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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法-CN201210433490.5有效
发明人： S·V·源 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-11-02 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开涉及具有增强的铜对铜接合的三维（3D）集成电路及其形成方法。至少在第一器件晶片的Cu表面上形成至少一个金属粘附层。具有另一Cu表面的第二器件晶片被放置在第一器件晶片的Cu表面顶上且在至少一个金属粘附层上面。第一器件晶片和第二器件晶片然后被接合在一起。接合包含在施加或不施加外部施加的压力的情况下在低于400°C的温度下加热器件晶片。在加热期间，两个Cu表面被接合在一起，并且至少一个金属粘附层从两个Cu表面得到氧原子，并且在Cu表面之间形成至少一个金属氧化物接合层。
具有增强接合三维集成电路及其形成方法

[发明专利]用于加热地下地层的循环流体系统的泄漏检测-CN201180018308.3有效
发明人： S·V·源 -专利权人：国际壳牌研究有限公司
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： E21B43/24 文献下载
摘要：一种处理地下地层的方法，包括：使至少一种熔融盐循环通过位于所述地层内的套管加热器的至少一个导管，以将所述地层内的烃加热到至少所述烃的流动温度；从所述地层生产至少一些烃；评价套管加热器的至少一个导管的电阻，以判断至少一个导管内泄漏的存在。
用于加热地下地层循环流体系统泄漏检测

[发明专利]用于估定地下地层中温度的方法-CN201080052180.8有效
发明人： D·阿罗拉;R·M·巴斯;D·B·伯恩斯;E·E·德圣里米;E·A·格苏阿尔迪;S·V·源;S·T·汤普森 -专利权人：国际壳牌研究有限公司
申请日： 2010-10-08 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： G01K13/00 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于估定地下地层中开口内的温度的方法。该方法可包括：沿着位于开口中的绝缘导体的长度估定一个或多个介电特性，以及基于所估定的一个或多个介电特性而沿着绝缘导体长度估定一个或多个温度。
用于地下地层温度方法

[发明专利]将自调节核反应堆用于处理地下地层-CN200980140449.5无效
发明人： S·V·源;H·J·万嘉 -专利权人：国际壳牌研究有限公司
申请日： 2009-10-09 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： E21B36/00 文献下载
摘要：本发明描述处理地下地层的系统和方法。用于处理地下地层的系统可以包括地层中的多个井眼。系统可以包括位于至少两个井眼中的至少一个加热器。系统可以包括自调节核反应堆。自调节核反应堆可以向至少一个加热器提供能量以将地层温度提高至使得可以自地层产生烃的温度。随时间向至少一部分地层的热量输入可以大约相关于自调节核反应堆的衰减速率。地层中的多个井眼的至少一部分之间的间距可以相关于自调节核反应堆的衰减速率。自调节核反应堆可以以约1/E的速率衰减。
调节核反应堆用于处理地下地层

[发明专利]半导体结构和形成方法-CN201010227409.9有效
发明人： S·A·科恩;A·格里尔;T·J·小黑格;刘小虎;S·V·源;T·M·肖;H·肖芭 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-07-12 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明涉及半导体结构和形成方法。提供一种具有低于4.2的介电常数的介电帽盖层，其呈现比常规介电帽盖层更高的对UV和/或E束辐射的机械和电稳定性。并且，该介电帽盖层在经受沉积后处理时保持一致的压缩应力。该介电帽盖层包括三层介电材料，其中这些层中的至少一层具有良好的抗氧化性，对导电金属扩散有抵抗性，并且在至少UV固化时呈现高机械稳定性。该低k介电帽盖层还包括含氮层，该含氮层包含电子施主和双键电子。该低k介电帽盖层还呈现高压缩应力和高模量，且在沉积后的固化处理之下稳定，这导致较少的膜和器件开裂以及改善的器件可靠性。
半导体结构形成方法

[发明专利]作为加热地下地层的传热流体的熔融盐-CN200880017329.1有效
发明人： S·V·源;H·J·文格尔 -专利权人：国际壳牌研究有限公司
申请日： 2008-04-18 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： E21B36/00 文献下载
摘要：一种用于地下地层的加热系统，其包括位于地下地层内的开口中的管线。绝缘导体位于管线中。一种材料位于管线中一部分绝缘导体和一部分管线之间。所述材料可以是盐。所述材料在加热系统操作温度下是流体。热量从绝缘导体传递至流体，从流体传递至管线，和从管线传递至地下地层。
作为加热地下地层传热流体熔融

[发明专利]用于制造在制成的半导体器件和电子器件内用作层内或层间电介质的超低介电常数材料的改进方法-CN200580011628.0有效
发明人： S·M·盖茨;A·格里尔;D·R·梅代罗斯;D·诺伊迈尔;S·V·源;V·V·帕特尔;王新辉 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-03-23 - 公布日： 2007-04-18 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：公开了以平行板化学气相沉积工艺，利用离子体增强化学气相沉积(“PECVD”)工艺制造包括Si、C、O和H原子的热稳定的超低介电常数膜的方法。进一步公开了包含由本方法制造的热稳定超低介电常数材料的绝缘层的电子器件。为了制造热稳定的超低介电常数膜，使用特殊的前体材料，如硅烷衍生物例如二乙氧基甲基硅烷(DEMS)和有机分子例如双环庚二烯和环戊烯氧化物。
用于制造制成半导体器件电子器件用作电介质介电常数材料改进方法

[发明专利]互连结构及其形成方法-CN200510117378.0有效
发明人： S·V·源;M·莱恩;S·M·盖茨;刘小虎;V·J·麦加海伊;S·C·梅赫塔;T·M·肖 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-11-03 - 公布日： 2006-06-07 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种位于其中嵌有至少一个导电特征的低k介质材料的表面上的硬掩模。该硬掩模包括相邻于低k介质材料的密封氧化物材料的下区域和位于所述密封氧化物材料上的包括Si、C和H原子的上区域。本发明还提供了制造本发明硬掩模的方法以及形成包括该硬掩模的互连结构的方法。
互连结构及其形成方法

[发明专利]改善层间附着的方法-CN200480005158.2无效
发明人： F·C·施密特;L－Q·夏;S·V·源;S·文卡塔拉曼 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-03-05 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供用于在两层低k值介电层之间沉积低介电常数附着层的衬底处理方法。本发明的一个方面提供处理衬底的方法，包括在衬底上沉积阻挡层(112)，其中阻挡层包括硅和碳，其介电常数小于4，临近阻挡层，沉积介电起始层，临近介电起始层，沉积第一介电层(110)，其中介电层包括硅、氧和碳，其介电常数约为3或更小。
改善附着方法

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