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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]倒装发光二极管及其制备方法-CN201210285739.2无效
发明人：吴厚润 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装发光二极管结构及其制作方法，通过分别在生长衬底的两面进行外延生长n型氮化镓基半导体层和氮化镓基发光外延叠层，利用晶圆键合技术或电镀技术将氮化镓基发光外延叠层黏结到半导体或金属基板上，以n型氮化镓基半导体层为出光面，并在其上制作光萃取结构，从而提高倒装发光二极管的取光效率、散热功能及产品良率。
倒装发光二极管及其制备方法

[发明专利]一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法-CN201210491141.9在审
发明人：王盛凯;刘洪刚;孙兵;赵威 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，该硅基绝缘体上砷化镓衬底结构包括：硅衬底；形成于该硅衬底之上的结晶氧化铍层；以及形成于该结晶氧化铍层之上的结晶砷化镓层。本发明提供的硅基绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法，通过在硅衬底表面沉积结晶氧化铍层，再在结晶氧化铍层表面上沉积单晶砷化镓层，从而实现了方便地在绝缘体上制备极薄砷化镓层，具有可大面积生长、散热性能好、衬底绝缘性能好、以及制备成本低廉等优点，可以方便在大尺寸晶圆上制备全耗尽砷化镓基器件。
一种绝缘体上砷化镓衬底结构及其制备方法

[发明专利]一种氮化镓基功率器件的新型制备方法-CN202011300733.9在审
发明人：郝惠莲 -专利权人：上海工程技术大学
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明属于半导体的技术领域，公开了一种氮化镓基功率器件的新型制备方法，在衬底上生长氮化镓外延层，然后，在所述氮化镓外延层上依次生长第一氮化镓铝外延层、第二氮化镓铝外延层，再利用刻蚀停止工艺对第一氮化镓铝外延层进行刻蚀形成表面平整的栅极凹槽，刻蚀停止在第二氮化镓铝外延层上，最后，制备漏电极、源电极和栅电极，完成器件制备。本发明的制备方法优化的外延生长方案，同时搭配刻蚀停止技术，既能加快刻蚀过程，又能保证刻蚀深度均匀、一致，从而使整个晶圆上的器件得到均匀的阈值电压分布，对凹槽法的产业化应用提供了更好的选择。
一种氮化功率器件新型制备方法

[实用新型]一种用于四或六英寸的碳化硅与氮化镓转换腔的感应装置-CN202021538848.7有效
发明人：孙伟 -专利权人：上海图双精密装备有限公司
申请日： 2020-07-30 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于四或六英寸的碳化硅与氮化镓转换腔的感应装置，包括晶圆夹持支架，所述晶圆夹持支架的圆周向等间距设置有多个定位板，所述晶圆夹持支架的内部圆周向等间距设置有多个滑动腔，所述滑动腔的内部设置有推动定位板复位的复位机构本实用新型结构设计合理，在吸气机构的作用下可将定位板移动，以便于完成晶圆的夹持，同时也能够满足于不同尺寸大小的晶圆夹持，提高了装置的实用性。
一种用于英寸碳化硅氮化转换感应装置

[发明专利]一种基于砷化镓晶圆电极预置金锡BUMP的制作方法-CN202210077381.8在审
发明人：杜晶;徐健;孙世刚 -专利权人：四川科尔威光电科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于砷化镓晶圆电极预置金锡BUMP的制作方法，包括以下步骤：步骤1、清洗砷化镓晶圆；步骤2、将步骤1所得的产品进行第一次光刻工艺，第一光刻工艺中露出金属电极；步骤3、将步骤2所得的产品进行种子层磁控溅射实现了在砷化镓晶圆电极上预置金锡BUMP，降低了后续封装的成本，封装效率提高。
一种基于砷化镓晶圆电极预置 bump 制作方法

[发明专利]一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法-CN202210102518.0在审
发明人：孔玮;马亚庆;杨军 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种易于剥离的晶圆级氮化镓外延生长方法，包括以下步骤：步骤1：取c面蓝宝石单晶衬底；步骤2：在蓝宝石衬底上生长出氮化硼二维材料；步骤3：生长了氮化硼二维材料的蓝宝石衬底表面上，使用卤化物气相外延生长出氮化镓厚膜；步骤4：降低至室温，获得高质量的氮化镓厚膜。本发明可提高氮化镓外延的晶体质量，减少因晶格失配产生的位错，有助于机械剥离氮化镓外延。
一种易于剥离晶圆级氮化外延生长方法

[发明专利]室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法-CN202211164269.4有效
发明人：王春兰;段楠;宋勇乐;赵明;刘晓红 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/425 文献下载
摘要：本发明公开了室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面的方法，具体步骤如下：步骤1，在室温下采用射频磁控溅射铟镓锌氧复合靶材，并利用掩膜工艺在衬底上制备非晶铟镓锌氧有源层；步骤2，采用氧等离子体对非晶铟镓锌氧有源层进行处理，得到处理后的非晶铟镓锌氧有源层；步骤3，在室温下采用直流溅射铜靶材，并利用掩膜工艺在处理后的非晶铟镓锌氧有源层上制备源电极和漏电极。本发明方法能够在室温下沉积高性能非晶铟镓锌氧薄膜晶体管。
室温优化非晶铟镓锌氧薄膜晶体管界面方法

[发明专利]具有空气腔的氮化镓微波毫米波晶体管结构及制备方法-CN202010409092.4在审
发明人：刘志宏;郎英杰;张进成;王泽宇;朱肖肖;周弘;赵胜雷;张雅超;段小玲;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有空气腔的氮化镓微波毫米波晶体管结构，其特征在于，包括：具有氮化镓外延结构的晶圆；栅电极、源电极和漏电极，栅电极、源电极和漏电极均位于晶圆上；表面钝化层，位于晶圆上；第一中间介质层和第二中间介质层，分别位于漏电极和源电极上；掩膜层，掩膜层位于第一中间介质层和第二中间介质层上，且掩膜层、第一中间介质层和第二中间介质层、表面钝化层、漏电极和源电极在栅电极周围围绕成一空气腔；表面保护层，表面保护层位于掩膜层上
具有空气氮化微波毫米波晶体管结构制备方法

[发明专利]一种GaN‑on‑Si晶圆的制备方法-CN201510965134.1有效
发明人：张森;陈爱华 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种利用MOCVD设备制备GaN‑on‑Si晶圆的方法，所述制备方法利用反应腔分步骤制备GaN‑on‑Si晶圆。具体步骤为在第一反应腔内通过外延反应在硅基衬底上形成AlN薄膜，再在AlN薄膜上沉积高铝组分AlGaN缓冲层；紧接着在第二反应腔内进一步沉积低铝组分AlGaN缓冲层，然后在该缓冲层上沉积GaN层，制备得到GaN‑on‑Si晶圆，两个反应腔的主要区别在于第一反应腔的高度小于第二反应腔。本发明能有效地消除镓回熔产生的晶体缺陷导致电性良品率低等问题，同时提高晶圆的晶体质量，有效提升产能和降低外延生产的成本。
一种 gan on si 制备方法

[发明专利]一种氮化镓晶圆生产工艺参数设计方法-CN202011176972.8在审
发明人：李兴丽 -专利权人：华天科技（西安）有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓晶圆生产工艺参数设计方法，该方法通过将使用GaN材料生产晶圆时用到的所有参数进行DOE设计，分为贴膜、研磨和划片三个阶段，确定出三个阶段最优化的工艺条件，使得设计出的参数准确且适合生产条件
一种氮化镓晶圆生产工艺参数设计方法

[发明专利]具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法-CN201110428953.4有效
发明人：武东星;洪瑞华;蔡宗晏 -专利权人：李德财
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法，所述方法包含以下步骤：首先，制备一层第一基板，接着，于该第一基板上形成一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≤x≤3.5，而后，于该氧化镓牺牲层上磊晶成长一层磊晶结构层，利用移除该氧化镓牺牲层来保持该磊晶结构层的品质与性能，而由于该氧化镓牺牲层结晶特性弱，因此该氧化镓牺牲层容易被移除，提高整体制程效率。
具易移牺牲结构及其制造方法

[发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN202010790369.2在审
发明人：江文章 -专利权人：黄知澍
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态，以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
解理 iii 氮化物结构及其主动元件与其制作方法

[发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN202010790377.7在审
发明人：江文章 -专利权人：黄知澍
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态，以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
解理 iii 氮化物结构及其主动元件与其制作方法

[发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN202010790472.7在审
发明人：江文章 -专利权人：黄知澍
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态，以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
解理 iii 氮化物结构及其主动元件与其制作方法

[发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN202010791376.4在审
发明人：江文章 -专利权人：黄知澍
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底；一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层；一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层；一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层；以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态，以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
解理 iii 氮化物结构及其主动元件与其制作方法

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