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[实用新型]一种大功率电力电子器件散热器-CN201922422501.X有效
发明人：和亮 -专利权人：西安外事学院
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子器件散热技术领域，公开了一种大功率电力电子器件散热器，包括散热铜板、散热铜管和多个散热鳍片，多个散热鳍片均与散热铜管活动套设，且多个散热鳍片的外侧设有U型架，U型架与散热铜管活动套设，且U型架的两侧内壁均开设有与多个散热鳍片相匹配的卡槽，U型架的下方设有定位板，且定位板与散热铜管固定套接设置，U型架两个竖直部的底部均对称固定连接有多个定位块，定位板的顶部开设有多个与定位块相匹配的定位孔本实用新型能够便于对散热鳍片进行单个拆卸，进而便于对散热铜管和散热鳍片进行清理，保证其散热效果。
一种大功率电力电子器件散热器

[发明专利]P型鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201310157812.2有效
发明人：三重野文健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2017-12-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种P型鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述P型鳍式场效应晶体管，包括半导体衬底，所述半导体衬底上具有凸起的鳍部，鳍部侧壁和顶部表面具有栅极结构，所述栅极结构的侧壁具有侧墙；在栅极结构两侧的鳍部内具有凹槽；所述凹槽的侧壁和底部表面具有硅锗层；所述硅锗层表面具有阻挡层；所述阻挡层上具有金属层，所述金属层填充满凹槽，金属层、阻挡层和硅锗层构成P型鳍式场效应晶体管的源/漏区。相邻鳍式场效应晶体管的鳍部上的硅锗层不会发生桥接现象。
型鳍式场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]异构单元阵列-CN201780029737.8在审
发明人： S·S·宋;G·纳拉帕蒂;杨达;K·里姆;R·布茨基;C·F·耶普 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：第一单元包括具有第一数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管，并且第二单元包括具有第一数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管。第二列单元包括具有第二面积的第三单元。第三单元与第一单元和第二单元相邻，并且第三单元包括具有第二数目的鳍部的两个鳍型场效应晶体管。第二面积大于第一面积，并且鳍部的第二数目大于鳍部的第一数目。
鳍部列单元鳍型场效应晶体管单元阵列异构

[发明专利]制造集成电路器件的方法-CN201811182469.6有效
发明人：姜东佑;柳志昊;姜栋薰;金善培;朴文汉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：为了制造集成电路器件，扩散缓冲层和含碳层在形成于衬底中的多个鳍型有源区上顺序地形成。含碳掩模图案通过使用包含氧原子的蚀刻气体蚀刻含碳层而形成为具有暴露扩散缓冲层的一部分的开口，同时扩散缓冲层阻止氧扩散到鳍型有源区中。杂质离子使用含碳掩模图案作为离子注入掩模经由开口和扩散缓冲层注入到一些鳍型有源区中，所述一些鳍型有源区从所述多个鳍型有源区之中选择。
制造集成电路器件方法

[发明专利]集成电路器件-CN201610884035.5有效
发明人：卓容奭;朴起宽;李泰宗;具本荣;朴起演;崔成贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。
集成电路器件

[发明专利]一种上下间距调节型散热器及其工作方法-CN202210176309.0在审
发明人：陶振宇;王钱芳 -专利权人：太仓陶氏电气有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种上下间距调节型散热器以及工作方法，包括散热器基体和两个相对交错设置的散热鳍片单元，散热鳍片单元均由一组散热鳍片间距调节模块构成，散热鳍片间距调节模块包括两个固定散热鳍片、两个活动散热鳍片和鳍片间距调整装置，两个固定散热鳍片和两个活动散热鳍片间隔设置，所两个活动散热鳍片和鳍片间距调整装置连接，并且鳍片间距调整装置可调节两个活动散热鳍片的位置。本发明的上下间距调节型散热器，通过鳍片间距调整装置进行两个固定散热鳍片和两个活动散热鳍片之间距离的调节，从而使得鳍片与空气的接触面积，保证了散热片良好的散热效果；散热鳍片可根据实时的情况，增加或者减少散热片的使用量
一种上下间距调节散热器及其工作方法

[发明专利]具有变化导电区的垂直型基于鳍片的场效应晶体管-CN202310118285.8在审
发明人：克利福德·德劳利;安德鲁·J·沃克;安德鲁·P·爱德华兹;苏巴什·斯里尼瓦·皮达帕蒂 -专利权人：新时代电力系统有限公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种垂直型基于鳍片的场效应晶体管(FinFET)，包括FinFET阵列，该FinFET阵列包括多行和多列具有源极接触的活性鳍片；设置在FinFET阵列的第一组侧面上的一行或多行第一非活性鳍片。该垂直型FinFET还包括设置在FinFET阵列的第二组侧面上的一列或多列第二非活性鳍片。第一非活性鳍片和第二非活性鳍片由与FinFET阵列的活性鳍片的导电率相比减小的导电率。该垂直型FinFET器件还包括围绕FinFET阵列的FinFET的活性栅极区和围绕第一非活性鳍片和第二非活性鳍片的附加栅极区。该附加栅极区的至少一部分是中和的栅极区。
具有变化导电垂直基于场效应晶体管

[发明专利]增强型散热模块、散热鳍片结构及其冲压方法-CN201810304032.9有效
发明人：王振泙 -专利权人：神讯电脑（昆山）有限公司;神基科技股份有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： F28F1/10 文献下载
摘要：本发明是关于一种增强型散热模块、散热鳍片结构及其冲压方法，此增强型散热模块包括一第一散热鳍片及一第二散热鳍片，第一散热鳍片具有向外突伸的一第一渐缩隧道；第二散热鳍片具有向外突伸的一第二渐缩隧道，其中第一渐缩隧道和第二渐缩隧道共同围设出一导流通道借此，利用热空气经过渐缩隧道会产生气压差而提高自然热对流，进而提升散热鳍片的散热效率。利用本发明的增强型散热模块，通过使渐缩隧道的表面积约为散热鳍片的表面积的10％，使散热鳍片结构具有更多提供散热的表面，让散热鳍片的表面不需使用额外涂料即可提升热辐射散热效能。
增强散热模块结构及其冲压方法

[发明专利]复合式高密度散热装置及其制作方法-CN00134851.5无效
发明人：游承谕;徐瑞源 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2000-12-06 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： F28F3/06 文献下载
摘要：一种复合式高密度散热装置的结构与制作方法，先提供第一与第二挤型散热片。此第一与第二挤型散热片分别具有散热底板与数个形成于散热底板上的散热鳍片。各散热鳍片间为等间距。接着将第一与第二挤型散热片的散热鳍片彼此相对，并将第一与第二挤型散热片加工连接起来，使第一挤型散热片散热鳍片的所有或部分顶端与第二挤型散热片的散热底板连接，第二挤型散热片散热鳍片的所有或部分顶端与第一挤型散热片的散热底板连接
复合高密度散热装置及其制作方法

[发明专利]便于薄型散热鳍片与薄型盖板铆合的快速定位结构-CN202010197220.3有效
发明人：黄崇贤 -专利权人：东莞汉旭五金塑胶科技有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： F28F9/26 文献下载
摘要：本发明公开一种便于薄型散热鳍片与薄型盖板铆合的快速定位结构，包括有多个薄型散热鳍片以及一定位板；该多个薄型散热鳍片竖向设置，每一薄型散热鳍片的顶部均延伸出有定位凸部；该定位板设置于多个薄型散热鳍片上，定位板上开设有多个定位孔通过设置有定位板，利用定位凸部穿过定位孔向上延伸并与定位孔配合定位，以便于在安装薄型盖板的时候，使各铆合凸部与各铆合孔之间实现快速对位安装，省时省力，并且在铆合过程中，定位板可有效避免薄型散热鳍片左右偏摆
便于散热盖板快速定位结构

[发明专利]高迁移率鳍型场效应晶体管及其制造方法-CN201310218019.9有效
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-06-04 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及高迁移率鳍型场效应晶体管及其制造方法。在本发明的一个示范性实施例中，一种鳍型场效应晶体管，包括衬底；鳍体，设置在该衬底上，该鳍体包括第一半导体鳍条，具有第一导电类型；以及第二半导体鳍层，共形地覆盖所述第一半导体鳍条，且具有与该第一导电类型不同的第二导电类型；栅极，覆盖所述鳍体，其中所述栅极和所述鳍体通过栅极绝缘层间隔开；以及源极和漏极，分别设置在所述栅极的相反两侧且接触所述第一半导体鳍条和所述第二半导体鳍层二者。
迁移率场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201510861184.5有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2020-03-20 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：所述方法包括：提供衬底；对所述衬底进行N型掺杂以在所述衬底中形成N阱；对所述衬底进行刻蚀以形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片；在各个鳍片之间形成隔离区以至少部分填充各个鳍片之间的空间；对所述第二组鳍片下的衬底进行P型掺杂，以形成与所述N阱邻接的P阱。本发明将形成N阱和P阱的时机分开，在鳍片形成之前进行N型掺杂形成N阱，在鳍片形成之后进行P型掺杂形成P阱，一方面，避免了P阱中掺杂的离子在形成隔离区时扩散到隔离区中导致的离子的损失；另一方面，也避免了N型掺杂对鳍片的损伤。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种无焊接型散热器-CN201120233655.5有效
发明人：罗意忠 -专利权人：东莞展茂塑胶五金模具有限公司
申请日： 2011-06-22 - 公布日： 2012-01-25 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无焊接型散热器，包括底板、鳍片组及至少一根导热管；底板上表面平滑，底板下表面设有凹槽，底板两个相对侧面设有沟槽；鳍片组包括一块以上叠加而成的鳍片，鳍片设有卡扣，鳍片组及底板通过卡扣及沟槽夹持固接；鳍片上设有至少一个通孔；导热管呈“U”形，导热管一端穿插于插槽中；导热管的另一端通过通孔与鳍片串接。本实用新型方案提供的无焊接型散热器，鳍片组与底板之间为夹持连接，底板与导热管卡持连接，导热管与鳍片串接，因而底板、鳍片无需先做电镀化镍处理，避免使用焊接锡膏，因此本实用新型提供的无焊接型散热器制作工艺简单
一种焊接散热器

[实用新型]一种使用Y型齿固定的散热模块-CN202121441430.9有效
发明人：林川;何景向;胡延康 -专利权人：东莞市祥荣精密五金有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： F28D1/047 文献下载
摘要：本实用新型公开一种使用Y型齿固定的散热模块，包括铝挤型底座、热导管和散热鳍片。铝挤型底座的上端设置有Y型齿。散热鳍片的下端设置有T型孔，T型孔的两侧为L型折边。Y型齿插入T型孔中，铝挤型底座贴合在L型折边上，铝挤型底座的下端设置有预留弧形槽，散热鳍片的中部设置有圆形热管槽，圆形热管槽贯穿散热鳍片的两侧面，热导管为U形，热导管的一端插入预留弧形槽内，热导管的另外一端插入圆形热管槽内，热导管的底面与铝挤型底座的底面平齐。该使用Y型齿固定的散热模块通过Y型齿与T型孔的结合，使得铝挤型底座与散热鳍片的组装更加简便，无需焊接工艺的参与，制作成本低，热能交换效率高。
一种使用固定散热模块

[发明专利]半导体器件-CN201810467183.6在审
发明人：刘贤琯;姜沅衡;金孝珍;閔崇富 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：所述半导体器件包括：第一鳍型图案及第二鳍型图案，分别沿第一方向在衬底上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，彼此间隔开并在第一鳍型图案及第二鳍型图案上在与第一方向相交的第二方向上延伸；以及共享外延图案，在第一栅极结构与第二栅极结构之间连接第一鳍型图案与第二鳍型图案
栅极结构斜坡共享图案鳍型半导体器件上表面延伸衬底相交

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