上，且该低介电常数介电层与该附着层在相同腔室中形成；以及形成一镶嵌开口在该低介电常数介电层中。本发明所述的半导体结构的形成方法及半导体结构，可使低介电常数介电层及其下层之间的附着力获得改善，并因此减少破裂及/或剥离的问题发生。
半导体结构形成方法

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