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[发明专利]大面积被动式微发光二极管阵列显示器-CN202010031485.6有效
发明人： 武东星;袁硕璜;陈柏玮;洪瑞华 -专利权人：薛富盛
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：大面积被动式微发光二极管阵列显示器包括数个具基板、微发光阵列及阵列用绝缘层的微发光二极管阵列与具载板、数第一、二外部线路、线路用绝缘层及电性键合单元的外部线路组件。微发光阵列沿Y方向间隔布满基板表面且沿X方向各具延伸于表面的第一层、数发光层、数第二层、设于第一层的第一内电极层及数设于各第二层的第二内电极层。各第一内电极层具间隔围绕各发光层的基部及自基部凸出的凸部。阵列用绝缘层覆盖微发光阵列以露出各凸部与第二内电极层。微发光二极管阵列比邻并间隔配置且各凸部与第二内电极层键合于电性键合单元。微发光阵列布满基板表面并配合外部线路组件能有效利用面积且可先检测确保其正常运作于扩增显示面积时提前排除问题。
大面积被动式微发光二极管阵列显示器

[发明专利]具有屏幕显示按键的多功能控制装置-CN202110667201.7在审
发明人： 武东星;洪瑞华;陈亘延;廖宗聘 -专利权人：薛富盛
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01H13/86 文献下载
摘要：一种具有屏幕显示按键的多功能控制装置，用于控制多种电器产品，包含框架、设置于框架中的主电路板，及数个按键组件。各按键组件设置于主电路板并包括具有底座的电路板、设置于电路板的接触开关、架设于接触开关上的辅助套、穿设于辅助套的驱动电路板、连接驱动电路板的显示模块，及透光盖。驱动电路板具有可拆卸地接合于其所对应的底座的连接件。当其中一按键组件损毁时，能轻易地汰换驱动电路板与显示模块，以维持按键组件的运作功能。
具有屏幕显示按键多功能控制装置

[发明专利]亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置-CN201911264850.1在审
发明人： 武东星;洪瑞华;陈柏玮 -专利权人：薛富盛
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：一种亮度均匀的被动式微发光二极管阵列装置，包括微发光二极管阵列及外部线路组件。微发光二极管阵列包括基板、数沿Y方向间隔布满基板的微发光阵列及阵列用绝缘层。各微发光阵列依序具一沿X方向延伸于基板的第一层、数间隔的发光层、第二层、第一内电极层，更具一延伸于第一层并具间隔围绕发光层的基部及自基部凸伸的凸部的第二内电极层。阵列用绝缘层覆盖基板并裸露第一、二内电极层。外部线路组件包括面向基板的载板、各沿Y、X方向间隔并沿X、Y方向延伸于载板的第一、二外部线路、裸露出第一、二外部线路的线路用绝缘层及键合于第一、二外部线路与第一、二内电极层的电性键合单元，借由载板上的外部线路组件能有效利用阵列设置面面积。
亮度均匀被动式微发光二极管阵列装置

[发明专利]高光萃取率的发光二极管、导电膜，及导电膜的制作方法-CN201510017716.7有效
发明人： 武东星;庄师豪;洪瑞华 -专利权人：李德财
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明主要提供一种高光萃取率的发光二极管，包含一个基板、一个形成在该基板的发光单元、一个形成在该发光单元的导电膜，及两个分别接触连接该导电膜和该发光单元用以自外界提供电能的电极。该导电膜包括一个能导电且透光的膜本体，及一个形成于该膜本体的堆栈结构。该堆栈结构由多个纳米粒子周期性地排列堆栈，且所述纳米粒子其中的多个与该膜本体的组成结构形成多个堆栈物，借该堆栈结构或所述堆栈物，与该发光单元间引发表面电浆共振而大幅提升发光二极管整体的光萃取率。本发明还提供该导电膜的制作方法。
萃取发光二极管导电制作方法

[发明专利]发光二极管-CN201410357124.5在审
发明人： 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 -专利权人：李德财
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种发光二极管，包含：一个磊晶基材、一层发光层、一层电子穿隧层、一层电流扩散层，及一个电极单元，该电子穿隧层选自AlxIn1-xN，0<x<1为材料所构成且厚度不大于20nm，借由该电子穿隧层的材料选择及厚度控制，令电子可借由穿隧效应，自该电流扩散层传递至该电子穿隧层，而可有效使得自该电流扩散层的电流可经由该电子穿隧层均匀且有效率的注入至该发光层，而可提升该发光二极管的发光效率。
发光二极管

[发明专利]具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法-CN201110428953.4有效
发明人： 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 -专利权人：李德财
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法，所述方法包含以下步骤：首先，制备一层第一基板，接着，于该第一基板上形成一层氧化镓牺牲层，该氧化镓牺牲层满足GaOx，其中0.5≤x≤3.5，而后，于该氧化镓牺牲层上磊晶成长一层磊晶结构层，利用移除该氧化镓牺牲层来保持该磊晶结构层的品质与性能，而由于该氧化镓牺牲层结晶特性弱，因此该氧化镓牺牲层容易被移除，提高整体制程效率。
具易移牺牲结构及其制造方法

[发明专利]具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法-CN201110428930.3有效
发明人： 武东星;洪瑞华;蔡宗晏 -专利权人：李德财
申请日： 2011-12-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种具蚀刻停止层的磊晶结构及其制造方法，所述制造方法包含以下步骤：首先，于一层第一基板上成长一图样化牺牲层，该第一基板部分面积露出，未受该图样化牺牲层遮盖，接着，于该第一基板部分露出面积与图样化牺牲层上，侧向磊晶成长一层暂时磊晶层，而后，于该暂时磊晶层上成长一层蚀刻停止层，再来，于该蚀刻停止层上成长一层磊晶结构层，通过该蚀刻停止层形成于该磊晶结构层的下方，因此，后续在蚀刻移除该图样化牺牲层、该暂时磊晶层时，不至过度蚀刻该磊晶结构层，进而维持光电元件品质。
蚀刻停止结构及其制造方法

[发明专利]磊晶元件的制作方法-CN201010558982.8有效
发明人： 武东星;洪瑞华 -专利权人：萧介夫
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种磊晶元件的制作方法：先在磊晶用基板上形成牺牲膜；再将牺牲膜定义出牺牲结构，并在移除牺牲膜的部分结构时使基板裸露出的区域具有多个彼此相连接的凸部与凹部；接着在牺牲结构与凸部向上磊晶形成底面与所述凹部形成间隙的磊晶层体；然后自磊晶层体上形成导电基材，之后将导电基材、磊晶层体定义出多个磊晶元件的图样流道；最后经图样流道与间隙蚀刻移除牺牲结构并让磊晶元件与基板分离，得到多个磊晶元件。
元件制作方法

[发明专利]磊晶用基板及其制作方法-CN201110378822.X有效
发明人： 武东星;洪瑞华;林威廷 -专利权人：李德财
申请日： 2011-11-21 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：一种磊晶用基板，包含一个顶面，及多个自该顶面向下延伸的晶面，其中，每n个晶面构成一角锥形的凹孔，n是不小于3的正整数，每一凹孔的其中一晶面与顶面的连接线至另一最相邻凹孔的最相邻晶面与顶面的连接线的间距不大于500nm，当使用本发明进行磊晶时，是自所述晶面成核后成长并聚集，而非于有应力残留或缺陷存在的顶面开始成核、成长，而可得到缺陷较少、晶体质量较佳的磊晶层体，进而提升以此磊晶用基板制作出的元件的工作效能。
磊晶用基板及其制作方法

[发明专利]图案化基板及其构成的发光二极管-CN201010558981.3无效
发明人： 武东星;洪瑞华;林威廷 -专利权人：萧介夫
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：一种图案化基板，由蓝宝石为主要材料，且具有一个顶面、数个由该顶面往下延伸且间隔排列的围绕面、数个分别连结围绕面下缘的基面，及数个分别自每一基面向上形成的凸柱，以该图案化基板向上磊晶形成于供电时发光的磊晶层体，及设置供电的电极单元而成的发光二极管，因该图案化基板的围绕面、基面与凸柱的配合，可得到较佳磊晶质量的磊晶层体，并可以改变该磊晶层体发出并向该图案化基板方向行进的光的行进方向，而有效提升发光二极管正向发光亮度。
图案化基板及其构成发光二极管

[发明专利]具有高的光抽取的发光二极管芯片及其制造方法-CN200880111244.X无效
发明人：洪瑞华;武东星;黄少华;谢创宇;林朝坤 -专利权人：普瑞光电股份有限公司;国立中兴大学
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有高的光抽取的发光二极管芯片，其包括基板、用于通过光电效应生成光的外延层结构、夹在基板和外延层结构之间的透明反射层、和用于向外延层结构提供电源的一对电极。对外延层结构的底面和顶面进行粗糙化以具有不小于100nm均方根(rms)的粗糙度。因此，有效地抽取出由外延层结构生成的光。不大于5μm rms的透明反射层形成为基板和外延层结构之间的界面。更有效地向上反射朝向基板的光。从而提高光抽取和亮度。本发明还提供了用于制造本发明的发光二极管芯片的方法。
具有抽取发光二极管芯片及其制造方法

[发明专利]低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法-CN200910134988.X有效
发明人： 武东星;洪瑞华;谌思廷;蔡宗晏;吴学维 -专利权人： 武东星
申请日： 2009-04-20 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：一种低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法，该制造方法先自一层晶格不匹配的基材侧向外延，形成一层具有多个缺陷处且表面缺陷降低的第一外延层，再自该第一外延层的平面进行缺陷选择性蚀刻，将所述缺陷处蚀刻出多个第一凹洞，使该第一外延层具有一界定所述第一凹洞的外延层平面，所述第一凹洞的径宽彼此相近，然后形成一填满所述第一凹洞的阻挡层，以阻隔差排向上延伸，再利用化学机械研磨法均匀地移除多余阻挡层，至该外延层平面裸露并使得其更加平坦，而使该外延层平面与剩下的该阻挡层表面共同定义出一面完整且平坦的外延基面。本发明所述低表面缺陷密度的外延基板及其制造方法，能够有效地降低缺陷密度，且能提高后续外延品质。
表面缺陷密度外延及其制造方法

[发明专利]具有散热基板的发光二极管芯片组件及其制作方法-CN200710188144.4有效
发明人：洪瑞华;武东星;蒋承忠;萧翔允;许苍林;林恒毅 -专利权人：良峰塑胶机械股份有限公司;国立中兴大学
申请日： 2007-11-12 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有散热基板的发光二极管芯片组件及其制作方法，该发光二极管芯片组件包含一发光二极管芯片，及一以具有高热传导系数的材料构成一体连接在该发光二极管芯片上的散热基板，其中该散热基板具有直接接触该发光二极管芯片的基材，而可直接将热导离该发光二极管芯片的中心部，及一环围该中心部且顶面法线与中心部顶面的法线夹成锐角而可反射发光二极管芯片发出的光使其正向向上射出的反射部，使组件高速散热从而延长工作寿命，并提升组件的出光。
具有散热发光二极管芯片组件及其制作方法

[发明专利]一种在涂装中使用的打磨操作台-CN200710043554.X无效
发明人：侯惠龙;武东星 -专利权人：上海鑫融涂装有限公司
申请日： 2007-07-06 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： B24B55/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种在涂装中使用的打磨操作台，其特征在于：它包括：一块其上设有n个穿孔的台板；一根位于该台板下呈收缩状的风管；一设置在该风管下的风机；以及，一位于该风机下的过滤装置。其中：过滤装置的内壁设有吸棉；风管的上口能罩住所述台板上的n个穿孔。由于采用了上述的技术解决方案，本发明通过在台板下设有的风机，将在台板上对打磨件进行打磨产生的灰尘抽掉，并由过滤装置进行过滤，从而在涂装打磨工序中起到了防尘的效果。
一种涂装中使用打磨操作台

[实用新型]发光二极管芯片、侧边入光式背光模组与直下式背光模组-CN200720138604.8有效
发明人： 武东星;何忠兴;王耀东;林佳锋;庄赋祥 -专利权人：中华映管股份有限公司
申请日： 2007-08-06 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种发光二极管芯片，包括一反射层、一第一型半导体层、一主动层、一第二型半导体层、一第一电极层、一第二电极层与一滤光结构。其中，第一型半导体层配置于反射层上，而主动层配置于第一型半导体层与第二型半导体层之间。此外，第一电极层与第一型半导体层电性连接，且第二电极层配置于第二型半导体层上。另外，滤光结构配置于第二电极层上。该滤光结构可将波长为450～525nm的光线反射，而使得发光二极管芯片能提供高纯度的光源。
发光二极管芯片侧边入光式背光模组直下式

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