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[发明专利]具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法-CN202210749712.8在审
发明人：朱德尚·R·侯尔特;乔迪·A·佛罗霍海瑟;诚康国;绍高·莫基祖基;史蒂芬·W·贝代尔 -专利权人：格芯（美国）集成电路科技有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及具有硅锗鳍片的半导体结构及其制造方法，其一方面包括一种半导体结构，该半导体结构包括：位于衬底上的一组鳍片，该组鳍片包括松弛硅锗层；以及位于该组鳍片中的各鳍片之间的介电质；其中，n型场效应晶体管(nFET)区域中的各鳍片还包括位于该nFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅层；其中，p型场效应晶体管(pFET)区域中的各鳍片还包括位于该pFET区域中的各鳍片的该松弛硅锗层上方的应变硅锗层
具有硅锗鳍片半导体结构及其制造方法

[发明专利]鳍型半导体结构、晶体管结构及其制备方法-CN201711467867.8在审
发明人：刘铁 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍型半导体结构、晶体管结构及制备方法，鳍型半导体结构制备包括：提供半导体基底，半导体基底具有一上表面及由上表面突起的鳍部；于上表面上形成图形化的掩膜层，图形化的掩膜层具有显露鳍部的窗口；改质鳍部，包括加热鳍部并基于图形化的掩膜层对鳍部进行离子注入，在离子注入过程中的加热促进鳍部内部的自退火效应，使鳍部保持结晶状态并转换成导体鳍。通过上述方案，本发明在对鳍部进行离子注入的同时对其进行加热以提供一个高温环境，高温条件下进行离子注入，增强了离子注入中的自退火效应，使得离子注入后的鳍部保持结晶状态，减小了退火后的形成的导体鳍的电阻，利用高温离子注入提高鳍部的再结晶率，降低了导体鳍的电阻。
鳍部离子半导体结构导体上表面图形化掩膜层制备鳍型加热半导体基底晶体管结构结晶状态自退火电阻离子注入过程退火高温环境高温离子高温条件再结晶突起改质减小显露转换

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011017468.3在审
发明人：肖芳元;徐娟;郑二虎 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，包括用于形成第一型晶体管的第一器件区以及用于形成第二型晶体管的第二器件区，衬底上形成有底部鳍部材料层和位于底部鳍部材料层上的沟道材料层；刻蚀沟道材料层和底部鳍部材料层，形成凸出于衬底上的底部鳍部以及位于底部鳍部上的第一有效鳍部；在衬底上形成填充层，覆盖第一有效鳍部的侧壁并露出第一有效鳍部的顶部；去除第一器件区的第一有效鳍部，形成沟槽；在沟槽中形成第二有效鳍部；在衬底上形成隔离层，覆盖底部鳍部的侧壁，并露出第一有效鳍部和第二有效鳍部中任一个的部分侧壁或整个侧壁。本发明提高第一有效鳍部和第二有效鳍部的形貌质量，从而提高半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]一种单塔式CPU散热器-CN201910873087.6在审
发明人：刘康 -专利权人：刘康
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明综合产品惯常的安装使用方位等多种因素而设计，主要包括底座、由若干鳍片构成的鳍片组、至少2支热管；且至少有1支U型热管，其余为U型热管或（和）L型热管；底座与热管的蒸发段结合；鳍片与热管的冷凝段结合；鳍片的中部未设置冷凝段的宽度（D2）≤36mm；（冷凝段）遮挡率＜50%；所有U型热管的位于上方的冷凝段不向下偏移。可提高热管和鳍片的效率，充分利用鳍片中部的散热能力，且产品以惯常的侧吹方位安装后，冷凝段不易积存液态工质，平均热阻更低，尤其是U型热管的位于上方的冷凝段中的液态工质，更易回流至蒸发段。
冷凝段热管鳍片液态工质蒸发段底座热管冷凝段散热能力向下偏移综合产品单塔式鳍片组侧吹积存热阻遮挡

[发明专利]集成电路器件和形成半导体器件的方法-CN202011036025.9在审
发明人：杨智铨;徐国修;张峰铭;耿文骏;洪连嵘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：集成电路器件包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区域上方的FinFET，其中，该FinFET包括第一鳍结构和第一源极/漏极(S/D)部件，第一鳍结构具有第一宽度；以及鳍基阱条，设置在第一类型掺杂剂的掺杂区域上方，其中鳍基阱条包括第二鳍结构和第二S/D部件，第二鳍结构具有大于第一宽度的第二宽度，其中鳍基阱条将掺杂区域连接至电压。
集成电路器件形成半导体器件方法

[实用新型]一种均温散热器-CN201720660065.8有效
发明人：王云;周伟林 -专利权人：无锡来德电子有限公司
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： F21V29/76 文献下载
摘要：本新型涉及到的是一种均温散热器，包括底部均温板、第一均温板、第二均温板和第一鳍片、第二鳍片；底部均温板、第一均温板、第二均温板的材质是铜或铝，其内部设有独立并列的若干根等距独立运行的微细毛管，其外表面有镀镍，底部均温板折弯成U型，第一均温板、第二均温板折弯成U型；第一鳍片、第二鳍片采用若干个铝薄片扣FIN连接在一起，并有若干个相连贯的通孔，表面有镀镍，第一鳍片底部整体焊接在底部均温板内表面，同时将第一均温板内表面焊接在第一鳍片顶部，第一均温板的U型两侧则焊接在底部均温板的U型内表面两侧；再将第二鳍片底部焊接在第一均温板外表面，第二鳍片顶部焊接在第二均温板内表面，第二均温板U型两侧则焊接在底部均温板的U型内表面两侧。
一种散热器

[发明专利]用于制造垂直型基于鳍片的JFET的方法和系统-CN202210122792.4在审
发明人：克利福德·德劳利;崔浩;安德鲁·P·爱德华兹;苏巴什·斯里尼瓦·皮达帕蒂 -专利权人：新时代电力系统有限公司
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直型FET器件包括半导体结构，包括半导体衬底、耦合到半导体衬底的第一半导体层、以及耦合到第一半导体层的第二半导体层。垂直型FET器件还包括多个鳍片。多个鳍片中的相邻鳍片由延伸到第二半导体层中的沟槽分开，并且多个鳍片中的每个鳍片包括布置在第二半导体层中的沟道区。垂直型FET还包括：栅极区，其延伸到多个鳍片中的每个鳍片的沟道区的侧壁部分中；源极金属结构，其耦合到第二半导体层；栅极金属结构，其耦合到栅极区；以及漏极接触，其耦合到半导体衬底。
用于制造垂直基于 jfet 方法系统

[发明专利]汽车车灯-CN201310525581.6无效
发明人：王枫 -专利权人：昆山市大久电子有限公司
申请日： 2013-10-31 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： F21S8/10 文献下载
摘要：本发明涉及汽车配件领域，特别涉及一种汽车车灯，包括灯座、灯具和灯罩，所述灯座为碗型，所述碗型碗身有多个镂空，所述镂空部分安装有多个散热鳍片，所述散热鳍片与光源形成一定夹角。本发明的灯座装有多个散热鳍片，散热鳍片为铝箔，导热快，散热效率高。
汽车车灯

[实用新型]一种用于发电厂锅炉低低温省煤器模块式装置-CN201620788378.7有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-07-25 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： F22D1/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于发电厂锅炉低低温省煤器模块式装置，包括进口小集箱、出口小集箱H型鳍片管、封板、支撑板、支撑框架、U型弯头；该装置还包括设置在支撑框架上的低低温省煤器烟气进口和低低温省煤器烟气出口；其中，进口小集箱通过第一连接管与H型鳍片管的进口端相连接；H型鳍片管均匀布置安装在支撑框架上；支撑板等间距地垂直布置安装在支撑框架上；封板设置在支撑框架的两侧，相邻H型鳍片管分别通过U型弯头连接；出口小集箱通过第二连接管与H型鳍片管的出口端相连接；H型鳍片管的出口端还连接有凝结水回流管路。
一种用于发电厂锅炉低温省煤器模块装置

[发明专利]多次可编程的内存-CN201310363405.7有效
发明人：卓荣发;陈学深;林启荣;郭克文 -专利权人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本装置包括基板及置于基板上的鳍型结构。鳍型结构作用为n个晶体管的共享基体。晶体管包括单独电荷储存层与栅极介电层。电荷储存层设置于鳍型结构的上部表面以及栅极介电层设置于鳍型结构的侧壁上。
多次可编程内存

[发明专利]N型鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510006054.3有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种N型鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，N型鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成离子注入区；形成所述离子注入区后，去除所述栅极结构两侧的鳍部顶部；在剩余的所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层；在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层；在所述第二半导体材料层上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，形成接触电阻减小层采用本发明的方法可以将鳍部顶部的位错缺陷去除，以提高后续在鳍部生长的第一半导体材料层的性能，进而提高后续形成的N型鳍式场效应晶体管的性能。
型鳍式场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]采用单和双扩散中断以提高性能的鳍式场效应晶体管(FINFET)互补金属氧化物半导体(CMOS)电路-CN201780041144.3有效
发明人：袁骏;刘彦翔;K·里姆 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了一种具有单和双扩散中断以提高性能的鳍式场效应晶体管(FET)(FinFET)互补金属氧化物半导体(CMOS)电路。在一方面，采用单和双扩散中断的FinFET CMOS电路包括P型FinFET，其包括由半导体衬底形成并且对应于P型扩散区的第一鳍状件。FinFET CMOS电路包括N型FinFET，其包括由半导体衬底形成并且对应于N型扩散区的第二鳍状件。为了电隔离P型FinFET，在P型FinFET的栅极的任一侧上的第一鳍状件中形成第一和第二单扩散中断(SDB)隔离结构。为了电隔离N型FinFET，在N型FinFET的栅极的任一侧上的第二鳍状件中形成第一和第二双扩散中断(DDB)隔离结构。
采用扩散中断提高性能场效应晶体管 finfet 互补金属氧化物半导体 cmos

[实用新型]一种水冷壁管排及包括其的锅炉-CN202121071622.5有效
发明人：孙鹏宵;相明辉;牛涛;张超群;李明;刘鹏飞;杜俊硕 -专利权人：烟台龙源电力技术股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： F23M5/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种水冷壁管排及包括其的锅炉，所述的水冷壁管排包括并排设置的至少三个水冷壁管，相邻的两个水冷壁管之间通过鳍片连接，所述的鳍片分为S型的第一鳍片和长方形的第二鳍片，所述的第一鳍片与第二鳍片交替设置，所述第二鳍片的外壁设置有挡板，所述的挡板与第二鳍片垂直设置。本实用新型提供的水冷壁管排及包括其的锅炉，其中第一鳍片采用的“S”型结构，利于吸收热膨胀量，降低了鳍片与水冷壁管焊缝拉力，增大换热面积。第二鳍片上挡板的设置可以缓解气流对水冷壁的冲刷，降低了发生管壁高温疲劳裂纹和超温的风险。
一种水冷壁管排包括锅炉

[实用新型]多重栅极结构-CN200420049601.3无效
发明人：陈豪育;杨育佳;杨富量 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-04-22 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型是关于一种多重栅极结构，包括：多个鳍型半导体层，沿一第一方向大体平行地排列，且由多个位于一绝缘层上的绝缘台地所支撑，其中上述鳍型半导体层的底面大于与其与绝缘台地的接触面；以及一栅极导电层，沿一第二方向延伸且覆盖于上述鳍型半导体层的部分表面上，且于栅极导电层与其所覆盖的上述鳍型半导体层之间更设置有一栅极介电层，其中此栅极介电层更包覆于该栅极导电层所覆盖部分表面内的此等鳍型半导体层的底面。
多重栅极结构

[实用新型]一种热管散热器-CN201420420638.6有效
发明人：张毅;张礼政;刘忠 -专利权人：锘威科技（深圳）有限公司
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型公告了一种热管散热器，包括U型热管、底座和鳍片组，U型热管固定在底座上，鳍片组由若干第一鳍片和第二鳍片交替堆叠形成，每一片第一鳍片和第二鳍片上均设有若干通孔，每一个通孔的周缘上形成有一凸缘，U型热管的两侧通过通孔穿设在鳍片组上，第一鳍片和第二鳍片在整体上呈四边形，第一鳍片的相对的两个侧边的上部具有第一折弯部，第二鳍片的相对的两个侧边的下部具有第二折弯部，第一折弯部和第二折弯部的折弯方向均与凸缘的延伸方向相反
一种热管散热器