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[发明专利]半导体器件-CN201910529268.7在审
发明人：河承锡;朴敬美;宋炫昇;千健龙;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：N型金属氧化物半导体(NMOS)区中的第一鳍图案和第二鳍图案，第一鳍图案和第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及P型金属氧化物半导体(PMOS)区中的第三鳍图案和第四鳍图案，第三鳍图案和第四鳍图案均与第一鳍图案和第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开。第一栅电极沿横切第一方向的第二方向纵向延伸，并与第一鳍图案相交。第二栅电极沿第二方向纵向延伸，并与第二鳍图案相交。间隔开的第三栅电极和第四栅电极在第二隔离层上沿第二方向纵向延伸。
图案方向纵向栅电极隔离层延伸相交氧化物半导体半导体器件横切平行

[发明专利]一种智能散热器-CN201410198464.8在审
发明人：周珍军;叶璐;胡智宁;胡红旭 -专利权人：浙江世明光学科技有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能散热器，其包括两组由若干散热鳍片构成的鳍片总成，各散热鳍片之间间隔一定距离，构成散热通道，两组鳍片总成的内侧端面间隔一定距离形成一安置风扇的空腔，风扇的送风方向与鳍片总成上各散热鳍片之间的散热通道相一致两组鳍片总成通过一U型散热管固定，U型散热管的管体贯穿于鳍片总成中。两组鳍片总成的前端面设有导热板，导热板的内侧端面设有半圆形沟槽，U型散热管的弯折部嵌在半圆形沟槽内，并通过一固定板进行固定。
一种智能散热器

[发明专利]静电放电保护结构及其形成方法-CN201510654344.9有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-10-10 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种静电放电保护结构及其形成方法，静电放电保护结构的形成方法包括：提供衬底，衬底包括输入区，衬底输入区表面具有鳍部，衬底表面具有隔离层，隔离层位于部分鳍部的侧壁表面，且隔离层的表面低于鳍部顶部表面；在衬底和鳍部内形成阱区；在输入区的鳍部顶部表面形成外延层；在输入区的鳍部靠近顶部的区域内和外延层内形成漏区，漏区内具有第二类型离子；采用第一注入工艺在输入区的鳍部内和衬底内形成漏区延伸区，漏区延伸区与漏区相连接；采用第二注入工艺在输入区的衬底内形成反型区，反型区位于相邻鳍部之间、并使相邻鳍部底部的漏区延伸区相互隔离。
静电放电保护结构及其形成方法

[实用新型]一种智能散热器-CN201420240803.X有效
发明人：周珍军;叶璐;胡智宁;胡红旭 -专利权人：浙江世明光学科技有限公司
申请日： 2014-05-12 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： F21V29/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能散热器，其包括两组由若干散热鳍片构成的鳍片总成，各散热鳍片之间间隔一定距离，构成散热通道，两组鳍片总成的内侧端面之间形成一安置风扇的空腔，风扇的送风方向与鳍片总成上各散热鳍片之间的散热通道相一致两组鳍片总成通过一U型散热管固定，U型散热管的管体贯穿于鳍片总成中。两组鳍片总成的前端面设有导热板，导热板的内侧端面设有半圆形沟槽，U型散热管的弯折部嵌在半圆形沟槽内，并通过一固定板进行固定。
一种智能散热器

[发明专利]鳍式场效应管的形成方法-CN201610292137.8在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-05 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种鳍式场效应管的形成方法，包括在NMOS区域的鳍部上形成第一掩膜层；刻蚀去除位于NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部上的第一掩膜层，暴露出NMOS区域栅极结构两侧的鳍部顶部，且还刻蚀去除NMOS区域的部分厚度鳍部，刻蚀后的NMOS区域鳍部与第一掩膜层构成第一凹槽；对NMOS区域鳍部上的第一掩膜层侧壁进行减薄处理；形成填充满第一凹槽的原位掺杂外延层。本发明增加了第一凹槽的体积容量，使得相应形成的N型源漏的电阻减小，另外N型源漏掺杂区表面积也会增加，使得金属硅化物与N型源漏掺杂区的接触电阻也会相应减小，从而提高形成的鳍式场效应管的性能。
场效应形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201510377725.7有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底表面具有第一鳍部和隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；位于所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内的源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子；位于所述第一鳍部内和部分衬底的阱区内的漏区延伸区，所述漏区延伸区与所述漏区相接触，且所述漏区延伸区内具有第一类型离子。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201510377767.0有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，所述半导体器件包括：提供衬底，所述衬底表面具有第一鳍部，所述第一鳍部和衬底内具有阱区，所述阱区内具有第二类型离子；在所述第一鳍部内形成电阻区，所述电阻区内具有第一类型离子；在所述衬底表面形成隔离层，所述隔离层覆盖所述第一鳍部的部分侧壁，且所述隔离层的表面低于第一鳍部的顶部表面；形成横跨所述第一鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第一鳍部的侧壁和顶部表面以及部分隔离层表面；在所述栅极结构两侧的第一鳍部阱区内形成源区和漏区，所述源区和漏区内具有第一类型离子，且所述漏区与所述电阻区相连接。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]液冷型CPU散热器及其散热块-CN201320006866.4有效
发明人：陈水根;李国龙 -专利权人：深圳市欣普斯科技有限公司
申请日： 2013-01-07 - 公布日： 2013-08-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种液冷型CPU散热器及其散热块，所述散热块包括具有顶面和底面的基板和设于所述基板用于散热的鳍片组，所述基板顶面中部设有向内陷入的凹槽，所述鳍片组由多片自所述凹槽的底壁垂直底壁地向外伸出的鳍片平行排列而成，所述鳍片组的若干鳍片或全部鳍片的顶缘中部还设有缺口，各缺口共同形成一连续贯通若干个或全部鳍片的顶端的导流槽。应用该散热块的液冷型CPU散热器，还包括液冷装置和散热块，所述液冷装置包括内部装有冷却液的循环冷凝管，所述循环冷凝管的一个区段容置于散热块的鳍片组顶部的所述导流槽内。这种液冷型CPU散热器及其散热块提升了散热块的热传导和散热性能。
液冷型 cpu 散热器及其散热

[实用新型]立体散热模块-CN202320288160.5有效
发明人：张哲嘉;刘育杰 -专利权人：春鸿电子科技（重庆）有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：一种立体散热模块，包含一均温板、二热管组、二散热鳍片组与一固定件。其一热管组包含第一L型热管。第一L型热管的一端具有一第一封闭端，另一端插设于均温板上，使得第一L型热管的管内空间接通均温板的内腔室。另一热管组包含第二L型热管。第二L型热管的一端具有一第二封闭端，另一端插设于均温板上，使得第二L型热管的管内空间接通内腔室，第二封闭端与第一封闭端相互背对。其中一散热鳍片组接触均温板的顶面，且受到第一L型热管所贯穿。另一散热鳍片组受到第二L型热管所贯穿。固定件固定此二散热鳍片组。故，降低鳍片组与热管的组装难度、提高组装便利，降低组装时损毁鳍片组或热管的机会。
立体散热模块

[发明专利]散热结构及其成型方法-CN200810198119.9无效
发明人：梁庭威;吴敏瑞 -专利权人：佛山市顺德区汉达精密电子科技有限公司
申请日： 2008-08-29 - 公布日： 2010-03-03 - 主分类号： G12B15/06 文献下载
摘要：一种散热结构及其成型方法，通过挤型成形制作挤型件，挤型件具有多个沿同一方向延伸，且向外突出的挤型件。挤型成形过程中同时于弯折部上进一步形成鳍片。利用刀具对鳍片及挤型件进行切割出切割道，刀具先切割鳍片以形成切口，接着切割弯折部以形成切割贯孔，使切口及切割贯孔构成切割道，且切割贯孔用以供空气通过切割贯孔流通挤型件的二侧。通过刀具切割弯折部，即可不受鳍片影响而快速地于挤型件上形成大量的切割贯孔，以提升气冷散热效果。
散热结构及其成型方法

[发明专利]集成电路器件-CN202111280106.8在审
发明人：闵宣基;卢东贤;罗采昊 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种集成电路器件，包括：鳍型有源区，位于衬底上并且包括位于第一水平高度处的鳍顶表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及绝缘结构，位于所述鳍型有源区的侧壁上。所述绝缘结构包括：第一绝缘衬垫，与所述鳍型有源区的侧壁接触；第二绝缘衬垫，位于所述第一绝缘衬垫上，并且包括位于比所述第一水平高度低的第二水平高度处的最上部；下掩埋绝缘层，面对所述鳍型有源区的侧壁，并且包括在比所述第二水平高度低的第三水平高度处面对所述栅极线的第一顶表面
集成电路器件

[发明专利]一种散热器及其制造方法-CN201110433443.6有效
发明人：黄崇贤 -专利权人：东莞汉旭五金塑胶科技有限公司
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明系提供一种散热器及其制造方法，系依序通过抽挤、裁切、剖沟、插植及冲压等工序，于抽挤成型为一长条挤型体时，系在长条挤型体的上端面成型一组以上的延伸夹条，并将长条挤型体裁切为个别挤型块，再对延伸夹条施以间隔式剖沟，使延伸夹条形成复数组间隔排列的夹持块，散热鳍片则在底端形成一具有缺口的弯折边片，使散热鳍片可插植于散热底，并利用模具冲头的冲压，压迫夹持块变形而紧密夹持于散热鳍片的弯折边片，以完成散热底座与散热鳍片的快速结合上述的制造方法，该散热底座将可变得更薄、更轻，不但可节省挤型用料、降低成本，亦能提高散热鳍片的密度数量，更简化散热底座与散热鳍片的组装结合。
一种散热器及其制造方法

[发明专利]集成电路器件-CN202010084287.6在审
发明人：慎居明;朴判貴;李承勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种集成电路(IC)器件包括：在第一方向上纵向延伸的鳍型有源区；在鳍型有源区的鳍顶表面上在第二方向上彼此交叠的多个纳米片；以及在鳍型有源区上并在第一方向上面向所述多个纳米片的源极/漏极区域。所述多个纳米片包括所述多个纳米片当中最靠近鳍型有源区的鳍顶表面并在第一方向上具有最短长度的第一纳米片。源极/漏极区域包括源极/漏极主区域以及从源极/漏极主区域突出的第一源极/漏极突出区域。
集成电路器件

[实用新型]一种被动式散热结构-CN201922014821.1有效
发明人：李再正;范盛修 -专利权人：昆山金玺塑胶有限公司
申请日： 2019-11-20 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种被动式散热结构，包括散热座和导热片，散热座由底板和散热鳍片组成，散热鳍片呈平行网状间隔分布，横截面中最外两侧的散热鳍片呈爪型，其中一侧散热鳍片斜向延伸有标识面，横截面中间的散热鳍片向上延伸直至顶端与最外两侧散热鳍片平齐，散热鳍片之间形成x轴风道和y轴风道，底板下表面四角设置有第一垫片。散热鳍片呈平行网状间隔分布，散热面积大，之间形成x轴，y轴风道，中部散热鳍片与两侧散热鳍片顶端平齐，又在左右两侧形成独立的风道，散热效果好；两侧的散热鳍片呈爪型，结构紧凑，增大散热面积同时可以避免高位零件
一种被动式散热结构

[发明专利]通过组合选择性外延和共形外延的用于CMOS的图案化硅衬底上的非硅器件异质层-CN201380079155.2在审
发明人： N·戈埃尔;R·S·周;J·T·卡瓦列罗斯;B·舒-金;M·V·梅茨;N·慕克吉;N·M·泽利克;G·杜威;W·拉赫马迪;M·拉多萨夫列维奇;V·H·勒;R·皮拉里塞泰;S·达斯古普塔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在于浅沟槽隔离(STI)区之间形成的沟槽中的一个或一对的底部处从衬底表面外延地生长单个鳍状物或一对共集成的n-型和p-型单晶电子器件鳍状物。对一个或多个鳍状物进行图案化并对STI区进行蚀刻，以形成在STI区的经蚀刻的顶部表面之上延伸的一个或多个鳍状物的高度。鳍状物高度可以是鳍状物宽度的至少1.5倍。以一种或多种共形外延材料外延地包覆每一个鳍状物的暴露的侧壁表面和顶部表面，以在鳍状物上形成器件层。在生长鳍状物之前，可以从衬底表面生长均厚缓冲外延材料；并且在于均厚层之上形成的STI沟槽中生成鳍状物。这种鳍状物的形成降低了来自材料界面晶格失配的缺陷。
通过组合选择性外延用于 cmos 图案衬底器件异质层